《半導體行業:晦極而明半導體光學邁向璀璨轉折點-240221(27頁).pdf》由會員分享,可在線閱讀,更多相關《半導體行業:晦極而明半導體光學邁向璀璨轉折點-240221(27頁).pdf(27頁珍藏版)》請在三個皮匠報告上搜索。
1、 半導體/行業深度分析報告/2024.02.21 請閱讀最后一頁的重要聲明!晦極而明,半導體光學邁向璀璨轉折點 證券研究報告 投資評級投資評級:看好看好(維持維持)最近 12 月市場表現 分析師分析師 張益敏 SAC 證書編號:S0160522070002 相關報告 1.國產封裝設備發力,勾勒三維集成電路新時代 2024-01-19 2.AI 引領復蘇,重視技術迭代增量 2024-01-18 3.汽車驅動芯片:國產企業進入加速放量期 2023-12-29 半導體光學產業鏈半導體光學產業鏈深度報告深度報告 核心觀點核心觀點 光學光學領域領域仍為仍為設備自主可控設備自主可控最短板最短板:國產光刻機
2、(覆蓋 90nm 工藝)與量檢測設備(明場工藝可覆蓋 65nm)仍為半導體設備自主可控最短板。國內光學產業鏈發力攻克難關:量檢測等光學設備營收快速增長,2023 年主要上市公司營收規模合計可能達到十余億元,對上游光學元件需求有望快速增長。光學元件影響關鍵性能指標,進口依賴國外光學元件影響關鍵性能指標,進口依賴國外:半導體光學設備使用激光器、工業相機(光電傳感器)、運動平臺(工件臺)等多種光學元件;上述元件技術水平決定光刻機/量檢測設備性能。2021 年年全球全球半導體光學零部件市場約半導體光學零部件市場約 82億美元,海外企業占據市場主導地位億美元,海外企業占據市場主導地位;國內進口面臨供應鏈
3、風險,制約國內光刻與量檢測設備邁向更高端制程。精密光學制造加工難度大,國內尚存差距精密光學制造加工難度大,國內尚存差距:加工、材料、設備等環節共同決定精密光學的工藝水平,需要漫長時間的積累與磨合。VLSI 統計統計 2022 年年全球工業精密光學加工市場規模全球工業精密光學加工市場規模 160 億人民幣億人民幣,多數蔡司、尼康等海外企業占據。我國超精密光學加工產業起步較晚,整體仍處于追趕狀態,進步空間大。國內半導體光學產業鏈初具規模國內半導體光學產業鏈初具規模:受益于多個行業需求帶動與國家重大專項支持,我國半導體光學產業進步較快:圍繞光刻設備平臺,長春光機所、科益虹源、華卓精科等企業技術快速進
4、步;光刻與量檢測設備存在大量技術重疊,兩大領域互相支援、和諧共振,加快國內半導體光學產業發展。投資投資建議建議:建議關注英諾激光英諾激光、大族激光大族激光、杰普特、杰普特、??乒怆姲?乒怆?、奧普特奧普特、凌凌云光、云光、蘇大維格蘇大維格等光學元件企業,與茂萊光學、波長光電茂萊光學、波長光電、福晶科技、福晶科技、騰景科騰景科技、炬光科技、技、炬光科技、福光股份、福光股份、奧普光電奧普光電等精密光學加工企業。風險提示:風險提示:半導體光學產品需求不及預期;技術研發不及預期;海外供應鏈風險;行業競爭加劇。-37%-26%-16%-5%6%17%半導體滬深300 謹請參閱尾頁重要聲明及財通證券股票和行
5、業評級標準 2 行業深度分析報告/證券研究報告 表表 1:重點公司投資評級重點公司投資評級:代碼代碼 公司公司 總市值總市值(億元)(億元)收盤價收盤價(02.20)EPS(元)(元)PE 投資評級投資評級 2022A 2023E 2024E 2022A 2023E 2024E 301021 英諾激光 23.29 15.37 0.15 0.20 0.36 173.10 77.62 43.12 未覆蓋 002008 大族激光 190.34 18.09 1.15 1.52 1.98 22.30 11.90 9.14 增持 688025 杰普特 48.45 51.01 0.82 1.42 2.63
6、54.13 35.92 19.40 增持 688610 ??乒怆?19.47 28.63 1.38-0.00-未覆蓋 688400 凌云光 98.03 21.15 0.40 0.47 0.65 63.10 45.43 32.52 未覆蓋 688502 茂萊光學 60.19 114.00 1.49 1.55 2.10 0.00 73.55 54.29 增持 301421 波長光電 49.44 42.72 0.71 0.52 0.74-82.39 57.48 未覆蓋 002222 福晶科技 100.33 23.47 0.53 0.55 0.67 29.87 42.70 35.20 未覆蓋 6881
7、95 騰景科技 29.88 23.10 0.45 0.39 0.62 50.65 59.05 36.98 未覆蓋 002338 奧普光電 57.65 24.02 0.34 0.61 0.88 65.40 39.70 27.45 未覆蓋 數據來源:Wind,財通證券研究所,未覆蓋公司的預測數據來自 Wind 一致預期(基于 2024 年 2 月 21 日收盤數據)xPW3UZZBZSVAUTVbR8Q9PtRrRpNtPkPpPnPiNtRtQ7NoPqQNZsPuMwMnPoR 謹請參閱尾頁重要聲明及財通證券股票和行業評級標準 3 行業深度分析報告/證券研究報告 1 半導體光學:傳統光學跨界電
8、子領域的華麗轉身半導體光學:傳統光學跨界電子領域的華麗轉身.5 1.1 半導體光學企業:基于傳統業務,深度綁定設備龍頭公司半導體光學企業:基于傳統業務,深度綁定設備龍頭公司.5 2 半導體光學元件:光刻半導體光學元件:光刻/量檢測設備核心構成量檢測設備核心構成.7 2.1 光學元件參數決定半導體光學設備性能光學元件參數決定半導體光學設備性能.7 2.2 激光器:光學設備的力量之源激光器:光學設備的力量之源.9 2.3 相機:半導體光學設備的目明之眼相機:半導體光學設備的目明之眼.12 2.4 運動平臺系統與組件:精準移動定位關鍵運動平臺系統與組件:精準移動定位關鍵.14 3 精密光學制造:半導
