以上最困難最關鍵的即為高深寬比通孔刻蝕，離子和中性反應物被遮蔽，深寬比相關傳導以及離子角分布是導致關鍵尺寸變化、刻蝕不完全、彎曲和扭曲等缺陷的重要因素?？涛g要在氧化硅和氮化硅一對的疊層結構上加工 40:1 到 60:1 甚至 100：1 的極深孔或極深的溝槽。從 64 層到 196 層，刻蝕設備在總設備投資中的價值占比從 22%上升至 25%。國內中微公司布局極高深寬比刻蝕并逐步突破，目前可以實現 60:1。