第三代半導體，GaN材料的應用領域一覽

第三代半導體GaN材料的應用領域

GaN氮化鎵，側重高頻性能，被廣泛的應用于基站、雷達、工業、消費電子等領域。

1、5G基站

氮化鎵射頻器件更能有效的滿足5G高功率、高通信頻段的要求，5G基站和快充這兩個領域的復合增速比較的快，很有希望成為氮化鎵市場快速增長的主要驅動力量，據預測，基于氮化鎵工藝的基站占比將會由50%增長到58%，將會帶來大量的氮化鎵的新增需求，且預計到2022年，氮化鎵器件的市場規模將會超過25億美元，年復合增長率為17%。

2、快充

氮化鎵具備導通電阻小、損耗低和能源轉換效率高等優點。

用氮化鎵制作成的充電器還能夠做到較小的體積，安卓端是最率先將氮化鎵技術導入到快充領域的，隨著氮化鎵生產成本的不斷下降，氮化鎵快充非常有希望成為消費電子領域的下一個殺手級別的應用。

預計，全球氮化鎵功率半導體市場規模將會由2018年的873萬美元增長到2024年的3.5億美元，復合增長率達到85%。

說道安卓這邊的率先應用，在2019年的時候，OPPO發布了國內首款氮化鎵充電器SuperVOOC 2.0，充電功率為65W，之后小米也是推出了65W氮化鎵充電器，體積比小米筆記本充電器縮小48%，并且，售價也是創下了業內的新低。

未來隨著氮化鎵技術不斷的提升，規模效應會帶動成本越來越低，未來氮化鎵充電器的滲透率將會不斷的提升。

文本由@鄧鄧 整理發布于三個皮匠報告網站，未經授權禁止轉載。

推薦閱讀：

patsnap：第三代半導體GaN技術全景分析報告(56頁).pdf

【精選】2021年半導體行業GaN產業鏈分析報告(38頁).pdf

【研報】GaN行業深度：5G、快充、UVC第三代半導體潮起-20200218[33頁].pdf