受 AI 算力拉動，混合鍵合空間廣闊。當前，混合鍵合設備尚處于產品導入期，在圖像傳感器、邏輯芯片和存儲器領域初步實現產業化。三星將在 X-Cube、Saint 平臺上均將采用混合鍵合，分別用于內存-內存、邏輯芯片-存儲芯片/邏輯芯片的堆疊，英特爾則將把其應用在 Foveros 上，有望在 2024 年率先實現邏輯芯片與互連器之間的混合鍵合技術。此外，海力士也可能率先使用混合鍵合至其 HBM4 芯片上?；旌湘I合核心應用主要為：邏輯端，SoIC 3D chiplet 堆疊、SRAM+Logic 堆疊及 GAA 背面供電；存儲端，3D NAND（W2W）、HBM（>16 層，D2W）、3D DRAM 等；及背照式 CMOS 圖像傳感器。根據 Yole 預測，當前雖然還沒有 HBM 應用混合鍵合，隨著堆疊層數增加、集成度要求更高，2028 年混合鍵合工藝預計將占據 HBM 所用工藝的 36%。根據 Besi 預測，中性假設下，2030 年對混合鍵合系統需求將達到 1400 臺，以 200 萬歐元測算，設備市場累計總空間為 28 億歐元。根據Yole 測算，2027 年 W2W 和 D2W 混合鍵合設備市場空間預計達到 5 億/2.3億美元?；旌湘I合已成為全球半導體設備廠重點布局方向，包括 AMAT、ASMPT、Shibaura、TEL、SUSS 等紛紛入局，國內大陸公司包括拓荊科技、華卓精科等。