9、體光學上游核心精密光學制造:半導體光學上游核心.17 3.1 精密光學制造:半導體光學設備核心部件誕生地精密光學制造:半導體光學設備核心部件誕生地.17 3.2 光學設備與材料:微納雕琢的刻刀與精粹光學設備與材料:微納雕琢的刻刀與精粹.20 4 國產半導體光學產業鏈國產半導體光學產業鏈:多個賽道充分發力多個賽道充分發力.22 5 投資建議投資建議.25 6 風險提示風險提示.26 半導體光學產業鏈概況半導體光學產業鏈概況.5 海外半導體光學產業鏈上游主要企業格局圖海外半導體光學產業鏈上游主要企業格局圖.6 半導體光學設備中光學零部件占比(半導體光學設備中光學零部件占比(2022 年估計)年估計
10、).6 2021 年全球半導體零部件市場中光學零部件年全球半導體零部件市場中光學零部件占比占比.6 光罩光學缺陷檢測設備結構光罩光學缺陷檢測設備結構.7 暗場光學缺陷檢測設備結構圖暗場光學缺陷檢測設備結構圖.7 典型暗場晶圓缺陷檢測設備的中的光學元件典型暗場晶圓缺陷檢測設備的中的光學元件.8 明場光學設備中的光學元件明場光學設備中的光學元件.8 半導體光源波長與應用對應情況半導體光源波長與應用對應情況.9 266nm 紫外激光器紫外激光器.10 光線波長對應不同材料的光學性能光線波長對應不同材料的光學性能.10 266 納米波長光源產生原理圖納米波長光源產生原理圖.10 激光激勵的寬光譜等離子
11、體(激光激勵的寬光譜等離子體(LSP)光源)光源.11 2016-2022 年全球激光器市場規模年全球激光器市場規模(億美元億美元).11 內容目錄 圖表目錄 謹請參閱尾頁重要聲明及財通證券股票和行業評級標準 4 行業深度分析報告/證券研究報告 2020 年全球激光器應用領域年全球激光器應用領域.11 TDI 相機原理及市場概況相機原理及市場概況.12 半導體量檢測用工業相機結構圖半導體量檢測用工業相機結構圖.13 雙能雙能 X 射線檢測用射線檢測用 TDI 設備原理圖(雙傳感器)設備原理圖(雙傳感器).13 X 射線檢測效果圖射線檢測效果圖.13 海外運動平臺產業格局海外運動平臺產業格局.1
12、4 平面光柵干涉(左)與激光干涉(右)工件臺定位平面光柵干涉(左)與激光干涉(右)工件臺定位.15 方鏡結構圖方鏡結構圖.15 碳化硅陶瓷方鏡和工件臺碳化硅陶瓷方鏡和工件臺.15 壓電陶瓷系列產品壓電陶瓷系列產品.16 壓電陶瓷調節運動臺位置壓電陶瓷調節運動臺位置.16 壓電陶瓷調節鏡片位置壓電陶瓷調節鏡片位置.16 半導體量檢測設備光學系統半導體量檢測設備光學系統.17 光刻機物鏡的組裝結構件光刻機物鏡的組裝結構件.17 蔡司公司超精密光學模組的生產流程蔡司公司超精密光學模組的生產流程.18 超精密光學測量輔助加工工序超精密光學測量輔助加工工序.19 蔡司早期手工生產線蔡司早期手工生產線.2
13、0 蔡司的現代化生產線蔡司的現代化生產線.20 超精密光學制造使用的主要設備超精密光學制造使用的主要設備.21 德國肖特公司的高端光刻用微晶玻璃德國肖特公司的高端光刻用微晶玻璃.22 德國肖特公司德國肖特公司 iline 玻璃玻璃.22 新原理光刻用量檢測與真空設備新原理光刻用量檢測與真空設備.22 新原理光刻非球面鏡表面檢測新原理光刻非球面鏡表面檢測.22 中國超精密光學主要產業鏈情況中國超精密光學主要產業鏈情況.23 我國高端光學制造裝備發展路線圖我國高端光學制造裝備發展路線圖.24 謹請參閱尾頁重要聲明及財通證券股票和行業評級標準 5 行業深度分析報告/證券研究報告 1 半導體光學半導體
14、光學:傳統光學跨界電子領域的華麗轉身:傳統光學跨界電子領域的華麗轉身 1.1 半導體光學企業:基于傳統業務,深度綁定設備龍半導體光學企業:基于傳統業務,深度綁定設備龍頭公司頭公司 半導體光學產業伴隨著集成電路產業的發展應運而生,與光刻與量檢測設備關系密切。早期芯片的生產規模較小,集成電路線寬較粗糙;光刻與量檢測設備使用量相對有限,技術設計也相對簡單,對半導體光學元件的需求量較小。此時此時半導半導體光學體光學尚未形成獨立的產業鏈尚未形成獨立的產業鏈。半導體光學產業鏈概況 數據來源:TEL 官網,Direct industry,ZEISS 官網,Leica 官網,hamamatsu 官網,屹持光電
15、官網,Semiwiki,財通證券研究所 伴隨半導體產業的不斷發展,集成電路線寬不斷縮??;光刻與量檢測等光學設備出貨量快速增長,設計也愈發復雜精密。光學設備的光學設備的半導體光學元件市場規??彀雽w光學元件市場規??焖贁U大,生產門檻也大幅提高,逐漸形成速擴大,生產門檻也大幅提高,逐漸形成了了單獨的半導體光學產業單獨的半導體光學產業鏈鏈,主要產品包括:光源、工業相機/傳感器、精密光學加工元件、光學部件、其他光學元件、光學仿真軟件等。光學光學元件元件設計與設計與超精密超精密加工技術的進步,需要長期的經驗積累加工技術的進步,需要長期的經驗積累。18 世紀早期光學產業主要分布在法國與英國;第二次工業革命
16、中,以耶拿市為搖籃的德國光學產業后來居上,孕育了現代光學產業。第二次世界大戰后,日本民用光學產業逐漸發展,并奠定了日本在半導體光學的行業地位;同時期美國憑借其技術和經濟優勢,同樣聚集了一批領先的光學企業。故全世界的領先半導體光學企業分為美國、歐洲、日本三大集群。謹請參閱尾頁重要聲明及財通證券股票和行業評級標準 6 行業深度分析報告/證券研究報告 海外半導體光學產業鏈上游主要企業格局圖 數據來源:各公司官網,華卓精科招股說明書,中科飛測招股說明書,茂萊光學招股說明書,Maximize Market Research 等,財通證券研究所 高端光學玻璃原材料的主要海外生產商包括美國康寧、德國肖特、日
