《半導體行業跟蹤報告之十三：半導體設備刻蝕和薄膜舉足輕重關注中微拓荊華創-240403（54頁）.pdf》由會員分享，可在線閱讀，更多相關《半導體行業跟蹤報告之十三：半導體設備刻蝕和薄膜舉足輕重關注中微拓荊華創-240403（54頁）.pdf（54頁珍藏版）》請在三個皮匠報告上搜索。

1、證券研究報告證券研究報告 半導體設備：刻蝕和薄膜舉足輕重，關注中微拓荊華創半導體設備：刻蝕和薄膜舉足輕重，關注中微拓荊華創 2024年4月3日 作者：作者：劉凱劉凱 執業證書編號：執業證書編號：S09305S093051711710000200002 于于文文龍龍 執業證書編號：執業證書編號：S0930522100002S0930522100002 聯系人：黃筱茜聯系人：黃筱茜 半導體行業跟蹤報告之十三 請務必參閱正文之后的重要聲明 目錄目錄 2 1 1、刻蝕和薄膜沉積設備至關重要、刻蝕和薄膜沉積設備至關重要 2 2、刻蝕：、刻蝕：3D NAND3D NAND和先進邏輯制程將大幅提升刻蝕的重要

2、性和先進邏輯制程將大幅提升刻蝕的重要性 3 3、薄膜沉積：在先進邏輯和存儲領域應用廣泛、薄膜沉積：在先進邏輯和存儲領域應用廣泛 4 4、中微公司：中國刻蝕和、中微公司：中國刻蝕和MOCVDMOCVD設備龍頭積極布局薄膜和檢測市場設備龍頭積極布局薄膜和檢測市場 5 5、拓荊科技：中國薄膜沉積設備龍頭卡位鍵合設備市場、拓荊科技：中國薄膜沉積設備龍頭卡位鍵合設備市場 6 6、北方華創：中國半導體設備領軍企業在刻蝕和薄膜領域積累深厚、北方華創：中國半導體設備領軍企業在刻蝕和薄膜領域積累深厚 7 7、投資建議：重點關注中微公司、投資建議：重點關注中微公司/拓荊科技拓荊科技/北方華創北方華創 8 8、風險

3、提示、風險提示 PBlWiYcUjWlXkXaQ8QaQsQoOmOrNlOpPnRiNqQsR9PnMrQvPtQyQNZmOnN請務必參閱正文之后的重要聲明 3 全球集成電路市場規模保持持續增長趨勢全球集成電路市場規模保持持續增長趨勢。根據Gartner數據，2023年全球集成電路市場規模為5,330億美元，預計2024年將會復蘇至6,300億美元。晶圓廠的產能擴建將引領半導體設備需求的持續增長晶圓廠的產能擴建將引領半導體設備需求的持續增長。根據SEMI預測，在2022年至2026年期間，下游芯片制造廠商將持續擴充產能，以滿足需求增長。2022年全球半導體制造廠商300mm晶圓廠產能每月約

4、為700萬片，預計2026年將增加至每月960萬片的歷史新高。中國大陸也將持續推動300mm前端晶圓廠產能增長，將全球份額從2022年的22%增加到2026年的25%，達到每月240萬片晶圓。20232023年全球集成電路前道設備市場約為年全球集成電路前道設備市場約為950950億美元億美元，同比增長同比增長0 0.9 9%。中國大陸、中國臺灣地區和韓國是最大的區域市場，其中中國大陸市場規模約為330億美元，占比超過1/3；中國臺灣地區市場規模為179億美元，占比約為19%。圖圖 1 1：全球集成電路市場規模變化（單位：億美元）全球集成電路市場規模變化（單位：億美元）資料來源：Gartner，

5、中微公司2023年年報 1.11.1、20232023年中國大陸持續成為全球最大的集成電路設備市場年中國大陸持續成為全球最大的集成電路設備市場 圖圖 2 2：20232023年集成電路前段設備全球年集成電路前段設備全球市場市場規模分布規模分布 資料來源：SEMI，中微公司2023年年報 請務必參閱正文之后的重要聲明 4 1.11.1、20112011-20212021年前道各種設備刻蝕和薄膜設備增長最快年前道各種設備刻蝕和薄膜設備增長最快 圖圖 3 3：20112011年到年到20212021年半導體芯片前道年半導體芯片前道設備市場規模年均設備市場規模年均增速增速 資料來源：Gartner，中

6、微公司2023年半年報 由于光刻機的波長限制，加上存儲器從由于光刻機的波長限制，加上存儲器從2D2D到到3D3D的轉變，等離子體刻蝕設備和化學薄膜設備的市場增長速度超過光刻機和其他設備。的轉變，等離子體刻蝕設備和化學薄膜設備的市場增長速度超過光刻機和其他設備。微觀器件的不斷縮小推動了器件結構和加工制成的革命性變化，存儲器件從 2D 到 3D的轉換，使等離子體刻蝕和薄膜制程成為最關鍵的步驟，對這兩類設備的需求量大大增加。光刻機由于波長的限制，更小的微觀結構要靠等離子體刻蝕和薄膜的組合拳“二重模板”和“四重模板”工藝技術來加工，刻蝕機和薄膜設備的重要性不斷提高，近年來市場的年平均增長速度遠高于其他

7、的設備。根據根據GartnerGartner，干法刻蝕和化學薄膜設備在，干法刻蝕和化學薄膜設備在20112011到到20212021年間市場規模年均增速為年間市場規模年均增速為16.39%16.39%和和13.41%13.41%。請務必參閱正文之后的重要聲明 5 1.21.2、A A股半導體設備重點公司銷售額市場占比較低股半導體設備重點公司銷售額市場占比較低 表表 1 1：1818家家A A股股半導體設備重點公司在我國半導體設備市場的份額測算半導體設備重點公司在我國半導體設備市場的份額測算 資料來源：Wind，SEMI，光大證券研究所 注：1）全球及中國半導體設備銷售額2018-2022年數據

8、來源為Wind,2023年數據來源為SEMI；2）按人民幣：美元2018-2023年平均匯率為7:1進行銷售額的折算；3）我們選擇中微公司、北方華創、精測電子、至純科技、芯源微、盛美上海、拓荊科技、華海清科、中科飛測、微導納米、萬業企業、富創精密、美?？萍?、光力科技、長川科技、華峰測控、深科達、金海通共18家A股上市公司作為我國半導體設備重點公司的樣本；4）截至2024年4月2日，重點公司中僅中微公司、盛美上海發布2023年年報。20182018 20192019 20202020 20212021 20222022 20232023 半導體設備業務營收口徑半導體設備業務營收口徑 全球半導體設

9、備銷售額（單位：億美元）全球半導體設備銷售額（單位：億美元）645 598 712 1,026 1,076 1,056 中國半導體設備銷售額（單位：億美元）中國半導體設備銷售額（單位：億美元）131 135 187 296 282 363 全球半導體設備銷售額（單位：億元）全球半導體設備銷售額（單位：億元）4,517 4,183 4,983 7,185 7,535 7,392 中國半導體設備銷售額（單位：億元）中國半導體設備銷售額（單位：億元）917 942 1,311 2,074 1,976 2,538 半導體設備業務營收（單位：億元）半導體設備業務營收（單位：億元）中微公司 13.98 1

10、5.87 17.99 25.07 38.47 51.66 *專用設備 北方華創 25.21 31.91 48.69 79.49 120.84 *電子工藝設備 精測電子 0.05 0.65 1.36 1.83 *半導體 至純科技 0.82 2.18 7.01 7.94 *19-21年半導體設備；22年設備業務 芯源微 2.07 3.18 8.13 13.60 *半導體類設備 盛美上海 5.39 7.44 9.75 15.47 27.56 37.15 *18-20為總營收減去其他業務；21-22年為半導體設備 拓荊科技 0.67 2.47 4.29 7.45 16.86*半導體設備減去其他業務 華

11、海清科 0.32 1.95 3.53 6.94 14.31 *CMP設備 中科飛測-U 0.29 0.55 2.38 3.59 5.03*檢測設備+量測設備 微導納米 0.42 2.16 3.12 4.28 6.84*設備制造 萬業企業 0.58 0.84 0.22 1.23 2.06 *專用設備制造 富創精密 2.18 2.49 4.73 8.29 12.94*18-21年為總營收減去其他業務；22年為半導體行業 美?？萍?6.17 7.75 8.44 10.31 9.81*18-21年為過濾器+風機過濾系統+空氣凈化設備；22年為過濾器 光力科技 0.45 0.46 0.38 2.35 3

12、.21*半導體精密加工類產品 長川科技 2.04 3.63 7.38 14.25 23.71*分選機+測試機 華峰測控 1.98 2.35 3.69 8.21 10.15*測試系統 深科達 0.22 0.4 1.21 2.77 1.94*半導體自動化設備 金海通 0.71 1.82 4.2 4.26*半導體設備 合計 83.92 123.63 210.40 321.36 市場占比市場占比 9%9%9%9%10%10%16%16%請務必參閱正文之后的重要聲明 6 1.21.2、A A股半導體設備重點公司存貨持續增加股半導體設備重點公司存貨持續增加 表表 2 2：A A股半導體設備重點公司股半導體

13、設備重點公司20222022-20232023年各季度末存貨情況（單位：億元）年各季度末存貨情況（單位：億元）資料來源：Wind，光大證券研究所 注：截至2024年4月2日，重點公司中僅中微公司、盛美上海發布2023年年報 2022Q12022Q1 2022Q22022Q2 2022Q32022Q3 2022Q42022Q4 2023Q12023Q1 2023Q22023Q2 2023Q32023Q3 2023Q42023Q4 688012.SH 中微公司 20.95 24.87 32.40 34.02 37.05 38.05 40.91 42.60 002371.SZ 北方華創 97.12

14、107.10 115.74 130.41 150.12 167.28 173.29 300567.SZ 精測電子 10.00 12.03 13.60 13.54 14.08 14.69 15.64 603690.SH 至純科技 12.72 14.00 16.08 17.05 20.68 23.77 28.73 688037.SH 芯源微 10.82 11.66 12.87 12.13 14.40 15.73 16.80 688082.SH 盛美上海 17.28 19.37 23.08 26.90 31.56 33.15 36.05 39.25 688072.SH 拓荊科技 12.94 15.6

15、3 20.90 22.97 27.17 32.88 38.70 688120.SH 華海清科 16.75 19.54 22.54 23.61 23.05 21.91 22.80 688361.SH 中科飛測-U 8.29 0.00 8.61 9.19 9.97 10.68 688147.SH 微導納米 5.73 7.62 9.75 14.48 20.90 28.32 600641.SH 萬業企業 8.02 8.47 9.29 9.00 10.73 11.92 11.76 688409.SH 富創精密 3.98 5.08 5.33 7.00 8.16 8.96 請務必參閱正文之后的重要聲明 7

