根據工作原理的不同，集成電路薄膜沉積可分為物理氣相沉積（PVD）、化學氣相沉積（CVD）。（1）物理氣相沉積（PVD）：通過在真空條件下將固態材料加熱至其汽化溫度，使其形成蒸汽，然后在芯片表面沉積。PVD技術適用于許多材料，包括金屬、氧化物和氮化物等。由于其操作簡單、成本較低，PVD 技術在芯片制造中得到了廣泛應用。（2）化學氣相沉積（CVD）：CVD是通過在氣相中使氣體發生化學反應生成沉積物來實現薄膜的沉積。CVD 技術可以實現對薄膜的精確控制，從而在芯片制造中得到了廣泛應用。此外，CVD技術還具有高度可擴展性和良好的均勻性，這使其在大規模芯片生產中具有優勢。（3）原子層沉積（ALD）：ALD技術是一種特殊的真空薄膜沉積方法，具有較高的技術壁壘。ALD技術通過將氣相前驅體脈沖交替地通入反應室并在沉積基底上發生表面飽和化學反應形成薄膜。通過 ALD鍍膜設備可以將物質以單原子層的形式一層一層沉積在基底表面，每鍍膜一次/層為一個原子層，根據原子特性，鍍膜 10 次/層約為 1nm。