17、本小原等。半導體光學光源的海外生產商為美國相干(coherent)、美國 Cymer、美國 Newport、德國通快(TrumpF)、德國 Toptica、荷蘭 Avantes、日本 Gigaphoton、日本濱松光學(Hamamatsu)、日本 oxide。光學設備運動平臺的海外供應商包括美國 Aerotech、美國 Newport,德國 PI 等。半導體工業相機(傳感器)的主要生產商為荷蘭 avantes和日本濱松光學(Hamamatsu)。光學元件/部件方面,美國 Edmund、Materion、Thorlabs,德國蔡司、徠卡,日本尼康、佳能、奧林巴斯等都有參與。半導體光學設備中光學零
18、部件占比(2022 年估計)2021 年全球半導體零部件市場中光學零部件占比 數據來源:富創精密對落實函的回復,財通證券研究所 數據來源:SEMI,財通證券研究所 55%45%光學設備中光學類零部件光學設備中非光學零部件17%83%光學類其他 謹請參閱尾頁重要聲明及財通證券股票和行業評級標準 7 行業深度分析報告/證券研究報告 根據 SEMI 統計,2021 年全球半導體零部件市場中,光學類零部件總體占比光學類零部件總體占比 16.7%,市場規模為市場規模為 82 億美元億美元。富創精密估計,在量檢測設備/光刻機等光學類半導體設備中,光學類零部件的原材料成本占比約為 55%。2023 年荷蘭阿
19、斯麥(ASML)公司營收規模 276 億歐元,首次排名世界第一;另一光學大廠科磊(KLA)營收預計為 96 億美元,由上述企業營收可估算 2023 年的半導體光學元件市場。德國卡爾蔡司公司(ZEISS)是荷蘭阿斯麥(ASML)的主要供應商,2022/23 年年其其半導體業務半導體業務收入收入高達高達 35.55 億歐元,是全世界最大的半導體零部件供應商億歐元,是全世界最大的半導體零部件供應商。2 半導體光學半導體光學元件元件:光刻光刻/量檢測設備核心構成量檢測設備核心構成 2.1 光學元件參數決定半導體光學設備性能光學元件參數決定半導體光學設備性能 光罩光學缺陷檢測設備結構 暗場光學缺陷檢測設
20、備結構圖 數據來源:Field results from a new die-to-database reticle inspection platform(William Broadbent 等),財通證券研究所 數據來源:Structural Design and Simulation of a Multi-Channel and Dual Working Condition Wafer Defect Inspection Prototype(Ruizhe Ding 等),財通證券研究所 以光刻機和以光刻機和明場明場量檢測設備為代表量檢測設備為代表的的半導體光學設備,是半導體光學設備,是集
21、成電路產線中精確度集成電路產線中精確度最高的設備。最高的設備。典型的刻蝕與薄膜沉積設備通常采用化學氣體或液體作為反應原材料,通過機械學、電磁學、熱力學、流體學等原理,對反應(生產)過程進行微調,有時也借助光譜儀等測量儀器進監控工藝狀況。但受制于氣體但受制于氣體/液體的物理特液體的物理特性,性,絕大多數絕大多數刻蝕或薄膜沉積設備單獨工作時刻蝕或薄膜沉積設備單獨工作時精度有限精度有限。相比之下,使用短波長光源的光學設備具有極高的精確度。任意一個光電場的完整物理量包括頻率、振幅、相位和偏振態。以光學量檢測為例,晶圓缺陷檢測一般在線性光學系統線性光學系統中進行,頻率通常不會改變;但由于光的波粒二象性,
22、其振幅、相位、偏振態均會發生改變。謹請參閱尾頁重要聲明及財通證券股票和行業評級標準 8 行業深度分析報告/證券研究報告 典型暗場晶圓缺陷檢測設備的中的光學元件 數據來源:Structural Design and Simulation of a Multi-Channel and Dual Working Condition Wafer Defect Inspection Prototype(Ruizhe Ding 等),財通證券研究所 與光刻機工作時直接成像的光學原理的不同,光學量檢測設備廣泛采用非直接成非直接成像原理像原理。量檢測設備由多個入射通道(波長、入射角、照明方式等不同)和多個信號
23、收集通道(散射光、衍射光、反射光等、寬窄等),組合成不同的工作模式。通過監測不同模式下的光譜信息,再使用算法對晶圓表面逆向成像,從而發現晶圓表面的缺陷或測量參數。非直接成像方法,較少受制于光波長帶來的衍射極限非直接成像方法,較少受制于光波長帶來的衍射極限;但對檢測波段、光束偏振態、照明光束截面形狀、物鏡 NA 值、探測器靈敏度等有極高的要求。先進制程的量檢測過程中,待測參數增多帶來額外挑戰。光刻機內置的套刻誤差測量組件也在不斷提高精度中遇到了類似的問題。半導體光學產業的發展和上述挑戰,對對光源,相機光源,相機/傳感器,運動平臺,算法等光學組件提出了更高的要求。傳感器,運動平臺,算法等光學組件提
24、出了更高的要求。明場光學設備中的光學元件 數據來源:Jadak Tech,SPIE(Erin M.Schadt)財通證券研究所 謹請參閱尾頁重要聲明及財通證券股票和行業評級標準 9 行業深度分析報告/證券研究報告 2.2 激光器激光器:光學設備的力量之源:光學設備的力量之源 光源(半導體激光器)為光刻與量檢測設備提供運轉所需的激光,在晶圓切割、解鍵合、打標領域也有運用。光源主要由泵浦源、增益介質、諧振腔泵浦源、增益介質、諧振腔等組成。泵浦源為激光器的激發源,諧振腔為泵浦光源與增益介質之間的回路,增益介質指可將光放大的工作物質。在工作狀態下增益介質通過吸收泵浦源提供的能量,經諧振腔振蕩選模,輸出
25、特定類型激光。半導體光源波長與應用對應情況 數據來源:各公司官網,Semi Engineer,超微細加工本(麻蒔立男),財通證券研究所 光刻機使用的光源包括 436/365nm 波長的汞燈光源,248/193nm 波長的深紫外準分子光源(Kr/Ar 氣體與氟氣在高壓強電場環境下結合又分解,釋放光子),及13.5nm 波長的極紫外光源(二氧化碳激光器兩次轟擊錫液滴產生 13.5nm 波長光線)。光源的關鍵技術參數有脈沖頻率、持續時間、單個脈沖能及其穩定性、輸出功率等;其中功率決定光刻機的產能,最新型的光源功率已達 120w。采用短波長采用短波長光源光源設計的設備通常能獲得較高的分辨率。設計的設備