16、1.21.2、A A股半導體設備重點公司合同負債整體呈現增長態勢股半導體設備重點公司合同負債整體呈現增長態勢 資料來源：Wind，光大證券研究所 注：截至2024年4月2日，重點公司中僅中微公司、盛美上海發布2023年年報 表表 3 3：A A股半導體設備重點公司股半導體設備重點公司20222022-20232023年各季度末合同負債情況（單位：億元）年各季度末合同負債情況（單位：億元）2022Q12022Q1 2022Q22022Q2 2022Q32022Q3 2022Q42022Q4 2023Q12023Q1 2023Q22023Q2 2023Q32023Q3 2023Q42023Q4 6

17、88012.SH 中微公司 15.00 15.94 19.69 21.95 23.20 18.05 13.65 7.72 002371.SZ 北方華創 50.90 56.78 65.12 71.98 78.22 85.86 93.80 300567.SZ 精測電子 0.78 1.71 2.26 1.99 2.17 3.44 3.58 603690.SH 至純科技 2.47 4.47 2.83 2.70 3.03 4.38 4.92 688037.SH 芯源微 4.34 6.28 6.04 5.85 5.20 4.66 3.59 688082.SH 盛美上海 4.43 3.98 6.62 8.2

18、2 9.44 10.16 7.45 8.76 688072.SH 拓荊科技 7.80 10.87 9.22 13.97 16.33 15.06 14.97 688120.SH 華海清科 8.36 10.03 10.64 13.04 13.34 12.65 12.73 688361.SH 中科飛測-U 3.01 0.00 4.85 5.45 5.59 5.27 688147.SH 微導納米 2.91 4.40 6.25 9.48 15.54 19.67 600641.SH 萬業企業 9.15 9.07 9.75 1.89 2.07 4.24 1.52 688409.SH 富創精密 0.33 0.

19、13 0.12 0.37 0.08 0.08 請務必參閱正文之后的重要聲明 目錄目錄 8 1 1、刻蝕和薄膜沉積設備至關重要、刻蝕和薄膜沉積設備至關重要 2 2、刻蝕：、刻蝕：3D NAND3D NAND和先進邏輯制程將大幅提升刻蝕的重要性和先進邏輯制程將大幅提升刻蝕的重要性 3 3、薄膜沉積：在先進邏輯和存儲領域應用廣泛、薄膜沉積：在先進邏輯和存儲領域應用廣泛 4 4、中微公司：中國刻蝕和、中微公司：中國刻蝕和MOCVDMOCVD設備龍頭積極布局薄膜和檢測市場設備龍頭積極布局薄膜和檢測市場 5 5、拓荊科技：中國薄膜沉積設備龍頭卡位鍵合設備市場、拓荊科技：中國薄膜沉積設備龍頭卡位鍵合設備市場

20、 6 6、北方華創：中國半導體設備領軍企業在刻蝕和薄膜領域積累深厚、北方華創：中國半導體設備領軍企業在刻蝕和薄膜領域積累深厚 7 7、投資建議：重點關注中微公司、投資建議：重點關注中微公司/拓荊科技拓荊科技/北方華創北方華創 8 8、風險提示、風險提示 請務必參閱正文之后的重要聲明 9 2.12.1、存儲器件向、存儲器件向3D 3D 結構的轉變使得等離子體刻蝕成最關鍵的加工步驟結構的轉變使得等離子體刻蝕成最關鍵的加工步驟 圖圖 4 4：存儲器件從存儲器件從 2D 2D 到到 3D 3D 結構的轉變使等離子體刻蝕成為最關鍵的加工步驟結構的轉變使等離子體刻蝕成為最關鍵的加工步驟 資料來源：中微公司

21、2023年年報 存儲器件從存儲器件從 2D 2D 到到 3D 3D 結構的轉變使等離子體刻蝕成為最關鍵的加工步驟結構的轉變使等離子體刻蝕成為最關鍵的加工步驟。隨著集成電路芯片制造工藝的進步，線寬關鍵尺寸不斷縮小、芯片結構3D化，晶圓制造向5納米以及更先進的工藝發展。由于目前先進工藝芯片加工使用的光刻機受到波長限制，14納米及以下的邏輯器件微觀結構的加工多通過等離子體刻蝕和薄膜沉積的工藝組合多重模板工藝來實現，使得刻蝕等相關設備的加工步驟增多。由于存儲器技術由二維轉向三維架構，隨著堆疊層數的增加，刻蝕設備和薄膜沉積設備越來越成為關鍵核心的設備。請務必參閱正文之后的重要聲明 10 2.22.2、電

22、感式等離子刻蝕電感式等離子刻蝕ICPICP和電容式等離子刻蝕和電容式等離子刻蝕CCPCCP 圖圖 5 5：電容性等離子體刻蝕反應腔電容性等離子體刻蝕反應腔 資料來源：中微公司2023年年報 圖圖 6 6：電感性等離子體刻蝕反應腔電感性等離子體刻蝕反應腔 資料來源：中微公司2023年年報 等離子體干法刻蝕是目前主流的刻蝕技術。等離子體干法刻蝕是目前主流的刻蝕技術?？涛g可以分為濕法刻蝕和干法刻蝕。濕法刻蝕各向異性較差，側壁容易產生橫向刻蝕造成刻蝕偏差，通常用于工藝尺寸較大的應用，或用于干法刻蝕后清洗殘留物等。等離子體刻蝕設備是一種大型真空的全自動的加工設備，一般由多個真空等離子體反應腔和主機傳遞系

23、統構成。等離子體刻蝕設備的分類與刻蝕工藝密切相關，其原理是利用等離子體放電產生的帶化學活性的粒子，在離子的轟擊下，與表面的材料發生化學反應，產生可揮發的氣體，從而在表面的材料上加工出微觀結構。根據產生等離子體方法的不同，干法刻蝕主要分為電容性等離子體刻蝕和電感性等離子體刻蝕；根據被刻蝕材料類型的不同，干法刻蝕主要是刻蝕介質材料、硅材料和金屬材料。（1）電容性等離子體刻蝕主要是以高能離子在較硬的介質材料上，刻蝕高深寬比的深孔、溝槽等微觀結構；（2）電感性等離子體刻蝕主要是以較低的離子能量和極均勻的離子濃度刻蝕較軟的或較薄的材料。請務必參閱正文之后的重要聲明 11 2.22.2、先進邏輯芯片制程將

24、使刻蝕技術重要性進一步提升先進邏輯芯片制程將使刻蝕技術重要性進一步提升 圖圖 7 7：1010納米多重模板工藝原理，涉及更多次刻蝕納米多重模板工藝原理，涉及更多次刻蝕 資料來源：中微公司2023年年報 隨著國際上先進芯片制程從7-5納米階段向更先進工藝的方向發展，當前光刻機受光波長的限制，需要結合刻蝕和薄膜設備，采用多重模板工藝，當前光刻機受光波長的限制，需要結合刻蝕和薄膜設備，采用多重模板工藝，利用刻蝕工藝實現更小的尺寸，使得刻蝕技術及相關設備的重要性進一步提升。利用刻蝕工藝實現更小的尺寸，使得刻蝕技術及相關設備的重要性進一步提升。請務必參閱正文之后的重要聲明 12 2.22.2、刻蝕技術水

25、平發展狀況及未來發展趨勢刻蝕技術水平發展狀況及未來發展趨勢 圖圖 8 8：2D NAND2D NAND及及3D NAND3D NAND示意圖示意圖 資料來源：中微公司2023年年報 芯片線寬的縮小及多重模板工藝等新制造工藝的采用芯片線寬的縮小及多重模板工藝等新制造工藝的采用，對刻蝕技術的精確度和重復性要求更高對刻蝕技術的精確度和重復性要求更高?？涛g技術需要在刻蝕速率、各向異性、刻蝕偏差、選擇比、深寬比、均勻性、殘留物、等離子體引起的敏感器件損傷、顆粒沾污等指標上滿足更高的要求，刻蝕設備隨之更新進步。3 3D D NANDNAND層數的增加要求刻蝕技術實現更高的深寬比層數的增加要求刻蝕技術實現更

26、高的深寬比，并且對刻蝕設備的需求比例進一步加大并且對刻蝕設備的需求比例進一步加大。集成電路2D存儲器件的線寬已接近物理極限，NAND閃存已進入3D時代。目前128層3D NAND閃存已進入大生產，200層以上閃存已處于批量生產階段，更高層數正在開發。3D NAND制造工藝中，增加集成度的主要方法不再是縮小單層上線寬而是增加堆疊的層數?？涛g要在氧化硅和氮化硅的疊層結構上，加工40：1到60：1甚至更高的極深孔或極深的溝槽。請務必參閱正文之后的重要聲明 目錄目錄 13 1 1、刻蝕和薄膜沉積設備至關重要、刻蝕和薄膜沉積設備至關重要 2 2、刻蝕：、刻蝕：3D NAND3D NAND和先進邏輯制程將

27、大幅提升刻蝕的重要性和先進邏輯制程將大幅提升刻蝕的重要性 3 3、薄膜沉積：在先進邏輯和存儲領域應用廣泛、薄膜沉積：在先進邏輯和存儲領域應用廣泛 4 4、中微公司：中國刻蝕和、中微公司：中國刻蝕和MOCVDMOCVD設備龍頭積極布局薄膜和檢測市場設備龍頭積極布局薄膜和檢測市場 5 5、拓荊科技：中國薄膜沉積設備龍頭卡位鍵合設備市場、拓荊科技：中國薄膜沉積設備龍頭卡位鍵合設備市場 6 6、北方華創：中國半導體設備領軍企業在刻蝕和薄膜領域積累深厚、北方華創：中國半導體設備領軍企業在刻蝕和薄膜領域積累深厚 7 7、投資建議：重點關注中微公司、投資建議：重點關注中微公司/拓荊科技拓荊科技/北方華創北方

28、華創 8 8、風險提示、風險提示 請務必參閱正文之后的重要聲明 14 3.13.1、薄膜沉積設備市場空間廣闊薄膜沉積設備市場空間廣闊 圖圖 9 9：半導體設備及晶圓制造設備市場占比半導體設備及晶圓制造設備市場占比 資料來源：SEMI，拓荊科技2023年半年報 在半導體設備中，應用于集成電路領域的設備通?？煞譃榍暗拦に囋O備（晶圓制造）和后道工藝設備（封裝測試）兩大類。其中，晶圓制造設備的市場規模約占半導體設備市場規模的88%。在晶圓制造設備中，薄膜沉積設備、光刻設備、刻蝕設備共同構成芯片制造三大核心設備，決定了芯片制造工藝的先進程度。而薄膜沉積設備所沉積的薄膜是芯片結構內的功能材料層，在芯片制造

