NAND 堆疊層數增加拉動前驅體用量成倍提升，ALD 沉積適用于 3D NAND 的三維結構，拉動 High-k 前驅體需求。3D NAND 類似于蓋樓房，在 2D NAND 的基礎上進行堆疊，從而在面積不變的情況下成倍提升存儲容量。由于每一層 NAND 都要進行薄膜沉積，因此對于前驅體的需求將同步成倍增長。3D NAND 儲存設備中的三維結構需要高度的工藝可變性控制，ALD 非常適用在儲存器孔的側壁上形成介電薄膜。金屬 ALD 也用于替換柵極方案中的字線填充，這需要橫向沉積來完全填充狹窄的水平特征。