26、通常能獲得較高的分辨率。謹請參閱尾頁重要聲明及財通證券股票和行業評級標準 10 行業深度分析報告/證券研究報告 266nm 紫外激光器 光線波長對應不同材料的光學性能 數據來源:Toptica 官網,財通證券研究所 數據來源:Euv litho 官網,財通證券研究所 量檢測設備與光刻機使用的光源性能存在較大區別,主要原因為:光刻過程中激光直接照射掩膜版與光刻膠,量檢測過程中量檢測過程中,光罩檢測會照射掩膜版,其他量測,光罩檢測會照射掩膜版,其他量測的的激光的照射對象激光的照射對象通常通常為硅、硅化物、金屬等為硅、硅化物、金屬等,其光學屬性存在較大區別;其次工作目的不同,光刻曝光過程直接改變光刻
27、膠的理化性質;量檢測需盡可能避免對集成電路結構的改變或損傷,故其激光能量一般低于光刻用準分子激光。掩膜版檢測采用 13.5nm/193nm 波長激光(與光刻準分子激光波長一致),其他量檢測則其他量檢測則廣泛采用廣泛采用 532/355/266/213nm 波長的紫外或深紫外光波長的紫外或深紫外光。266 納米波長光源產生原理圖 數據來源:Global Gaap,財通證券研究所 光刻光刻機使機使用用氣態氣態準分子激光,準分子激光,量檢測設備通常采用量檢測設備通常采用全固態激光全固態激光。全固態激光具有線寬窄、體積小、穩定性高、光束質量好等優點。以 266nm 深紫外全固態激光為例,其產生方式為:
28、摻釹的釔晶體產生 1064nm 波長的近紅外激光,再經由 BBO、LBO、KBBF 等晶體的和頻或倍頻,將波長縮短為原來的 1/4,最終得到 266nm 波長的激光。類似的原理,近紅外激光三倍頻即 1064nm 波長除以 3 可得到 355nm波長激光。謹請參閱尾頁重要聲明及財通證券股票和行業評級標準 11 行業深度分析報告/證券研究報告 激光激勵的寬光譜等離子體(LSP)光源 數據來源:KLA 公司官方頻道,EUV litho,財通證券研究所 晶圓表面缺陷尺寸小、晶圓表面缺陷尺寸小、缺陷物質缺陷物質種類多種類多,高檢出率需要,高檢出率需要檢測檢測光源須同時具備高亮光源須同時具備高亮度、寬光譜
29、范圍等特點度、寬光譜范圍等特點。為滿足上述需求,。為滿足上述需求,激光維持等離子體激光維持等離子體(LSP)光源應運而生光源應運而生,廣泛應用于明場缺陷檢測設備中。廣泛應用于明場缺陷檢測設備中。LSP 光源利用導入的外部激光和曲面聚焦收集鏡,形成外部激光輻射場。高壓 Xe 燈中激光與電離氣體相互作用產生的等離子體,從聚焦在等離子體區域的外部激光輻射場中吸收能量,維持在接近熱力學平衡狀態;等離子在內部的電子躍遷過程中發出等離子激光。LSP 光源體積小、能量沉積效率高,同等功率下光源發光強度高,且壽命更長。2016-2022 年全球激光器市場規模(億美元)2020 年全球激光器應用領域 數據來源:
30、中商情報網,財通證券研究所 數據來源:Laser Focus World,財通證券研究所 激光器廣泛應用在多個行業,如上圖,全球激光器市場規模從 2016 年的 107.5 億美元增長至 2020 年的 160.1 億美元,年均復合增長率達 10.47%。光刻用激光器光刻用激光器2020 年市場規模為年市場規模為 12.75 億美元億美元。隨著 EUV 光刻機全球出貨量快速增長,DUV光刻機需求旺盛,用于產生 EUV 光的 CO2 光源、DUV 用準分子光源,有望推動光刻用激光器市場規模持續擴大。量檢測量檢測設備設備用激光器需求規模也有望同步用激光器需求規模也有望同步增長增長。107.5137
31、.7149.4147.2160.1184.8201-10.00%0.00%10.00%20.00%30.00%40.00%50.00%0501001502002502016 2017 2018 2019 2020 2021E2022E市場規模市場規模YOY 謹請參閱尾頁重要聲明及財通證券股票和行業評級標準 12 行業深度分析報告/證券研究報告 2.3 相機相機:半導體半導體光學設備光學設備的的目明目明之眼之眼 晶圓晶圓缺陷檢測缺陷檢測過程過程中,中,所需所需光學信號獲取光學信號獲取,多數,多數由時域延遲由時域延遲積分積分(TDI)相機相機完成。完成。TDI 相機以“線”為單位進行圖像采集。TD
32、I 相機的原型單線掃描相機只有一行感光像素,隨著檢測速度的提高,相機的曝光時間被不斷縮短,多線感光的 TDI線掃描相機逐漸成為主流。新型 TDI 線掃描相機最多有 256 階,綜合各線的影像數據,可可獲得最大獲得最大 256 倍靈敏度的圖像倍靈敏度的圖像,從而從而滿足低光照條件(滿足低光照條件(尤其是尤其是暗場)暗場)環環節下的節下的量檢測工藝量檢測工藝。使用 TDI 相機也可改善環境條件惡劣,引起信噪比太低的不利因素。此外,采集速度達 90180fps 的高速大面陣工業相機,在高端半導體 3D測量也有使用。TDI 相機原理及市場概況 數據來源:濱松光學官網,Sukhamburg 官網,Pho
33、tonics 官網,SDKI,財通證券研究所 TDI 相機屬于工業相機的分支,相機屬于工業相機的分支,2022 年市場規模約為年市場規模約為 2.5 億美元,億美元,主要廠商包括日本的濱松光學,德國 vieworks 公司,加拿大 teledyne 等。CIS 芯片為 TDI 芯片的核心元件。根據 yole 統計,2021 年軍工/航天(包含科學儀器)CIS 芯片市場規模約為 4 億美元,行業前六名分別為 Teledyne(41.5%)、onsemi(安森美 15.46%)、BAE Fairchild(8.46%)、Hamamatsu(濱松 6.78%)、Sony(索尼 6.49%)、長光芯辰