29、過程中應用廣泛，因此，產生了巨大的薄膜沉積設備市場。根據根據GartnerGartner歷年統計，全球刻蝕設備、薄膜沉積設備分別占晶圓制造設備價值量約歷年統計，全球刻蝕設備、薄膜沉積設備分別占晶圓制造設備價值量約22%22%和和22%22%。20222022年全球薄膜沉積設備市場規模達年全球薄膜沉積設備市場規模達229229億美元，億美元，結合中國大陸半導體制造設備銷售額占全球半導體制造設備的銷售額約為結合中國大陸半導體制造設備銷售額占全球半導體制造設備的銷售額約為26%26%的比例測算，的比例測算，20222022年中國大陸薄膜沉積設備市場規模約為年中國大陸薄膜沉積設備市場規模約為6060億

30、美元，億美元，具有廣闊的市場空間。具有廣闊的市場空間。請務必參閱正文之后的重要聲明 15 3.23.2、薄膜沉積主要分為薄膜沉積主要分為CVDCVD、PVDPVD和和ALDALD 圖圖 1010：PVDPVD、CVD CVD 及及ALD ALD 成膜效果簡示成膜效果簡示 資料來源：拓荊科技招股說明書，Characterization of Atomic Layer Deposited Thin Films:Conformality in High Aspect Ratio Pores and the Electrical Properties 薄膜沉積是指在硅片襯底上沉積一層待處理的薄膜材料。

31、薄膜沉積是指在硅片襯底上沉積一層待處理的薄膜材料。所沉積薄膜材料可以是二氧化硅、氮化硅、多晶硅等非金屬以及銅等金屬。薄膜沉積設備主要負責各個步驟中的介質層與金屬層的沉積，包括CVD（化學氣相沉積）設備、PVD（物理氣相沉積）設備/電鍍設備和ALD（原子層沉積）設備?；瘜W氣相沉積：化學氣相沉積：CVD是通過化學反應的方式，利用加熱、等離子或光輻射等各種能源，在反應器內使氣態或蒸汽狀態的化學物質在氣相或氣固界面上經化學反應形成固態沉積物的技術，是一種通過氣體混合的化學反應在硅片表面沉積薄膜的工藝，可應用于絕緣薄膜、硬掩模層以及金屬膜層的沉積。CVD 設備由氣相反應室（進氣方向與樣品表面成水平或垂直

32、）、能量系統（加熱或射頻）、反應氣體控制系統、真空系統及廢氣處理裝置等組成。硅片的表面及鄰近區域被加熱來向反應系統提供附加的能量。等離子體增強化學氣相沉積設備（等離子體增強化學氣相沉積設備（PECVDPECVD）：PECVD在從亞微米發展到90nm 的IC 制造技術過程中，扮演了重要的角色。由于等離子體的作用，化學反應溫度明顯降低，薄膜純度得到提高，致密度得以加強，不傷害芯片已完成的電路。次常壓化學氣相沉積（次常壓化學氣相沉積（SACVDSACVD）：SACVD主要應用于溝槽填充工藝。集成電路結構中，溝槽孔洞的深寬比越來越大，SACVD 反應腔環境具有特有的高溫（400-550）、高壓（30-

33、600Torr）環境，具有快速填空（Gap fill）能力。請務必參閱正文之后的重要聲明 16 3.23.2、薄膜沉積設備在邏輯、存儲等芯片制造過程中應用廣泛、薄膜沉積設備在邏輯、存儲等芯片制造過程中應用廣泛 圖圖 1111：在邏輯芯片中的應用圖示在邏輯芯片中的應用圖示 資料來源：拓荊科技2023年半年報 圖圖 1212：在在3D NAND3D NAND存儲芯片中的應用圖示存儲芯片中的應用圖示 圖圖 1313：在在DRAMDRAM存儲芯片中的應用圖示存儲芯片中的應用圖示 資料來源：拓荊科技2023年半年報 資料來源：拓荊科技2023年半年報 常用常用CVD CVD 設備包括設備包括PECVDP

34、ECVD、SACVDSACVD、APCVDAPCVD、LPCVD LPCVD 等，適用于不同工藝節點對膜質量、厚度以及孔隙溝槽填充能力等的不同要求。等，適用于不同工藝節點對膜質量、厚度以及孔隙溝槽填充能力等的不同要求。雖然PECVD（等離子體增強化學氣相沉積）、ALD（原子層沉積）、SACVD（次常壓化學氣相沉積）及HDPCVD（高密度等離子體化學氣相沉積）等薄膜設備均屬于CVD細分領域產品，但不同的設備技術原理不同，所沉積的薄膜種類和性能不同，適用于芯片內不同的應用工序，在邏輯、存儲等芯片制造過程中應用較為廣泛。請務必參閱正文之后的重要聲明 17 3.23.2、薄膜沉積設備發展趨勢、薄膜沉積

35、設備發展趨勢 圖圖 1414：不同工藝節點薄膜沉積工序對比不同工藝節點薄膜沉積工序對比 資料來源：拓荊科技2023年半年報 芯片制造工藝進步及結構復雜化提高薄膜設備需求。芯片制造工藝進步及結構復雜化提高薄膜設備需求。（1）在90nm CMOS芯片工藝中，大約需要40道薄膜沉積工序。在FinFET工藝產線，大約需要超過100道薄膜沉積工序，涉及的薄膜材料由6種增加到近20種，對于薄膜顆粒的要求也由微米級提高到納米級，進而拉動晶圓廠對薄膜沉積設備需求量的增加。（1）在FLASH存儲芯片領域，隨著主流制造工藝已由2D NAND發展為3D NAND結構，結構的復雜化導致對于薄膜沉積設備的需求量逐步增加

36、。而隨著3D NAND FLASH芯片的堆疊層數不斷增高，從32/64層逐步向更多層及更先進工藝發展，對于薄膜沉積設備的需求提升的趨勢亦將延續。（3）在芯片工藝技術持續進步的趨勢下，當難以通過光刻直接形成先進工藝的情況下，可以結合薄膜沉積設備（主要為ALD設備）與刻蝕設備相配合，采用自對準多重成像技術，實現更小尺寸的工藝，這將進一步促進ALD設備及相關設備的重要性及需求量的提升。先進制程對薄膜沉積設備提出更高要求。先進制程對薄膜沉積設備提出更高要求。在晶圓制造過程中，薄膜起到產生導電層或絕緣層、阻擋污染物和雜質滲透、提高吸光率、臨時阻擋刻蝕等重要作用。隨著芯片制造工藝不斷走向精密化，對薄膜工藝

37、性能提出了更高的技術要求，包括薄膜厚度、均勻性、光學系數、機械應力及顆粒度等性能指標，市場對于高性能薄膜設備的依賴逐漸增加，這也將拉動半導體高端薄膜設備的需求。請務必參閱正文之后的重要聲明 18 3.33.3、PECVDPECVD是薄膜設備中占比最高的設備類型是薄膜設備中占比最高的設備類型 圖圖 1515：薄膜沉積設備占比情況薄膜沉積設備占比情況 資料來源：SEMI，拓荊科技2023年半年報 根據SEMI，在2021年全球各類薄膜沉積設備市場份額中，PECVDPECVD是薄膜設備中占比是薄膜設備中占比最高的設備類型，占整體薄膜沉積設備市場的最高的設備類型，占整體薄膜沉積設備市場的33%33%，

38、ALDALD設備占比約為設備占比約為 11%11%，SACVDSACVD和和HDPCVDHDPCVD占比約小于占比約小于6%6%。薄膜沉積設備作為集成電路晶圓制造的核心設備，其技術的發展支撐了集成電路制造工藝的發展。在薄膜沉積設備研制過程中，其反應腔設計、腔體內關鍵件設計、氣路設計、溫度控制及射頻控制需要在理論知識深刻理解的基礎上，結合整機設計和薄膜工藝的配合與集成，專業綜合性強，技術密集且壁壘較高。由于薄膜是芯片結構的功能材料層，在芯片完成制造、封測等工序后一般會留存在芯片中，薄膜的技術參數直接影響芯片性能，因此，對薄膜材料性能的要求極其嚴格。生產中不僅需要在成膜后檢測薄膜厚度、均勻性、光學

39、系數、機械應力及顆粒度等性能指標，還需要在完成晶圓生產流程及芯片封裝后，對最終芯片產品進行可靠性和生命周期測試，以衡量薄膜沉積設備是否最終滿足技術標準。因此，薄膜沉積設備所需要的驗證時間較長。由此可見，薄膜設備從研制到產業化應用過程均具有極高的技術難度。此外，集成電路制造不同技術路線及不同工序所需要的薄膜材料種類不同，薄膜沉積設備需要針對不同材料本身的物理、化學性質，進行工藝開發，以實現不同材料的沉積功能。隨著芯片內部立體結構日趨復雜，所需要的薄膜層數越來越多，對絕緣介質薄膜、導電金屬薄膜的材料種類和性能參數不斷提出新的要求。請務必參閱正文之后的重要聲明 19 3.33.3、ALDALD：適用

40、于深槽結構和：適用于深槽結構和28nm28nm以下以下FinFETFinFET工藝工藝 圖圖 1616：PVDPVD、CVD CVD 及及ALD ALD 成膜效果簡示成膜效果簡示 資料來源：拓荊科技招股說明書，集成電路制造工藝與工程應用 原子層沉積是將物質以單原子膜形式一層一層地鍍在基底表面的方法原子層沉積是將物質以單原子膜形式一層一層地鍍在基底表面的方法。從原理上說，ALD 是通過化學反應得到生成物，但在沉積反應原理、沉積反應條件的要求和沉積層的質量上都與傳統的CVD 不同。相對于傳統的沉積工藝而言，ALD 工藝具有自限制生長的特點，可精確控制薄膜的厚度，制備的薄膜具有均勻的厚度和優異的一致

41、性，臺階覆蓋率高，特別適合深槽結構中的薄膜生長。ALD 設備沉積的薄膜具有非常精確的膜厚控制和非常優越的臺階覆蓋率，在28nm 以下關鍵尺寸縮小的雙曝光工藝方面取得了越來越廣泛的應用。目前，28nm 以下先進制程的FinFET 制造工藝中，難點在于形成Fin 的形狀，Fin 的有源區并不是通過光刻直接形成的，而是通過自對準雙重成像技術（SADP，Self-Aligned Double Patterning）工藝形成。ALDALD 所沉積的所沉積的SpacerSpacer 材料的寬度即決定了材料的寬度即決定了FinFin 的寬度的寬度，是制約邏輯芯片制程是制約邏輯芯片制程先進程度的核心因素之一先

