（1）3D NAND 復雜結構需要制造高的深寬比，其疊層沉積和字線填充對沉積工藝提出了極高要求，ALD 由于膜厚精度控制和良好的臺階覆蓋能力，比 CVD 和 PVD 更具優勢。①薄膜沉積：3D NAND 制造流程開始于交替薄膜沉積，精確控制每層薄膜厚度的均一性至關重要，ALD 可有效減小應力、降低晶圓翹曲；②字線填充：字線鎢提供了層內各個存儲單元之間所需的關鍵傳導鏈接，需要以最小的應力實現在復雜、狹窄、橫向結構的存儲堆疊單元里的無空隙填充；③孔道深寬比：3D NAND 層數增加、孔道的深寬比也不斷加大，需要在深寬比 100:1 的孔道中縱橫向沉積高 k 材料，若臺階的深寬比過高，PVD 和 CVD 可能會造成頂部開口堵塞。