34、(6.24%)。謹請參閱尾頁重要聲明及財通證券股票和行業評級標準 13 行業深度分析報告/證券研究報告 半導體量檢測用工業相機結構圖 數據來源:Thorlabs 官網,財通證券研究所 當前 TDI 線掃描相機圖像傳感器輸出分辨率已經達到了 24K,面掃描相機分辨率達 2 億像素以上,數據位寬也從最初的 8bi 逐步發展到 10bit 乃至 16bit。搭載了FPGA 和 DRAM 芯片的工業相機,其前端嵌入式運算能力進一步加強,更多的復雜計算可以在相機端實現。借助像素位移技術和超分辨率算法,借助像素位移技術和超分辨率算法,相機相機可實現可實現 4 倍倍或或更高分辨率的圖像合成更高分辨率的圖像合
35、成:例如在 1.5 億圖像傳感器基礎上,實現 6 億分辨率的圖像輸出。光學量檢測設備之外:先進封裝與三維集成電路先進封裝與三維集成電路技術,技術,對對穿透力強穿透力強又無損又無損的的 X 射射線線檢測檢測設備需求旺盛設備需求旺盛。相比于面陣相機,TDI 相機可極大提高 X 射線檢測效率,還可部分避免照射角度引起的圖像形變,在信號弱環境下也可以采集高信噪比圖像。TDI 相機在 X 射線檢測中優勢明顯,需求規模也有望進一步擴大。雙能 X 射線檢測用 TDI 設備原理圖(雙傳感器)X 射線檢測效果圖 數據來源:濱松光學官網,財通證券研究所 數據來源:伯東國際通商官網,財通證券研究所 謹請參閱尾頁重要
36、聲明及財通證券股票和行業評級標準 14 行業深度分析報告/證券研究報告 TDI 相機的應用也存在一些局限:其成像原理對鏡頭和光源要求較高,加大了系統開發的難度和成本;TDI 相機需要運動控制與反饋系統支持,掃描過程中被檢掃描過程中被檢測物體需接近勻速運動測物體需接近勻速運動,否則圖像精度可能降低,最終影響量檢測的精度。TDI相機相機對運動精度和速度的要求,需要通過先進的運動對運動精度和速度的要求,需要通過先進的運動平平臺臺系統系統實現。實現。2.4 運動運動平平臺臺系統系統與組件與組件:精準移動精準移動定位關鍵定位關鍵 光刻光刻與量檢測過程中的與量檢測過程中的精確精確定位和位移定位和位移,由,
37、由高精密運動平臺高精密運動平臺(光刻機中稱雙工件(光刻機中稱雙工件臺臺)系統系統實現實現。運動平臺系統具備工裝夾取、移載、定位等功能,也可用于晶圓鍵合、晶圓切割等工藝。以負責曝光過程中晶圓移動的光刻機工件臺為例,其具備高速、大行程、六自由度的納米級超精密運動的能力。光刻機工件臺由光刻機工件臺由 ASML、尼康、佳能等公司尼康、佳能等公司自制自制,量檢測設備,量檢測設備用用運動運動平平臺由臺由 Aerotech,Newport,德國,德國 PI等第三方供應商供應。等第三方供應商供應。海外運動平臺產業格局 數據來源:各公司官網,ASML 公開展示材料,SageJournals,Researchan
38、d Markets,Liner Motion Tips,財通證券研究所 以光刻工件臺例,運動平臺采用了多項特殊設計,以滿足半導體光學的工藝要求。高度輕量化高度輕量化:為降低運動慣量,減輕電機負載,提高運動效率,運動平臺普遍采用輕量化結構設計,輕量化最高可達到 90%;高形位精度高形位精度:為實現高精度運動和定位,運動臺結構具有極高的形位精度;高尺寸穩定性高尺寸穩定性:運動臺結構件不易因為溫度或力度而變形;清潔無污染清潔無污染:運動臺具有極低的摩擦系數,動能損失小,無磨削顆粒的污染。上述上述特殊特殊設計設計,需要需要激光干涉激光干涉/平面光柵平面光柵測量,特種光學元件加測量,特種光學元件加工,先
39、進材料,多層壓電驅動器等多項關鍵技術工,先進材料,多層壓電驅動器等多項關鍵技術支持支持。謹請參閱尾頁重要聲明及財通證券股票和行業評級標準 15 行業深度分析報告/證券研究報告 平面光柵干涉(左)與激光干涉(右)工件臺定位 數據來源:ASML 公開展示材料,各公司官網,面向光刻機晶圓臺的超精密光柵定位技術(朱俊豪,汪盛通,李星輝),財通證券研究所 激光干涉儀激光干涉儀以激光波長為基準,具有高精度和可溯源性。測量運動平臺多自由度位移,需采用多臺激光干涉儀,搭建多自由度測量系統。美國美國 Keysight 公司(原公司(原Agilent 公司)和公司)和 Zygo 公司為光刻用干涉儀的公司為光刻用干
40、涉儀的重要重要供應商供應商。激光干涉儀定位存在光路較長的缺點,受環境影響會導致的納米級的誤差,正被光柵干涉法部分替代。光柵干涉儀光柵干涉儀以光柵的柵距為基準,利用光柵的衍射效應實現對工件臺的單點多自由度測量。由于光柵儀的光路較短,環境適應性強,可滿足 3-5nm 制程光刻機超精密定位的需求。ASML 公司采用德國公司采用德國海德漢海德漢公司的公司的四光柵四光柵-四讀數頭四讀數頭技術。技術。方鏡結構圖 碳化硅陶瓷方鏡和工件臺 數據來源:ZEISS 官網,財通證券研究所 數據來源:中國建筑材料科學研究總院,財通證券研究所 謹請參閱尾頁重要聲明及財通證券股票和行業評級標準 16 行業深度分析報告/證
41、券研究報告 光刻機工件臺的方鏡方鏡用于承載晶圓,同時也是多軸激光干涉儀的目標反射鏡,對于精確定位至關重要。方鏡對反射面的面形精度、位置精度、整體剛度等都具有極高的要求,對其參數測量需要 20 余種通用及專用測量儀器。原材料方面,工件臺本體常采用鋁合金或碳化硅鋁合金或碳化硅(采用碳化硅的性能優于鋁合金);殷鋼作為測量系統的基座;機械和熱學性能出色的肖特微晶玻璃肖特微晶玻璃用于制造方鏡。微晶玻璃在 EUV 光刻中容易破損導致精度下降;其在維持剛度時需增加厚度,無法實現輕量化;堇青石堇青石或碳化或碳化硅硅陶瓷陶瓷未來有望成為替代材料。壓電陶瓷系列產品 數據來源:PI 公司官網,財通證券研究所 多層多
42、層壓電驅動壓電驅動是另一項關鍵技術:是另一項關鍵技術:對壓電陶瓷施加電壓,其會產生位移形變,具有納米級位移分辨率,且響應快、體積小、扭力大、無電磁干擾的優勢。多層壓電驅動應用在鏡片微調、掩模臺或運動臺位置調整、主動減振等環節。德國 PI 公司的壓電驅動器位移精度可達亞納米級、響應時間達到微秒量級,分辨率及穩定性出色。其他廠商有 Thorlabs、NEC/TDK 等。壓電陶瓷調節運動臺位置 壓電陶瓷調節鏡片位置 數據來源:廣億科技官網,財通證券研究所 數據來源:多層壓電驅動器在光刻機中的應用(杜剛等),財通證券研究所 謹請參閱尾頁重要聲明及財通證券股票和行業評級標準 17 行業深度分析報告/證券