42、進程度的核心因素之一。除此之外，ALD 設備在高k 材料、金屬柵、STI、BSI 等工藝中均存在大量應用，廣泛應用于CMOS 器件、存儲芯片、TSV 封裝等半導體制造領域。請務必參閱正文之后的重要聲明 20 3.33.3、LPCVDLPCVD設備可用于中前端金屬化工藝設備可用于中前端金屬化工藝 圖圖 1717：LPCVDLPCVD設備的中前端金屬化工藝設備的中前端金屬化工藝 資料來源：中微公司2023年年報 主流的半導體工藝節點采用鎢作為接觸孔材料，以減少純鋁連接對前端器件的損傷。主流的半導體工藝節點采用鎢作為接觸孔材料，以減少純鋁連接對前端器件的損傷。伴隨著技術節點的推進，器件外阻逐漸超過內

43、阻，成為影響器件速率的關鍵因素，同時器件密度的提高使得原本的單層接觸孔結構向多層接觸孔演變。在先進的節點，鎢接觸孔是目前最有競爭力的解決方案。CVDCVD鎢制程需要良好的附著和阻擋層，一般用附著性、穩定性以及阻擋性優異的氮化鈦材料。鎢制程需要良好的附著和阻擋層，一般用附著性、穩定性以及阻擋性優異的氮化鈦材料。在傳統工藝中，關鍵尺寸比較大，填充難度不高，業界都是用物理氣相沉積的方法來沉積氮化鈦。如今主流的邏輯和存儲芯片接觸孔或者連線的關鍵尺寸很小，深寬比很高，傳統的物理氣相沉積氮化鈦由于較低的階梯覆蓋率，不能夠滿足高端器件的需求。原子層沉積的氮化鈦具有優秀的階梯覆蓋率，逐漸成為接觸孔阻擋層和粘結

44、層的主要選擇。國際國內先進邏輯器件工藝節點向5納米及更先進工藝方向發展，器件互聯電阻逐漸增大成為影響器件速度的關鍵因素。器件互聯電阻逐漸增大成為影響器件速度的關鍵因素。在90納米到28納米的傳統工藝節點中，降低接觸孔電阻的關鍵是降低鎢膜的電阻率。但是在14納米及更先進工藝節點，金屬阻擋層、金屬形核層對接觸孔阻值的影響越來越明顯，如何減少或者消除阻擋層和形核層的電阻是降低接觸孔電阻的關鍵。鈷、鉬、釕等金屬的應用以及無阻擋層的工藝也在更先進工藝節點上開發和應用。先進邏輯器件還需要均勻性和穩定性更好的金屬柵的填充技術，以提高器件的性能和穩定性。隨著3D NAND堆疊層數增加，階梯接觸孔的深寬比會達到

45、40：1到60：1以上，這對氮化鈦阻擋層的生長和極高深寬比的鎢填充都提出了更高的要求，堆疊層數的提高還需要更具挑戰性的WL線路填充，包括更高的深寬比和更長的橫向填充。這些新工藝都要通過先進的金屬CVD或ALD來實現。請務必參閱正文之后的重要聲明 目錄目錄 21 1 1、刻蝕和薄膜沉積設備至關重要、刻蝕和薄膜沉積設備至關重要 2 2、刻蝕：、刻蝕：3D NAND3D NAND和先進邏輯制程將大幅提升刻蝕的重要性和先進邏輯制程將大幅提升刻蝕的重要性 3 3、薄膜沉積：在先進邏輯和存儲領域應用廣泛、薄膜沉積：在先進邏輯和存儲領域應用廣泛 4 4、中微公司：中國刻蝕和、中微公司：中國刻蝕和MOCVDM

46、OCVD設備龍頭積極布局薄膜和檢測市場設備龍頭積極布局薄膜和檢測市場 5 5、拓荊科技：中國薄膜沉積設備龍頭卡位鍵合設備市場、拓荊科技：中國薄膜沉積設備龍頭卡位鍵合設備市場 6 6、北方華創：中國半導體設備領軍企業在刻蝕和薄膜領域積累深厚、北方華創：中國半導體設備領軍企業在刻蝕和薄膜領域積累深厚 7 7、投資建議：重點關注中微公司、投資建議：重點關注中微公司/拓荊科技拓荊科技/北方華創北方華創 8 8、風險提示、風險提示 請務必參閱正文之后的重要聲明 22 4.14.1、中微公司：中國刻蝕和、中微公司：中國刻蝕和MOCVDMOCVD設備龍頭積極布局薄膜和檢測市場設備龍頭積極布局薄膜和檢測市場

47、表表 4 4：中微公司主要產品中微公司主要產品 資料來源：中微公司2023年年報，光大證券研究所整理 類型類型 產品類別產品類別 圖示圖示 應用領域應用領域 類型類型 產品類別產品類別 圖示圖示 應用領域應用領域 刻蝕設備刻蝕設備 電容性等離子體刻蝕設備 集成電路制造中氧化硅、氮化硅及低介電系數膜層等電介質材料的刻蝕 MOCVDMOCVD設備設備 MOCVD設備 藍綠光及紫外LED外延片和功率器件的生產 電感性等離子體刻蝕設備、深硅刻蝕設備 集成電路制造中單晶硅、多晶硅以及多種介質等材料的刻蝕 薄膜沉積設備薄膜沉積設備 LPCVD設備 先進邏輯器件、DRAM和3D NAND中接觸孔以及金屬鎢線

48、的填充 CMOS圖像傳感器、MEMS芯片、2.5D芯片、3D芯片等通孔及溝槽的刻蝕 ALD設備 存儲器件關鍵應用填充 其他設備其他設備 VOC設備 平板顯示生產線等工業用的空氣凈化 中微公司成立于中微公司成立于20042004年，主要從事高端半導體設備及泛半導體設備的研發、生產和銷售，為集成電路、年，主要從事高端半導體設備及泛半導體設備的研發、生產和銷售，為集成電路、LEDLED外延片、功率器件、外延片、功率器件、MEMSMEMS等半導體產等半導體產品的制造企業提供刻蝕設備、品的制造企業提供刻蝕設備、MOCVDMOCVD設備、薄膜沉積設備及其他設備。設備、薄膜沉積設備及其他設備。公司的等離子體

49、刻蝕設備已應用在國際一線客戶從65納米到14納米、7納米和5納米及其他先進的集成電路加工制造生產線及先進封裝生產線。公司MOCVD設備在行業領先客戶的生產線上大規模投入量產，公司已成為世界排名前列的氮化鎵基LED設備制造商。請務必參閱正文之后的重要聲明 23 4.14.1、刻蝕設備、薄膜沉積、光刻、檢測設備總價值量最高的半導體設備刻蝕設備、薄膜沉積、光刻、檢測設備總價值量最高的半導體設備 圖圖 1818：20222022年年-20272027年年半導體主要設備營收（單位：百萬美元）半導體主要設備營收（單位：百萬美元）資料來源：Gartner統計及預測，中微公司2023年年報 芯片的加工通常需要

50、十大類設備，其中刻蝕設備、薄膜沉積、光刻、檢測設備是產線中總價值量最高的四類半導體設備。芯片的加工通常需要十大類設備，其中刻蝕設備、薄膜沉積、光刻、檢測設備是產線中總價值量最高的四類半導體設備。等離子體刻蝕設備是除光刻機以外最關鍵的微觀加工設備，是制程步驟最多、工藝過程開發難度最高的設備。由于光刻機的波長限制和2維芯片到3維芯片的發展，等離子體刻蝕設備越來越成為關鍵制約設備，也成為十大類關鍵設備市場最大的一類。請務必參閱正文之后的重要聲明 24 4.14.1、經營業績亮眼，在手訂單充足、經營業績亮眼，在手訂單充足 圖圖 2020：中微公司中微公司20232023年刻蝕和年刻蝕和MOCVDMOC

51、VD設備營收設備營收 資料來源：中微公司2023年年報 圖圖 1919：中微公司中微公司20232023年經營業績亮眼年經營業績亮眼 公司2023年營業收入約62.64億元，較2022年增加約15.24億元，同比增長約32.15%。其中，2023年刻蝕設備銷售約47.03億元，同比增長約49.43%；MOCVD設備銷售約4.62億元，同比下降約33.95%。公司從2012年到2023年超過十年的平均年營業收入增長率超過35%。2023年歸屬于母公司所有者的凈利潤約17.86億元，較上年同期增加52.67%。公司公司20232023年新增訂單金額約年新增訂單金額約83.683.6億元，較億元，較

52、20222022年新增訂單的年新增訂單的63.263.2億元增加約億元增加約20.420.4億元，同比增長約億元，同比增長約32.3%32.3%。其中刻蝕設備新增訂單約69.5億元，同比增長約60.1%；由于中微的MOCVD設備已經在藍綠光LED生產線上占據絕對領先的市占率，受終端市場波動影響，2023年MOCVD設備訂單同比下降約72.2%。請務必參閱正文之后的重要聲明 25 4.14.1、注重研發投入，技術實力強勁、注重研發投入，技術實力強勁 圖圖 2222：中微公司注重研發投入中微公司注重研發投入 資料來源：中微公司2023年年報 圖圖 2121：中微公司的業務布局方向中微公司的業務布局

53、方向 圖圖 2323：中微公司專利數量多中微公司專利數量多 公司繼續保持較高的研發投入，與國內外一流客戶保持緊密合作，相關設備產品研發進展順利、客戶端驗證情況良好。20232023年公司研發投入為年公司研發投入為12.6212.62億元，同比增長億元，同比增長35.89%35.89%，占收入比例為，占收入比例為20.15%20.15%。公司在持續改善量產機臺的運行時間和生產效率的同時，研發團隊和客戶緊密合作，進行更多的關鍵制程的工藝開發和驗證，有望進一步提高產品的技術先進性和市場競爭力，不斷拓寬機臺的生產能力并贏得更多的制程量產機會。請務必參閱正文之后的重要聲明 26 4.14.1、產能持續建

54、設，業務布局完善、產能持續建設，業務布局完善 圖圖 2424：公司的子公司和辦公室在全球的分布公司的子公司和辦公室在全球的分布 資料來源：中微公司2023年年報 公司在南昌的約14萬平方米的生產和研發基地已于2023年7月投入使用；公司在上海臨港的約18萬平方米的生產和研發基地部分生產廠房及成品倉庫已經于2023年10月投入使用；上海臨港滴水湖畔約10萬平方米的研發中心暨總部大樓也將封頂。請務必參閱正文之后的重要聲明 27 4.14.1、中微開發的五類設備均達到國際先進水平中微開發的五類設備均達到國際先進水平 資料來源：中微公司2023年年報 圖圖 2525：中微開發的五類設備均達到國際先進水

