襯底是 SiC MOSFET 成本占比最高的環節，襯底自供將顯著降低芯片成本。根據System Plus Consulting，以 6 英寸 SiC MOSFET 晶圓前道制造為例，其成本中 44%來源于襯底，是占比最高的環節。對比海外主流廠商同等電壓級別，同 Rfson 的 SiC MOSFET 器件成本結構，同樣可以看到襯底是占比最高的環節，此外值得注意的是，Wolfspeed 的 SiC MOSFET 器件的每安培成本低于其他幾家廠商。根據 PGC Consultancy，碳化硅行業中具備垂直整合能力的公司，其襯底自供將顯著降低成本。