43、研究報告 相比相比 DUV 光刻機光刻機 300 片的片的 WPH(Wafer per Hour 每小時晶圓產能每小時晶圓產能)。國產 2Xnm節點無圖形晶圓缺陷檢測設備的 WPH 約為 25;單腔膜厚設備的 WPH 約為 80;暗場有圖形晶圓缺陷檢測設備的 WPH 為數十片每小時;電子束設備/明場有圖形缺陷檢測設備的 WPH 更低。由于產能較少,由于產能較少,相同精度等級下相同精度等級下量檢測設備量檢測設備運動運動平平臺臺的位移和測量工作量的位移和測量工作量少,技術難點相對少。少,技術難點相對少。3 精密光學精密光學制造制造:半導體光學半導體光學上游核心上游核心 3.1 精密光精密光學學制造
44、制造:半導體光學設備核心部件誕生:半導體光學設備核心部件誕生地地 精密光學精密光學制造制造居于居于半導體光學產業鏈位半導體光學產業鏈位的的核心地位,支撐幾乎所有半導體光學元核心地位,支撐幾乎所有半導體光學元件的生產件的生產。除用于半導體領域外,工業級精密光學制造主要服務于航空航天、生命科學及醫療、無人駕駛、生物識別、AR/VR 檢測設備等產業。半導體領域,極紫外光刻正成為集成電路制造的核心技術,對光學元件面型精度的要求達到/200,表面粗糙度低于 0.1nm,這些指標達到或超過了當前精密光學加工技術的極限,屬于超精密級別。德國、日本、美國占據超精密光學制造技術制高點,德國蔡司是半導體全球光學代
45、表性企業。超精密光學制造由超精密光學超精密光學加工、超精密光學加工、超精密光學鍍膜、鍍膜、超精密光學檢測超精密光學檢測、超精密裝調超精密裝調等環節構成。等環節構成。半導體量檢測設備光學系統 光刻機物鏡的組裝結構件 數據來源:KLA 官方頻道,財通證券研究所 數據來源:IPCEI 官網,財通證券研究所 超精密光學超精密光學加工是加工是光學元件光學元件的成形工序的成形工序,其,其技術技術路線路線分為觸式和非接觸式兩大類分為觸式和非接觸式兩大類。在接觸式制造技術中,最具代表性的方法是數控研磨拋光(CCP),單點金剛石切削以及磁流變拋光(MRF)技術。在非接觸制造中,主要方法包括磨料射流拋光、等離子體
46、成型和離子束拋光等技術。數控加工技術、計算機輔助設計等新技術,正被逐步運用到超精密光學加工領域,大幅提升生產效率和品質保證能力,古典法拋光工藝正被逐漸取代。謹請參閱尾頁重要聲明及財通證券股票和行業評級標準 18 行業深度分析報告/證券研究報告 超精密光學加工中的低頻誤差(空間周期長度 33mm)會影響光學系統的聚焦能力,引入波像差從而降低系統分辨率;中頻誤差(空間周期長度 0.12-33mm)會引入小角度的散射,降低峰值強度且會顯著增大光斑尺寸,降低圖像的清晰度;高頻誤差(空間周期長度小于 0.12mm)則會使系統信噪比降低,導致像質惡化。故故超精密光學加工超精密光學加工對精度的要求極為苛刻對
47、精度的要求極為苛刻。蔡司公司超精密光學模組的生產流程 數據來源:ZEISS 官網,ASML 公開展示材料,IPCEI 官網,財通證券研究所 超精密光學表面超精密光學表面鍍膜鍍膜工序,可工序,可提高提高光學元件光學元件透透射射/反射反射/偏振偏振/強激光耐受等能強激光耐受等能力力。精密光學元件向功能集成化和高精度方向發展,其偏振分光、減反射、光譜波長準確定位(納米級)等性能只能通過鍍膜來實現。鍍膜主要方法包括:等離子體鍍膜、離子束鍍膜、激光束鍍膜、化學氣相薄膜沉積等。集成電路制造所采用的原子層沉積等鍍膜技術也被逐步采用,提升效率和良品率、降低成本效果明顯。謹請參閱尾頁重要聲明及財通證券股票和行業
48、評級標準 19 行業深度分析報告/證券研究報告 超精密超精密光學光學裝調裝調,負責將光學元件組裝成光學系統,是另一項核心技術負責將光學元件組裝成光學系統,是另一項核心技術。完整的裝調工序包括精密光學系統的裝配、測試、像質補償流程。以光刻機物鏡為例,光學元件裝配間隔誤差、偏心誤差需控制在1m 以內;通過計算機輔助裝調及系統級元件精修,使波像差、畸變等像質的指標滿足要求。裝調工序需要測試設備的支持,測試內容包括傳遞函數測試、激光光譜測試、鏡片厚度測試、鏡片位置測試、物鏡系統波像差測試等。高精度中心偏測試儀、高精度車削的立式裝校車高精度中心偏測試儀、高精度車削的立式裝校車床、鏡片定位儀床、鏡片定位儀
49、,是超精光學裝校的關鍵設備。是超精光學裝校的關鍵設備。超精密光學測量輔助加工工序 數據來源:ZEISS 官網,ASML 公開展示材料,財通證券研究所 超精密光學檢測超精密光學檢測/測量測量技術技術是另一項挑戰是另一項挑戰。自動化檢測設備通過信號采集和軟件分析,可無接觸式自動判斷面形和加工精度,準確度高。傳統的光學樣板接觸式檢驗(接觸對元件表面有污染和損傷)和個人主觀判斷檢驗法,被快速取代。光學加工檢測設備主要包括平面干涉儀、球面干涉儀、高精度分光光度計、拼接式干涉測量儀等。其中,面型檢測主要使用輪廓儀和面型檢測主要使用輪廓儀和斐索干涉儀斐索干涉儀,粗糙度檢測主要使粗糙度檢測主要使用原子力顯微鏡
50、和用原子力顯微鏡和白光干涉白光干涉儀器。儀器。超精密光學檢測在保障光學元件質量的同時,為數控加工系統提供大量光學元件的實時數據參數,輔助指導拋光/鍍膜/修型等工藝。因此,光學檢測精度一定程度因此,光學檢測精度一定程度決定了加工精度。決定了加工精度。謹請參閱尾頁重要聲明及財通證券股票和行業評級標準 20 行業深度分析報告/證券研究報告 3.2 光學設備光學設備與材料與材料:微納雕琢的刻刀與精粹微納雕琢的刻刀與精粹 以蔡司為例,早期半導體光學制造的主要方式為早期半導體光學制造的主要方式為“金手指”“金手指”模式模式:人工經驗判斷:人工經驗判斷+手工拋光。手工拋光。但伴隨半導體光學產業對鏡片精度的要