55、平中微開發的五類設備均達到國際先進水平 2023年公司CCP和ICP刻蝕設備均在國內主要客戶芯片生產線上市占率大幅提升；公司的TSV硅通孔刻蝕設備也越來越多地應用在先進封裝和MEMS器件生產。公司布局的薄膜設備（主要是化學薄膜和外延設備）是除光刻機和刻蝕機外第三大設備市場。公司近兩年新開發的LPCVD設備和ALD設備，目前已有四款設備產品進入市場，其中三款設備已獲得客戶認證，并開始得到重復性訂單，公司計劃在2024年推出超過10款新型薄膜沉積設備，在薄膜沉積領域快速擴大產品覆蓋度；公司新開發的硅和鍺硅外延EPI設備、晶圓邊緣Bevel刻蝕設備等多個新產品，也計劃在2024年投入市場驗證。此外，

56、中微公司通過投資布局了第四大設備市場光學檢測設備。請務必參閱正文之后的重要聲明 28 4.24.2、刻蝕設備技術刻蝕設備技術 資料來源：中微公司2023年年報 圖圖 2626：中微公司開發了中微公司開發了CCP CCP 和和 ICP ICP 的單臺機和雙臺機，一共的單臺機和雙臺機，一共有有1515種三代機型種三代機型 公司公司CCPCCP和和ICPICP刻蝕機的單雙反應臺并舉策略的優勢凸顯刻蝕機的單雙反應臺并舉策略的優勢凸顯。其中CCP雙反應臺設備累計裝機超過2000反應腔，ICP雙反應臺設備2020年至2023年累計裝機臺數年均復合增速超過100%。單反應臺CCP和ICP刻蝕設備在先進工藝生

57、產線裝機增長迅速，合計累計裝機超過1000反應臺。同時，公司大力投入先進芯片制造技術中關鍵刻蝕設備的研發和驗證，目前針對邏輯和存儲芯片制造中最關鍵刻蝕工藝的設備已經在客戶的產線上展開驗證。在邏輯芯片制造方面在邏輯芯片制造方面，公司開發的12英寸高端刻蝕設備持續獲得國際國內知名客戶的訂單，已經在從65納米到5納米及更先進技術結點大量量產；同時，先進邏輯器件制造對加工的精確性，重復性，微粒污染水平，以及反應腔之間的匹配度等都提出了更高的要求，公司針對5納米及更先進技術節點的刻蝕設備進行了多項性能改進，并已經在生產線上實施，極大提升了設備的生產效率和生產質量。在存儲芯片制造環節在存儲芯片制造環節，公

58、司的等離子體刻蝕設備已大量用于先進三維閃存和動態隨機存儲器件的量產。公司致力于提供超高深寬比掩膜（40:1）和超高深寬比介質刻蝕(60:1)的解決方案。配備超低頻偏壓射頻的用于超高深寬比掩膜刻蝕的ICP刻蝕機目前在生產線上驗證順利，工藝能力可以滿足國內最先進的存儲芯片制造的需求。配備超低頻高功率偏壓射頻的用于超高深寬比介質刻蝕的CCP刻蝕設備也進入到良率和可靠性驗證階段。此外，公司和國內外特殊器件制造客戶合作，在先進封裝、功率器件、電源管理、微機電系統等領域不斷拓展應用，持續獲得訂單。公司通過與國際領先客戶合作，積極參與新興器件制造技術的研發，在虛擬現實技術和醫療診斷有廣泛應用前景的超透鏡（M

59、etalens）和基于12英寸晶圓的微機電系統制造等方面都取得可喜的進展，公司設備已經在相應的生產線上進行最新技術的研發和試產。請務必參閱正文之后的重要聲明 29 4.24.2、CCPCCP刻蝕設備：刻蝕設備：累計累計28572857個反應腔在客戶生產線量產個反應腔在客戶生產線量產 圖圖 2727：CCPCCP刻蝕設備累計刻蝕設備累計28572857個反應腔在客戶生產線量產個反應腔在客戶生產線量產 資料來源：中微公司2023年年報 公司CCP刻蝕設備中雙反應臺Primo D-RIE、Primo AD-RIE、Primo AD-RIEe，單反應臺Primo HD-RIE等產品已廣泛應用于國內外一

60、線客戶的生產線。雙反應臺Primo SD-RIE，單反應臺Primo HD-RIE+，Primo HD-RIEe，Primo UD-RIE逐漸得到市場認可。截至截至20232023年底，公司累計生產付運年底，公司累計生產付運超過超過28002800個個CCPCCP刻蝕反應臺，同時在手訂單充裕?？涛g反應臺，同時在手訂單充裕。請務必參閱正文之后的重要聲明 30 4.24.2、CCPCCP刻蝕設備：刻蝕設備：累計累計28572857個反應腔在客戶生產線量產個反應腔在客戶生產線量產 圖圖 2828：SDSD-RIE:RIE:實時可變電極間距擴大金屬掩膜大馬士革刻蝕工藝窗口實時可變電極間距擴大金屬掩膜大

61、馬士革刻蝕工藝窗口 資料來源：中微公司2023年年報 圖圖 2929：中微公司中微公司 CCP CCP 刻蝕產品系列及發展路線刻蝕產品系列及發展路線 公司已有的刻蝕產品已經對公司已有的刻蝕產品已經對2828納米以上的絕大部分納米以上的絕大部分CCPCCP刻蝕應用和刻蝕應用和2828納米及以下的大部分納米及以下的大部分CCPCCP刻蝕應用形成較為全面的覆蓋?？涛g應用形成較為全面的覆蓋。針對28納米及以下的邏輯器件生產中廣泛采用的一體化大馬士革刻蝕工藝，公司開發的可調節電極間距的CCP刻蝕機Primo SD-RIE已進入國內領先的邏輯芯片制造客戶開展現場驗證，目前進展順利。同時公司也與其他多家邏輯

62、芯片制造客戶達成現場評估意向。該設備采用雙反應臺平臺設計，在滿足嚴苛工藝指標的同時可以有效的降低生產成本。Primo SD-RIE具有實時可調電極間距功能，可以在同一刻蝕工藝的不同步驟使用不同的電極間距，能靈活調節等離子體濃度分布和活性自由基濃度分布，有效地應對一體化大馬士革刻蝕工藝中要求的在同一刻蝕工藝中達到最優的溝槽和通孔刻蝕均勻性的問題，極大拓寬一體化刻蝕工藝的工藝窗口。在存儲器件制造工藝中，公司的成熟產品可以覆蓋存儲器件制造中的絕大部分應用。在存儲器件制造工藝中，公司的成熟產品可以覆蓋存儲器件制造中的絕大部分應用。同時，公司針對超高深寬比刻蝕自主開發的具有大功率400kHz偏壓射頻的P

63、rimo UD-RIE已經在生產線驗證出具有刻蝕60:1深寬比結構的能力，該設備適用于DRAM和3D NAND器件制造中最關鍵的高深寬比刻蝕工藝。同時，公司積極布局超低溫刻蝕技術，以滿足超高深寬比刻蝕技術迭代的需求。資料來源：中微公司2023年年報 請務必參閱正文之后的重要聲明 31 4.24.2、ICPICP刻蝕設備：刻蝕設備：安裝機臺數量近三年復合年安裝機臺數量近三年復合年增長率高增長率高 圖圖 3030：Primo Primo nanovananova累計安裝機臺數量近三年復合年增長率超過累計安裝機臺數量近三年復合年增長率超過80%80%資料來源：中微公司2023年年報 2023年，公司

64、的ICP刻蝕設備在涵蓋邏輯、DRAM、3D NAND、功率和電源管理、以及微電機系統等芯片和器件的50多個客戶的生產線上量產，并持續進行更多刻蝕應用的驗證。ICPICP刻蝕設備中的刻蝕設備中的Primo Primo NanovaNanova系列產品在客戶端安裝腔體數近三年實現系列產品在客戶端安裝腔體數近三年實現100%100%的年均復合增長。的年均復合增長。2023年，公司推出了適用于更高深寬比結構刻蝕的Nanova VE HP和兼顧深寬比和均勻性的Nanova LUX兩種ICP設備，極大地擴展了ICP刻蝕設備的驗證工藝范圍，在先進邏輯芯片、先進DRAM和3D NAND的ICP驗證刻蝕工藝覆蓋

65、率有望大幅提升。Nanova VE HP在DRAM中的高深款比的多晶硅掩膜應用上，在客戶的產線上認證成功，已獲得批量重復訂單。Nanova LUX也已付運至多個客戶的產線上開始認證。Primo TwinPrimo Twin-StarStar則在海則在海內外客戶的邏輯芯片、功率器件、微型發光二極管內外客戶的邏輯芯片、功率器件、微型發光二極管MicroMicro-LEDLED、ARAR和和VRVR智能眼鏡用的超透鏡（智能眼鏡用的超透鏡（MetalensMetalens）等特色器件的產線上實現量產，并取得）等特色器件的產線上實現量產，并取得重復訂單。重復訂單。請務必參閱正文之后的重要聲明 32 4.

66、24.2、ICPICP刻蝕設備：刻蝕設備：安裝機臺數量近三年復合年安裝機臺數量近三年復合年增長率高增長率高 圖圖 3131：ICP ICP 等離子體刻蝕產品研發歷史和產品系列等離子體刻蝕產品研發歷史和產品系列 資料來源：中微公司2023年年報 20232023年，公司年，公司ICPICP技術設備類中的技術設備類中的8 8英寸和英寸和1212英寸深硅刻蝕設備英寸深硅刻蝕設備Primo TSV 200EPrimo TSV 200E、Primo TSV 300EPrimo TSV 300E在晶圓級先進封裝、在晶圓級先進封裝、2.5D2.5D封裝和微機電系統芯封裝和微機電系統芯片生產線等成熟市場繼續獲

67、得重復訂單，片生產線等成熟市場繼續獲得重復訂單，同時，在12英寸的3D芯片的硅通孔刻蝕工藝上得到成功驗證，并在歐洲客戶12英寸微機電系統芯片產線上獲得認證的機會，這些新工藝的驗證為公司Primo TSV 300E刻蝕設備拓展了新的市場。在追求更高性能的同時，根據國內對成熟制程和新興特殊器件的工藝需求，公司開發了Primo Metal Al刻蝕設備，并在實驗室搭建了Alpha機臺，開始和客戶合作開發鋁線刻蝕工藝。此外，2023年，公司根據技術發展需求，有序推進更多先進ICP刻蝕技術研發，為推出下一代ICP刻蝕設備做技術儲備，以滿足新一代的邏輯、DRAM和3D NAND存儲等芯片制造對ICP刻蝕的

68、需求。請務必參閱正文之后的重要聲明 33 4.34.3、薄膜沉積設備：、薄膜沉積設備：CVDCVD鎢設備、鎢設備、ALDALD氮化鈦設備進展順利氮化鈦設備進展順利 圖圖 3232：公司目前已有四款公司目前已有四款LPCVDLPCVD-ALDALD導體薄膜沉積設備進入市場導體薄膜沉積設備進入市場 資料來源：中微公司2023年年報 圖圖 3333：公司公司雙反應臺設計保障了高產出和低消耗雙反應臺設計保障了高產出和低消耗 20232023年，公司新開發出年，公司新開發出4 4款薄膜沉積產品?？畋∧こ练e產品。公司首臺CVD鎢設備付運到關鍵存儲客戶端驗證評估，已通過客戶現場驗證，滿足金屬互聯鎢制程各項性

