而最重要的原因在于成本問題，受高昂 SiC材料成本、復雜器件制作工藝以及較低產品良品率等因素的影響，SiC MOSFET 的成本與同類 Si IGBT 分立器件相比仍然有較大差距，這阻礙了 SiC器件大規模的產業化推廣。碳化硅商業化的關鍵在于下游對碳化硅器件成本和碳化硅器件優越性能帶來的綜合成本下降間的平衡。雖然碳化硅襯底和器件工藝逐漸成熟，襯底和器件的價格呈一定下降趨勢，但是目前碳化硅功率器件的價格仍數倍于硅基器件，SiCMOSFET分立器件的單價是 Si IGBT分立器件成本的 3~15倍，且隨著載流能力的提升，價格差距也越來越大，下游應用領域仍需平衡碳化硅器件的高價格與碳化硅器件優越性能帶來的綜合成本下降間的關系，短期內一定程度上限制了碳化硅器件在功率器件領域的滲透率，使得碳化硅材料即使在部分相對優勢領域的大規模應用仍存較大挑戰。但是，在 SiC 器件成本難以對 Si 實現平價化的前提下，我們認為碳化硅依然存在商業價值，其核心原因在于以半導體成本的提升換取系統效率的提升，最終可以帶來系統成本降低，或幫助下游客戶在產品的全生命周期內實現更大的經濟利益，在碳化硅成本逐步下降的同時，下游市場也有望迎來較大規模成長。