51、求不斷提升,傳統的手工生產方式效率低下、加工精度和穩定性不可控、人員培訓困難的問題日益嚴峻。手工拋光的缺點,導致蔡司 1980s 為美國 GCA 公司生產的 g 線鏡頭出現大量質量問題,嚴重損害了 GCA 公司和蔡司的聲譽,蔡司也陷入經營危機。蔡司于 1990s 正式引入拋光機器人拋光機器人+干涉儀結合干涉儀結合的生產方式,協助公司發展逐步走上正軌;這種生產方式也成為半導體超精密光學制造的主流方式。蔡司早期手工生產線 蔡司的現代化生產線 數據來源:藍海精密官網,財通證券研究所 數據來源:Industrieanzeiger,財通證券研究所 磁流變拋光磁流變拋光機機是 1980s 發展起來的一種數
52、控高端光學制造設備。美國美國 QED 公司公司的磁流變拋光機的磁流變拋光機受到海外嚴格的出口限制受到海外嚴格的出口限制。其原理為:磁流變液進入拋光區后,在磁場作用下成為粘塑性的介質,作為“柔性拋光頭”;其與光學零件表面接觸時會產生很大的剪切力,從而實現對拋光對象材料的穩定去除。相比于數控銑磨(精度低)、數控小磨頭拋光(拋光函數不穩定)、應力盤拋光(多適用于大尺寸),磁流變拋光技術具有應用范圍廣、亞表面損傷小、加工精度高、面形收斂效率高等特點,廣泛應用于半導體超精密光學鏡片生產中。謹請參閱尾頁重要聲明及財通證券股票和行業評級標準 21 行業深度分析報告/證券研究報告 離子束修形拋光機是另一種先進
53、光學加工設備,主要用于光學表面的誤差修正。離子束修形拋光機是另一種先進光學加工設備,主要用于光學表面的誤差修正。離子束修形能在原子量級上無應力、非接觸式地拋光離子束修形能在原子量級上無應力、非接觸式地拋光,其原理是:在真空狀態下利用離子源發出離子束來轟擊光學表面,光學表面的原子在獲得足夠能量后將擺脫面的束縛,產生物理濺射,實現原子量級材料去除。離子束拋光具有高確定性和高穩定性,同時不存在邊緣效應以及表面和亞表面損傷的問題,但是去除效率但是去除效率較低較低。德國 NTG 公司是離子束拋光設備的重要供應商。光學鍍膜設備種類較多,有化學氣相沉積、離子束/等離子濺射、原子層沉積等多個細分類。德國布勒萊
54、寶、日本光馳、日本新科隆為德國布勒萊寶、日本光馳、日本新科隆為重要重要鍍膜設備供應商。鍍膜設備供應商。超精密光學制造使用的主要設備 數據來源:中科院光電技術研究所,國科精密,NTG 官網,布勒萊寶光學官網,斯圖加特大學官網,財通證券研究所 超精密光學檢測設備主要包括三三坐標測量坐標測量儀儀,(用在銑磨階段,測量精度通常 10m左右);激光跟蹤儀激光跟蹤儀和接觸式輪廓測量儀接觸式輪廓測量儀(研磨階段使用,誤差 1m 左右);夏克夏克-哈特曼傳感器哈特曼傳感器(用于初拋光階段,誤差亞微米量級)等。斐索干涉儀斐索干涉儀是一種雙光束干涉儀,利用參考光束和測試光束生成干涉條紋,再利用相位恢復算法從干涉條
55、紋中得出被測面的面形誤差。斐索干涉儀測量精度高,最高可達納米等級,采樣點豐富,測量周期短,在光學件面形高精度檢測工序中被廣泛采用。美國美國 QED 公司公司、Zygo 公司公司是是重要重要的的干涉儀供應商。干涉儀供應商。謹請參閱尾頁重要聲明及財通證券股票和行業評級標準 22 行業深度分析報告/證券研究報告 德國肖特公司的高端光刻用微晶玻璃 德國肖特公司 iline 玻璃 數據來源:肖特官網,財通證券研究所 數據來源:肖特官網,財通證券研究所 微晶玻璃是微晶玻璃是光刻機中光刻機中鏡片的主要原材料鏡片的主要原材料。光刻過程中鏡片會吸收光的能量產生熱像差。微晶玻璃具有低熱膨脹的特性,可最大限度地減少
56、鏡片形變從而保證光學成像精度;其也可制成各種尺寸和形狀,甚至是尺寸達 4.25 米的大型光學鏡片。氟化鈣氟化鈣晶晶體體具有紫外波段透過率高、恒定的平均折射率和局部折射率、物理化學性能穩定等特點,是光刻機光學系統中的核心光學材料之一。氟化鈣原本預計成氟化鈣原本預計成為為 157nm 光刻機鏡片的主要光刻機鏡片的主要原材料,但是因為原材料,但是因為 157nm 光刻方案被廢棄而沒有最光刻方案被廢棄而沒有最終實現。終實現。我國深紫外光刻級 CaF2 晶體目前高度依賴進口。4 國產半導體光學產業鏈國產半導體光學產業鏈:多個賽道多個賽道充分充分發力發力 我國半導體光學產業鏈起步較晚,但在“極大規模集成電
57、路制造”等重大專項,激光核聚變/空天望遠鏡等國家大光學工程,及民用領域市場需求的共同驅動下,我國半導體光學產業進步較快。光刻與明場量檢測設備在覆蓋光刻與明場量檢測設備在覆蓋 90-65 納米的基礎納米的基礎上上,28 納米制程納米制程設備設備穩步穩步推進推進,下一代全新原理半導體光學設備的預研也已展開。新原理光刻用量檢測與真空設備 新原理光刻非球面鏡表面檢測 數據來源:EUV Litho,財通證券研究所 數據來源:EUV Litho,財通證券研究所 謹請參閱尾頁重要聲明及財通證券股票和行業評級標準 23 行業深度分析報告/證券研究報告 科益虹源已擁有 248/193nm 光刻機用準分子激光器;
58、英諾激光英諾激光推出 266nm 量檢測用激光器;杰普特、大族激光杰普特、大族激光的的激光器在退火/劃片/光電檢測領域得到運用;福晶福晶科技科技生產激光器用的晶體元件;愛科賽博愛科賽博參與光刻機潛在技術路線同步輻射光源的建設。??乒怆?,凌云光,長光辰芯??乒怆?,凌云光,長光辰芯,奧普特奧普特生產的工業相機或 CIS 芯片,可用于半導體量檢測/科學儀器領域。??乒怆姷墓I相機產品在半導體檢測領域已有出??乒怆姷墓I相機產品在半導體檢測領域已有出貨貨。中國超精密光學主要產業鏈情況 數據來源:各公司官網,CIOE 官網,財通證券研究所 華卓精科可用于干式 ArF 光刻機的工件臺已完成研發并出貨,更先