69、能指標，并獲得客戶重復量產訂單。公司在CVD W設備基礎上，進一步開發出新型號HAR（高深寬比）W鎢設備及ALD W鎢設備，這兩項設備均為高端存儲器件的關鍵設備，目前已通過客戶現場驗證，滿足存儲器件中的高深寬比金屬互聯應用中各項性能指標。中微公司鎢系列薄膜沉積產品可覆蓋存儲器件所有鎢應用，并已全部通過客戶現場驗證。同時公司已完成多家邏輯和存儲客戶對CVD/HAR/ALD W鎢設備的驗證，并取得了客戶訂單，為進一步積累市場優勢打下基礎。同期，公司開發的應用于高端存儲和邏輯器件的ALD氮化鈦設備也在穩步推進，實驗室測試結果顯示，設備的薄膜均一性和產能均表現出世界領先水平。在現有的金屬CVD和ALD

70、設備研發基礎上，公司已規劃多款CVD和ALD設備，增加薄膜設備的覆蓋率，進一步拓展市場。公司的薄膜沉積設備采用獨特的雙腔設計，每個腔體可獨立進行工藝調節，保證產品性能的同時，大大提高了產能，降低了材料成本。此外，中微獨立自主的IP設計，確保了更優化的產品性能，也保障了產品未來的可持續發展。請務必參閱正文之后的重要聲明 34 4.44.4、MOCVDMOCVD設備在光學器件領域應用廣泛設備在光學器件領域應用廣泛 圖圖 3434：顯示面板行業收入預測顯示面板行業收入預測 資料來源：Micro LED Report 2023，Yole MOCVDMOCVD設備廣泛應用于包括光學器件、功率器件等多種薄

71、膜材料的制備，設備廣泛應用于包括光學器件、功率器件等多種薄膜材料的制備，是目前化合物半導體材料制備的關鍵技術之一。是目前化合物半導體材料制備的關鍵技術之一。MOCVD設備既能實現高難及復雜的化合物半導體材料生長，又能滿足產業化對高效產出、低制備成本的需求。在LED及功率器件生產過程中，外延片的制備是至關重要的步驟，其主要通過MOCVD單種設備實現。MOCVDMOCVD設備采購金額一般占設備采購金額一般占LEDLED生產線設備總投入的一半以上，是器件制生產線設備總投入的一半以上，是器件制造環節中最重要的設備。造環節中最重要的設備。除用于制造通用照明和背光顯示的藍光LED，MOCVD設備還可制造應

72、用于高端顯示的Mini-LED和Micro-LED、用于殺菌消毒和空氣凈化的紫外LED、應用于電力電子的功率器件，MOCVD設備市場有望隨著新興領域的開拓進一步擴大。制造照明用藍光制造照明用藍光LEDLED外延片的外延片的MOCVDMOCVD技術已達較成熟的階段。技術已達較成熟的階段。MOCVD設備企業目前主要在提高大規模外延生產所需的性能、降低生產成本、具備大尺寸襯底外延能力等方面進行技術開發，以滿足下游應用市場需求。應用于應用于MiniMini-LEDLED新型顯示應用的新型顯示應用的MOCVDMOCVD設備發展較為迅速。設備發展較為迅速。應用于應用于MicroMicro-LEDLED高端

73、顯示的高端顯示的MOCVDMOCVD設備還處于研發階段。設備還處于研發階段。產業鏈對Micro-LED外延片在產出波長均勻性、顆粒度等方面有極為苛刻的技術要求，以此降低Micro-LED應用的制造成本，加速高端顯示市場的推廣。MOCVD設備企業后續主要將在提升產出波長均勻性，減少外延片顆粒度，提高芯片良率，提升設備的自動化性能以及大尺寸外延片加工能力等方面進行技術突破，從而推進產品的不斷進步。請務必參閱正文之后的重要聲明 35 4.44.4、氮化鎵和碳化硅氮化鎵和碳化硅MOCVDMOCVD設備需求快速成長設備需求快速成長 圖圖 3636：SiCSiC行業收入預測行業收入預測 資料來源：SiC

74、Report 2023統計及預測，Yole 圖圖 3535：GaNGaN行業收入預測行業收入預測 資料來源：GaN Report 2023統計及預測，Yole 應用于氮化鎵功率器件生產的應用于氮化鎵功率器件生產的MOCVDMOCVD設備以及應用于碳化硅功率器件的外延設備處于快速發展階段。設備以及應用于碳化硅功率器件的外延設備處于快速發展階段。行業現有生產設備主要適用于6英寸碳化硅襯底；隨著8英寸襯底成本的持續下降，未來將逐漸過渡至8英寸的外延生產。請務必參閱正文之后的重要聲明 36 4.44.4、MOCVDMOCVD設備：布局用于氮化鎵和碳化硅的外延設備設備：布局用于氮化鎵和碳化硅的外延設備

75、圖圖 3737：PRISMO PRISMO UniMaxUniMax MOCVDMOCVD設備設備 資料來源：中微公司2023年年報 圖圖 3838：PrismoPrismo PD5MOCVDPD5MOCVD設備設備 資料來源：中微公司2023年年報 2023年，公司用于藍光照明的PRISMO A7、用于深紫外LED的PRISMO HiT3、用于Mini-LED顯示的PRISMO UniMax等產品持續服務客戶。截止2023年，公司持續保持國際氮化鎵基MOCVD設備市場領先地位。其中其中PRISMO PRISMO UniMaxUniMax產品自產品自20212021年年6 6月正式發布以來，憑

76、借其高產量、高波長均月正式發布以來，憑借其高產量、高波長均勻性、高良率等優點，受到下游客戶的廣泛認可，在勻性、高良率等優點，受到下游客戶的廣泛認可，在MiniMini-LEDLED顯示外延片生產設備領域處于國際領先。顯示外延片生產設備領域處于國際領先。公司于公司于20222022年推出了用于氮化鎵功率器件生產的年推出了用于氮化鎵功率器件生產的MOCVDMOCVD設備設備PRISMO PD5PRISMO PD5，已付運至國內外領先客戶，并取得了重復訂單。，已付運至國內外領先客戶，并取得了重復訂單。公司針對Micro-LED應用的專用MOCVD設備開發順利，實驗室初步結果實現了優良的波長均勻性能，

77、并于2023年內付運樣機至國內領先客戶開展生產驗證。此外，隨著電動汽車、光伏儲能、軌道交通等應用的快速發展，市場對碳化硅功率器件的需求大幅增長，公司也啟動了應用于碳化硅功率器件外延生產設備的開發，2023年，公司取得較大的技術進展，實現了優良的工藝結果，正與多家領先客戶開展商務洽談，預計預計20242024年第一季度將開展客年第一季度將開展客戶端生產驗證。戶端生產驗證。請務必參閱正文之后的重要聲明 目錄目錄 37 1 1、刻蝕和薄膜沉積設備至關重要、刻蝕和薄膜沉積設備至關重要 2 2、刻蝕：、刻蝕：3D NAND3D NAND和先進邏輯制程將大幅提升刻蝕的重要性和先進邏輯制程將大幅提升刻蝕的重

78、要性 3 3、薄膜沉積：在先進邏輯和存儲領域應用廣泛、薄膜沉積：在先進邏輯和存儲領域應用廣泛 4 4、中微公司：中國刻蝕和、中微公司：中國刻蝕和MOCVDMOCVD設備龍頭積極布局薄膜和檢測市場設備龍頭積極布局薄膜和檢測市場 5 5、拓荊科技：中國薄膜沉積設備龍頭卡位鍵合設備市場、拓荊科技：中國薄膜沉積設備龍頭卡位鍵合設備市場 6 6、北方華創：中國半導體設備領軍企業在刻蝕和薄膜領域積累深厚、北方華創：中國半導體設備領軍企業在刻蝕和薄膜領域積累深厚 7 7、投資建議：重點關注中微公司、投資建議：重點關注中微公司/拓荊科技拓荊科技/北方華創北方華創 8 8、風險提示、風險提示 請務必參閱正文之后

79、的重要聲明 38 5.15.1、拓荊科技：中國薄膜沉積設備龍頭布局鍵合設備市場、拓荊科技：中國薄膜沉積設備龍頭布局鍵合設備市場 資料來源：拓荊科技官網 圖圖 3939：公司的產品情況公司的產品情況 公司目前已形成公司目前已形成PECVDPECVD、ALDALD、SACVDSACVD、HDPCVDHDPCVD等薄膜設備產品系列，廣泛應用于國內集成電路邏輯芯片、存儲芯片等制造產線。此外，公司推等薄膜設備產品系列，廣泛應用于國內集成電路邏輯芯片、存儲芯片等制造產線。此外，公司推出了應用于晶圓級三維集成領域的混合鍵合設備產品系列出了應用于晶圓級三維集成領域的混合鍵合設備產品系列。2023年上半年，公司

80、設備在客戶端產線生產運行穩定性表現優異，平均機臺穩定運行時間（Uptime）超過90%（達到國際同類設備水平）。公司薄膜系列產品在晶圓制造產線的量產應用規模持續擴大，截至2023年半年報，公司薄膜沉積設備在客戶端產線生產產品的累計流片量已突破1.2億片。請務必參閱正文之后的重要聲明 39 5.15.1、大客戶資源豐富、大客戶資源豐富 資料來源：拓荊科技招股說明書 表表 5 5：各類產品的主要客戶各類產品的主要客戶 產品類型產品類型 主要客戶主要客戶 PECVD 設備 中芯國際、華虹集團、長江存儲、重慶萬國半導體科技有限公司 ALD 設備 ICRD SACVD 設備 北京燕東微電子科技有限公司

81、公司客戶資源豐富。公司客戶資源豐富。根據公司招股說明書，公司2021年Q1-Q3前五大客戶分別為中芯國際、屹唐科技、長江存儲、華虹集團和睿力集成電路，營收占比分別為29%、28%、17%、10%和9%。根據公司招股說明書，1）公司PECVD設備主要客戶包括中芯國際、華虹集團、長江存儲、萬國半導體；2）公司ALD 設備主要客戶為ICRD；3）公司SACVD 設備主要客戶為燕東微電子。請務必參閱正文之后的重要聲明 40 5.25.2、PECVDPECVD產品產品 表表 6 6：PECVDPECVD系列產品研發及產業化進展情況系列產品研發及產業化進展情況 資料來源：拓荊科技2023年半年報 產品系列

