半導體行業發展史
就當前來說,半導體行業經過了近60年的發展,目前,已經發展形成了三代半導體材料。
第一代半導體材料主要指的是硅、鍺元素等單質半導體材料,第二代半導體材料主要指的化合物半導體材料,例如,砷化
鎵、銻化銦等,第三代半導體材料是寬禁帶半導體材料。
在第三代半導體材料當中,最重要的就是SiC(碳化硅)和GaN(氮化鎵)。
SiC(碳化硅)
具有高臨界磁場、高電子飽和速度與極高熱導率等特點,使得其器件適用于高頻高溫的應用場景,相較于硅器件,可以顯著降低開關損耗,所以,SiC能夠制造高耐壓、大功率電力電子器件,如
MOSFET、IGBT、SBD等,用于智能電網、新能源汽車等行業。
GaN(氮化鎵)具有高臨界磁場、高電子飽和速度與極高的電子遷移率的特點,是超高頻器件的極佳選擇,適用于5G通信、微波射頻等領域的應用,未來,隨著第三代半導體材料的成本因生產技術的不斷提升而
下降,它的應用市場也將迎來爆發式增長,給半導體行業帶來新的發展機遇。

和傳統的半導體材料比較起來,更寬的禁帶寬度允許材料在更高的溫度、更強的電壓與更快的開關頻率下運行,就當前來說,它們和前兩代材料并不是替代關系,而是優勢互補的關系,這里和汽車領域普遍認同電動汽車替代燃油汽車的大趨勢是有很大的不同的。
半導體行業發展趨勢前景
未來在相當長的一段時間當中,全球半導體投資依舊會是以硅半導體為主。
我國在第三代半導體的投入會進一步的加大,但是,這也并不會意味著可以就此繞過硅半導體產業鏈的國產化之路,并且,就算是電動汽車,想要在市場上面替代燃油汽車至少也是得花上幾十年的時間,就像特斯拉一樣,除此之外,還有比亞迪,比亞迪推出第一輛電動汽車到現在也已經有了十幾年的時間。
第三代半導體當前最大的應用領域是光電子,在這當中,LED芯片是最大市場,要注意,LED芯片雖然是半導體,但是,用途是拿來發光的單一元件并不是電路,我們一般不將LED芯片考慮進芯片市場當中去。
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