59、進的工件臺研發中。華卓精科也是中科飛測供應運動平臺的供應商。其他國產運動平臺企業包括上海隱冠半導體、無錫星微科技、天津三英精控、無錫地心科技、深圳克洛諾斯等。蘇大維格蘇大維格生產工件臺定位用光柵尺,其精度等級滿足 28nm 或更高級別的技術需求。光學制造方面,國望光學、國科精密承擔光刻機光學系統研發制造任務,已成功研制 90/110nm 節點投影物鏡,為我國半導體超精密光學制造領先企業。茂萊光茂萊光學、波長光電、炬光科技、福光股份、福晶科技、騰景科技、奧普光電學、波長光電、炬光科技、福光股份、福晶科技、騰景科技、奧普光電具備部分超精密光學元件加工能力。謹請參閱尾頁重要聲明及財通證券股票和行業評
60、級標準 24 行業深度分析報告/證券研究報告 我國高端光學制造裝備發展路線圖 據來源:高端光學元件超精密加工技術與裝備發展研究(蔣莊德等),財通證券研究所 光學設備方面:國內科研機構和院校在磁流變拋光機、離子束拋光機等部分專用設備已取得突破。但以 04 專項實施完畢后的狀態來判斷,我國機床行業與國際先進水平仍有 15 年左右的差距。光學原材料方面:成都光明等四川企業為我國高端光學玻璃原材料主要生產商,正不斷向半導體光學領域發力突破。謹請參閱尾頁重要聲明及財通證券股票和行業評級標準 25 行業深度分析報告/證券研究報告 5 投資建議投資建議 光刻機大部件生產商均為非上市企業,但在光刻機大部件更上
61、游/其他小型光學元件生產環節,有多家上市公司參與;此外,多家上市公司為國產量檢測設備供應重要光學元件。伴隨國產量檢測設備出貨量快速增長,國產光刻設備研發穩步推進,相關企業半導體光學業營收與利潤有望快速增長。建議關注英諾激光、大族激光、杰普特、??乒怆?、奧普特、凌云光、蘇大維格英諾激光、大族激光、杰普特、??乒怆?、奧普特、凌云光、蘇大維格等光學元件企業,與茂萊光學、波長光電、福晶科技、騰景科技、炬光科技、福茂萊光學、波長光電、福晶科技、騰景科技、炬光科技、福光股份、奧光股份、奧普光電普光電等精密光學加工企業。謹請參閱尾頁重要聲明及財通證券股票和行業評級標準 26 行業深度分析報告/證券研究報告
62、6 風險提示風險提示 半導體光學產品半導體光學產品需求不及預期:需求不及預期:半導體光學設備企業的產出規模,決定半導體光學產品的市場需求。2024 年全球半導體市場景氣度復蘇存在不確定性,可能導致半導體光學部件需求不及預期,拖累相關公司業績。技術技術研發不及預期:研發不及預期:高端半導體光學產品存在較高的技術和驗證壁壘,需要下游光學設備廠密切配合,新產品的研發進度存在不確定性;若研發驗證或客戶導入進度慢,可能會對相關公司的業績造成不利影響。海外供應鏈風險:海外供應鏈風險:半導體光學部件企業有部分上游供應鏈仍依賴海外,若海外出口限制加劇,可能會對國內企業產生不利影響。行業競爭加?。盒袠I競爭加?。?/p>
63、國內有多家企業具備半導體光學產品研發潛力,若未來競爭加劇,可能會影響相關企業盈利能力。謹請參閱尾頁重要聲明及財通證券股票和行業評級標準 27 行業深度分析報告/證券研究報告 分析師承諾分析師承諾 作者具有中國證券業協會授予的證券投資咨詢執業資格,并注冊為證券分析師,具備專業勝任能力,保證報告所采用的數據均來自合規渠道,分析邏輯基于作者的職業理解。本報告清晰地反映了作者的研究觀點,力求獨立、客觀和公正,結論不受任何第三方的授意或影響,作者也不會因本報告中的具體推薦意見或觀點而直接或間接收到任何形式的補償。資質聲明資質聲明 財通證券股份有限公司具備中國證券監督管理委員會許可的證券投資咨詢業務資格。
64、公司評級公司評級 以報告發布日后 6 個月內,證券相對于市場基準指數的漲跌幅為標準:買入:相對同期相關證券市場代表性指數漲幅大于 10%;增持:相對同期相關證券市場代表性指數漲幅在 5%10%之間;中性:相對同期相關證券市場代表性指數漲幅在-5%5%之間;減持:相對同期相關證券市場代表性指數漲幅小于-5%;無評級:由于我們無法獲取必要的資料,或者公司面臨無法預見結果的重大不確定性事件,或者其他原因,致使我們無法給出明確的投資評級。A 股市場代表性指數以滬深 300 指數為基準;香港市場代表性指數以恒生指數為基準;美國市場代表性指數以標普 500 指數為基準。行業評級行業評級 以報告發布日后 6
65、 個月內,行業相對于市場基準指數的漲跌幅為標準:看好:相對表現優于同期相關證券市場代表性指數;中性:相對表現與同期相關證券市場代表性指數持平;看淡:相對表現弱于同期相關證券市場代表性指數。A 股市場代表性指數以滬深 300 指數為基準;香港市場代表性指數以恒生指數為基準;美國市場代表性指數以標普 500 指數為基準。免責聲明免責聲明 。本公司不會因接收人收到本報告而視其為本公司的當然客戶。本報告的信息來源于已公開的資料,本公司不保證該等信息的準確性、完整性。本報告所載的資料、工具、意見及推測只提供給客戶作參考之用,并非作為或被視為出售或購買證券或其他投資標的邀請或向他人作出邀請。本報告所載的資
66、料、意見及推測僅反映本公司于發布本報告當日的判斷,本報告所指的證券或投資標的價格、價值及投資收入可能會波動。在不同時期,本公司可發出與本報告所載資料、意見及推測不一致的報告。本公司通過信息隔離墻對可能存在利益沖突的業務部門或關聯機構之間的信息流動進行控制。因此,客戶應注意,在法律許可的情況下,本公司及其所屬關聯機構可能會持有報告中提到的公司所發行的證券或期權并進行證券或期權交易,也可能為這些公司提供或者爭取提供投資銀行、財務顧問或者金融產品等相關服務。在法律許可的情況下,本公司的員工可能擔任本報告所提到的公司的董事。本報告中所指的投資及服務可能不適合個別客戶,不構成客戶私人咨詢建議。在任何情況下,本報告中的信息或所表述的意見均不構成對任何人的投資建議。在任何情況下,本公司不對任何人使用本報告中的任何內容所引致的任何損失負任何責任。本報告僅作為客戶作出投資決策和公司投資顧問為客戶提供投資建議的參考??蛻魬敧毩⒆鞒鐾顿Y決策,而基于本報告作出任何投資決定或就本報告要求任何解釋前應咨詢所在證券機構投資顧問和服務人員的意見;本報告的版權歸本公司所有,未經書面許可,任何機構和個人不得以任何形式翻版、復制、發表或引用,或再次分發給任何其他人,或以任何侵犯本公司版權的其他方式使用。信息披露信息披露