82、產品系列 產品類型產品類型 主要產品型號主要產品型號 主要薄膜工藝主要薄膜工藝 產品應用情況產品應用情況 PECVD PECVD PF-300T SiO2、SiN、TEOS、SiON、SiOC、FSG、BPSG、PSG等通用介質薄膜材料，以及LoK、LoK、ACHM、ADC、HTN、a-Si等先進介質薄膜材料 在集成電路邏輯芯片、存儲芯片制造及先進封裝等領域已實現產業化應用，可以沉積SiO2、SiN、TEOS、SiON、SiOC、FSG、BPSG、PSG等通用介質薄膜材料，以及LoK、LoK、ACHM、ADC、HTN、a-Si等先進介質薄膜材料，可實現8英寸與12英寸PECVD設備兼容，具有高

83、產能，低生產成本優勢。PF-300T eX NF-300H 在集成電路存儲芯片制造領域已實現產業化應用，適用于沉積時間需求較長的薄膜工藝，如Thick TEOS介質材料薄膜。UV Cure PF-300T Upsilon HTN、LoK等薄膜工藝 在集成電路芯片制造領域已實現產業化應用。該設備可以與PECVD成套使用，為PECVD HTN、Lok II等薄膜沉積進行紫外線固化處理。PECVD設備是芯片制造的核心設備之一，也是公司的核心產品，其主要功能是將硅片控制到預定溫度后，使用射頻電磁波作為能量源在硅片上方形成低溫等離子體，通入適當的化學氣體，在等離子體的激活下，經一系列化學反應在硅片表面形

84、成固態薄膜。相比傳統的CVD設備，PECVD設備在相對較低的反應溫度下形成高致密度、高性能薄膜，不破壞已有薄膜和已形成的底層電路，實現更快的薄膜沉積速度，是芯片制造薄膜沉積工藝中運用最廣泛的設備種類。公司自成立起研制PECVD設備，在該領域有十余年的研發和產業化經驗，形成了覆蓋全系列PECVD薄膜材料的設備。2023年上半年，公司PECVD設備作為主打產品，持續保持競爭優勢，為客戶提供高性能的介質薄膜材料，同時，提供不同類型的高產能平臺（包括PF-300T、PF-300T eX、NF-300H等平臺），以匹配不同客戶不同工藝的性能要求及產能需求。公司在客戶產線驗證通過的薄膜種類及性能指標公司在

85、客戶產線驗證通過的薄膜種類及性能指標類型持續增加類型持續增加，工藝覆蓋面不斷提升工藝覆蓋面不斷提升，持續獲得批量訂單和批量驗收持續獲得批量訂單和批量驗收，現已廣泛應用于國內集成電路制造產線現已廣泛應用于國內集成電路制造產線。23年上半年，PECVD（PF-300T、PF-300T eX）產品方面，公司不斷擴大通用介質薄膜材料工藝及先進介質薄膜材料工藝的應用覆蓋面，持續獲得客戶訂單，通過客戶產業化驗證，擴大量產規模。截至23年中報，PECVD通用介質薄膜材料（包括SiO2、SiN、TEOS、SiON、SiOC、FSG、BPSG、PSG等）和先進介質薄膜材料（包括ACHM、LoK、LoK、ADC、

86、HTN、a-Si等）均已實現產業化應用。公司推出的PECVD（NF-300H）型號設備已實現產業化應用，可以沉積Thick TEOS等介質材料薄膜。公司UV Cure設備與PECVD設備成套使用，為PECVD HTN、Lok等薄膜沉積進行紫外線固化處理。2323年上半年年上半年，公司公司UVUV CureCure（HTNHTN、LokLok工工藝藝）持續獲得客戶訂單持續獲得客戶訂單，UVUV CureCure（LokLok工藝工藝）設備實現首臺產業化應用設備實現首臺產業化應用，截至截至2323年半年報年半年報，UVUV CureCure（HTNHTN、LokLok工藝工藝）均已實現產業化應用均

87、已實現產業化應用。請務必參閱正文之后的重要聲明 41 5.25.2、ALDALD產品產品 表表 7 7：ALDALD系列產品研發及產業化進展情況系列產品研發及產業化進展情況 資料來源：拓荊科技2023年半年報 產品系列產品系列 產品類型產品類型 主要產品型號主要產品型號 主要薄膜工藝主要薄膜工藝 產品應用情況產品應用情況 ALD PE-ALD PF-300T Astra SiO2、SiN等多種介質薄膜材料 在集成電路邏輯芯片、存儲制造及先進封裝領域已實現產業化應用，可以沉積高溫、低溫、高質量的SiO2、SiN等介質薄膜材料。NF-300H Astra 主要應用于集成電路存儲芯片制造領域，已實現

88、產業化應用，可以沉積高溫、低溫、高質量的SiO2、SiN等介質薄膜材料。Thermal-ALD PF-300T Altair Al2O3等多種金屬化合物薄膜材料 主要應用于集成電路邏輯芯片、存儲芯片制造領域，正在進行產業化驗證，可以沉積Al2O3等金屬化合物薄膜材料。TS-300 Altair 主要應用于集成電路邏輯芯片、存儲芯片制造領域，正在進行產業化驗證，可以沉積Al2O3等金屬化合物薄膜材料。ALD設備是一種可以將反應材料以單原子膜形式通過循環反應逐層沉積在硅片表面，形成對復雜形貌的基底表面全覆蓋成膜的專用設備。由于ALD設備可以實現高深寬比、極窄溝槽開口的優異臺階覆蓋率及精確薄膜厚度控

89、制，在結構復雜、薄膜厚度要求精準的先進邏輯芯片、存儲芯片制造中，ALD 是必不可少的核心設備之一。20232023年上半年年上半年，公司公司PEPE-ALDALD（PFPF-300300T T AstraAstra）設備在客戶端驗證進展順利設備在客戶端驗證進展順利，獲得了原有客戶及新客戶訂單獲得了原有客戶及新客戶訂單，并出貨至不同客戶進行產業化驗證；并出貨至不同客戶進行產業化驗證；PEPE-ALDALD（NFNF-300300H H AstraAstra）設備實現首臺產業化應用設備實現首臺產業化應用，取得了突破性進展取得了突破性進展，該設備主要應用于沉積較厚的PE-ALD薄膜，具有高產能和低成

90、本的優勢。此外，公司持續拓展PE-ALD薄膜種類及工藝應用。2023年上半年，公司Thermal-ALD（PF-300T Altair、TS-300 Altair）持續獲得原有客戶及新客戶訂單，并出貨至不同客戶端進行產業化驗證，驗證進展順利，可以沉積Al2O3等多種金屬化合物薄膜材料。此外，公司持續拓展Thermal-ALD薄膜種類及工藝應用。請務必參閱正文之后的重要聲明 42 5.25.2、SACVDSACVD產品和產品和HDPCVDHDPCVD產品產品 表表 8 8：SACVDSACVD系列產品研發及產業化進展情況系列產品研發及產業化進展情況 資料來源：拓荊科技2023年半年報 產品類型產

91、品類型 主要產品型號主要產品型號 主要薄膜工藝主要薄膜工藝 產品應用情況產品應用情況 SACVD PF-300T SA SA TEOS等介質薄膜材料 在集成電路邏輯芯片、存儲芯片制造領域已實現產業化應用，可以沉積SA TEOS等介質薄膜材料，可實現8英寸與12英寸SACVD設備兼容。PF-300T SAF BPSG、SAF等介質薄膜材料 在集成電路邏輯芯片、存儲芯片制造領域已實現產業化應用，可以沉積BPSG、SAF等介質薄膜材料，可實現8英寸與12英寸SACVD設備兼容。HDPCVD PF-300T Hesper SiO2、FSG、PSG等介質薄膜材料 主要應用于集成電路邏輯芯片、存儲芯片制造

92、領域，已實現產業化應用，可以沉積SiO2、FSG、PSG等介質薄膜材料。TS-300S Hesper 主要應用于集成電路邏輯芯片、存儲芯片制造領域，正在進行產業化驗證，可以沉積SiO2、FSG、PSG等介質薄膜材料。SACVD 設備主要應用于深寬比小于7:1的溝槽填充工藝，是集成電路制造的重要設備之一。在集成電路結構中，溝槽孔洞的深寬比越來越大，SACVD反應腔環境具有特有的高溫（400-550）、高壓（30-600Torr）環境，具有快速優越的填孔能力，同時，SACVD沉積過程沒有等離子體，可以減少對器件的損傷。2023年上半年，公司SACVD產品持續提升產品競爭力，積極拓展應用領域，持續獲

93、得客戶訂單及產業化驗證。截至截至20232023年中報，公司可實現年中報，公司可實現SA TEOSSA TEOS、BPSGBPSG、SAFSAF薄膜工藝沉積的薄膜工藝沉積的SACVDSACVD設備均通過客戶驗證，在國內集成電路制造產線的量產規模逐步提升。設備均通過客戶驗證，在國內集成電路制造產線的量產規模逐步提升。HDPCVD設備主要應用于深寬比小于5:1的溝槽填充工藝，是集成電路制造的重要設備之一。HDPCVD設備可以同時進行薄膜沉積和濺射，所沉積的薄膜致密度更高，雜質含量更低。20232023年上半年，公司年上半年，公司HDPCVDHDPCVD設備已實現首臺產業化應用，并持續獲得客戶訂單，

94、出貨至不同應用領域的不設備已實現首臺產業化應用，并持續獲得客戶訂單，出貨至不同應用領域的不同客戶端進行產業化驗證，可以沉積同客戶端進行產業化驗證，可以沉積SiO2SiO2、FSGFSG、PSGPSG等介質材料薄膜。等介質材料薄膜。請務必參閱正文之后的重要聲明 43 5.35.3、三維集成領域進入成長期，三維集成領域進入成長期，布局前沿鍵合設備布局前沿鍵合設備 資料來源：拓荊科技2023年半年報 圖圖 4040：晶圓鍵合設備應用示意圖晶圓鍵合設備應用示意圖 隨著“后摩爾時代”的來臨，芯片制程持續縮小并接近物理極限，不能再只依賴縮短工藝極限實現最優的芯片性能和復雜的芯片結構，而是轉向通過新的芯片設

95、計架構和芯片堆疊的方式來實現，因此，產生了新的設備需求，即應用于三維集成領域的半導體設備。應用于三維集成領域的設備是三維集成芯片、Chiplet等芯片先進架構設計的技術基礎。以混合鍵合設備為代表的三維集成領域專用設備尚處于產品導入期，業界目前已經在存儲器、圖像傳感器和邏輯芯片領域初步實現產業化。隨著半導體芯片技術的快速發展，三維集成領域將進入成長期，混合鍵合設備作為晶圓級三隨著半導體芯片技術的快速發展，三維集成領域將進入成長期，混合鍵合設備作為晶圓級三維集成應用中最前沿的核心設備之一，其細分市場屆時也將迎來快速增長。維集成應用中最前沿的核心設備之一，其細分市場屆時也將迎來快速增長?；旌湘I合設備

