第三代半導體有什么特點？sic材料應用領域一覽

第三代半導體特點

和第一代半導體和第二代半導體材料比較起來，第三代半導體具有更大的禁帶寬度、更高的擊穿電場、更高的熱導率、更高的電子飽和速率和更高的抗輻射能力，所以，它會更加的適合用來制作高溫、高頻、高輻射及大功率器件。

sic材料應用領域

SiC是比較典型的三代半導體材料，SiC以它優異的性能在各個現代工業領域發揮重要革新作用，有著巨大的應用前景和市場潛力。

下面是它的主要應用領域：

1、SiC材料應用在高鐵領域，可節能20%以上，并減小電力系統體積;

2、SiC材料應用在航空航天領域，可使設備的損耗減小30%～50%，工作頻率提高3 倍，電感電容體積縮小3倍，散熱器重量大幅降低;

3、SiC材料應用在新能源汽車領域，可降低能耗20%;

4、SiC材料應用在通信領域，可顯著提高信號的傳輸效率和傳輸安全及穩定性;

5、SiC材料應用在家電領域，可節能50%;

6、SiC材料應用在大數據領域，可幫助數據中心能耗大幅降低;

7、SiC材料應用在風力發電領域，可提高效率20%;

8、SiC材料應用在超高壓直流輸送電和智能電網領域，可使電力損失降低60%，同時供電效率提高40%以上;

9、SiC材料應用在太陽能領域，可降低光電轉換損失25%以上;

10、SiC材料應用在工業電機領域，可節能30%～50%;

隨著SiC生產成本的不斷降低，SiC半導體正在憑借它優良的性能逐漸的取代Si半導體，打破了Si半導體基由于材料本身性能所遇到的瓶頸。

未來也許SiC將會引發一場類似于蒸汽機一樣的工業革命。

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