96、作為可以提供鍵合面最小為1m間距的金屬導線連接點以實現芯片或晶圓的堆疊，使芯片間的通信速度提升至業界先進水平，并能提高整體芯片性能。鍵合設備提供的關鍵指標是鍵合面的質量，包括鍵合精度、鍵合強度以及界面空隙，其中鍵合精度和對準精度影響芯片性能，鍵合強度和界面空隙影響芯片整體良率。鍵合設備的研制，對于高精密對準系統、微納精密機械控制、圖像處理和分析、套刻量測等技術需要極其深刻的理解和產業化實踐經驗，技術壁壘較高。同時，隨著鍵合工藝的發展，對鍵合設備的對準精度、鍵合精度等性能指標不斷提出更高的要求。隨著半導體工藝技術的發展，芯片架構由2D、2.5D逐步向3D創新發展，支撐芯片架構發展的鍵合技術不斷更

97、新迭代，而混合鍵合技術具備實現更高帶寬、更高功率、更高通信速度等優勢特點，成為當前業界優選的解決方案。隨著“后摩爾時代”的來臨，以三維集成為代表的先進芯片架構成為半導體芯片技術發展的重要方向和路徑，將直接拉動混合鍵合設備的市場需求量，因此，鍵合設備具有較大的潛在市場需求和未來增長空間。在晶圓級三維集成領域，鍵合設備市場主要由在晶圓級三維集成領域，鍵合設備市場主要由EV GroupEV Group公司、蘇斯（公司、蘇斯（SUSSSUSS）等公司高度壟斷，占據全球超過）等公司高度壟斷，占據全球超過70%70%的市場份額。的市場份額。請務必參閱正文之后的重要聲明 44 表表 9 9：混合鍵合系列產品

98、研發及產業化進展情況混合鍵合系列產品研發及產業化進展情況 資料來源：拓荊科技2023年半年報 產品類型產品類型 主要產品型號主要產品型號 產品應用情況產品應用情況 晶圓對晶圓鍵合產品 Dione 300 主要應用于晶圓級三維集成芯片制造領域，已實現產業化應用，可實現12寸晶圓對晶圓的混合鍵合（Hybrid Bonding）和熔融鍵合（Fusion Bonding）。芯片對晶圓鍵合表面預處理產品 Pollux 主要應用于晶圓級三維集成芯片制造領域，正在進行產業化驗證，主要應用于晶圓及切割后芯片的表面活化及清洗。5.35.3、三維集成領域進入成長期，三維集成領域進入成長期，布局前沿鍵合設備布局前沿

99、鍵合設備 混合鍵合設備是晶圓級三維集成應用中最前沿的核心設備之一，可以在常溫下通過永久鍵合工藝技術實現芯片或晶圓的堆疊，提升芯片間的通信速度及整體芯片性能，相比于傳統工藝還有有效縮短芯片開發周期、有效保證鍵合面氣密性等特點。公司混合鍵合系列產品包括晶圓對晶圓鍵合（Wafer to Wafer Bonding）產品和芯片對晶圓鍵合表面預處理（Die to Wafer Bonding Preparation and Activation）產品。晶圓對晶圓鍵合產品：晶圓對晶圓鍵合產品：晶圓對晶圓鍵合產品可以實現復雜的12英寸晶圓對晶圓常溫共價鍵合，搭載了晶圓表面活化、清洗、鍵合和自研的鍵合精度檢測模

100、塊，具有對準精度高、產能高、無間隙等性能特點。芯片對晶圓鍵合表面預處理產品：芯片對晶圓鍵合表面預處理產品：芯片對晶圓鍵合表面預處理產品可以實現芯片對晶圓鍵合前表面預處理工序，包括晶圓及切割后芯片的表面活化及清洗工藝。20232023年上半年，公司研制的晶圓對晶圓鍵合產品年上半年，公司研制的晶圓對晶圓鍵合產品DioneDione 300300實現首臺產業化應用實現首臺產業化應用,并獲得了重復訂單，取得了突破性進展；公司芯片對晶圓鍵合表并獲得了重復訂單，取得了突破性進展；公司芯片對晶圓鍵合表面預處理產品面預處理產品PolluxPollux已出貨至客戶端進行產業化驗證，驗證進展順利。已出貨至客戶端進

101、行產業化驗證，驗證進展順利。請務必參閱正文之后的重要聲明 目錄目錄 45 1 1、刻蝕和薄膜沉積設備至關重要、刻蝕和薄膜沉積設備至關重要 2 2、刻蝕：、刻蝕：3D NAND3D NAND和先進邏輯制程將大幅提升刻蝕的重要性和先進邏輯制程將大幅提升刻蝕的重要性 3 3、薄膜沉積：在先進邏輯和存儲領域應用廣泛、薄膜沉積：在先進邏輯和存儲領域應用廣泛 4 4、中微公司：中國刻蝕和、中微公司：中國刻蝕和MOCVDMOCVD設備龍頭積極布局薄膜和檢測市場設備龍頭積極布局薄膜和檢測市場 5 5、拓荊科技：中國薄膜沉積設備龍頭卡位鍵合設備市場、拓荊科技：中國薄膜沉積設備龍頭卡位鍵合設備市場 6 6、北方華

102、創：中國半導體設備領軍企業在刻蝕和薄膜領域積累深厚、北方華創：中國半導體設備領軍企業在刻蝕和薄膜領域積累深厚 7 7、投資建議：重點關注中微公司、投資建議：重點關注中微公司/拓荊科技拓荊科技/北方華創北方華創 8 8、風險提示、風險提示 請務必參閱正文之后的重要聲明 46 6 6、北方華創：中國半導體設備領軍企業在刻蝕和薄膜領域積累深厚北方華創：中國半導體設備領軍企業在刻蝕和薄膜領域積累深厚 北方華創致力于半導體基礎產品的研發、生產、銷售和技術服務，主要產品為電子工藝裝備和電子元器件，是國內主流高端電子工藝裝備供應商，也是重要的高精密電子元器件生產基地。公司電子工藝裝備主要包括半導體裝備、真空

103、裝備和新能源鋰電設備，電子元器件主要包括電阻、電容、晶體器件、模塊電源、微波組件等。在半導體工藝裝備領域，北方華創的主要產品包括刻蝕、薄膜、清洗、熱處理、晶體生長等核心工藝裝備，廣泛應用于邏輯器件、存儲器件、先進在半導體工藝裝備領域，北方華創的主要產品包括刻蝕、薄膜、清洗、熱處理、晶體生長等核心工藝裝備，廣泛應用于邏輯器件、存儲器件、先進封裝、第三代半導體、半導體照明、微機電系統、新型顯示、新能源光伏、襯底材料等工藝制造過程。封裝、第三代半導體、半導體照明、微機電系統、新型顯示、新能源光伏、襯底材料等工藝制造過程?？涛g裝備方面，刻蝕裝備方面，面向 12 吋邏輯、存儲、功率、先進封裝等客戶，已完

104、成數百道工藝的量產驗證，ICP 刻蝕產品出貨累計超過 2000 腔；采用高密度、低損傷設計的 12 吋等離子去膠機已在多家客戶完成工藝驗證并量產；金屬刻蝕設備憑借穩定的量產性能成為國內主流客戶的優選機臺；迭代升級的高深寬比 TSV 刻蝕設備，以其優異的性能通過客戶端工藝驗證，支撐 Chiplet 工藝應用；應用于提升芯片良率的 12 吋 CCP 晶邊刻蝕機已進入多家生產線驗證；精準針對客戶需求，發布了雙頻耦合 CCP 介質刻蝕機，實現了在硅刻蝕、金屬刻蝕、介質刻蝕工藝的全覆蓋。面向 6/8 吋兼容的多晶硅刻蝕、金屬刻蝕、介質刻蝕和 SiC、GaN 等化合物刻蝕設備系列，為各類半導體器件提供刻蝕

105、工藝全面解決方案。薄膜裝備方面，薄膜裝備方面，突破了物理氣相沉積、化學氣相沉積和原子層沉積等多項核心關鍵技術，銅互聯薄膜沉積、鋁薄膜沉積、鎢薄膜沉積、硬掩膜沉積、介質膜沉積、TSV 薄膜沉積、背面金屬沉積等二十余款產品成為國內主流芯片廠的優選機臺，廣泛應用于集成電路、功率器件、先進封裝等領域，累計出貨超 3000 腔，支撐了國內主流客戶的量產應用。立式爐裝備方面，立式爐裝備方面，中溫氧化/退火爐、高溫氧化/退火爐、低溫合金爐，低壓化學氣相沉積爐、批式原子層沉積爐均已成為國內主流客戶的量產設備，并持續獲得重復訂單，累計出貨超過 500 臺，憑借優異的量產穩定性獲邏輯、存儲、功率、封裝、襯底材料等

106、領域主流客戶的認可。外延裝備方面，外延裝備方面，產品主要有 SiC 外延爐、硅基 GaN 外延爐、6/8 吋多片硅外延爐，8 吋單片硅外延爐，12 吋單片硅外延爐等 20 余款量產設備，累計出貨近千腔，覆蓋集成電路、功率器件、硅材料、第三代半導體等領域應用需求。清洗裝備方面，清洗裝備方面，擁有單片清洗、槽式清洗兩大技術平臺，主要應用于 12 吋集成電路領域。單片清洗機覆蓋 Al/Cu 制程全部工藝，是國內主流廠商后道制程的優選機臺；槽式清洗機已覆蓋 RCA、Gate、PR strip、磷酸、Recycle 等工藝制程，并在多家客戶端實現量產，屢獲重復訂單。臥式爐管設備方面，臥式爐管設備方面，主

107、要為光伏客戶提供氧化擴散、等離子體化學氣相沉積、低壓化學氣相沉積三大技術平臺基礎上的硼擴、磷擴、氧化退火、正/背膜氮化硅沉積、多晶硅沉積、多晶硅摻雜、隧穿氧化層沉積、異質結非晶硅薄膜沉積等 20 余款工藝設備，適用于PERC、TOPCon、HJT 等多種技術路線工藝應用，實現主流客戶全覆蓋。請務必參閱正文之后的重要聲明 目錄目錄 47 1 1、刻蝕和薄膜沉積設備至關重要、刻蝕和薄膜沉積設備至關重要 2 2、刻蝕：、刻蝕：3D NAND3D NAND和先進邏輯制程將大幅提升刻蝕的重要性和先進邏輯制程將大幅提升刻蝕的重要性 3 3、薄膜沉積：在先進邏輯和存儲領域應用廣泛、薄膜沉積：在先進邏輯和存儲

108、領域應用廣泛 4 4、中微公司：中國刻蝕和、中微公司：中國刻蝕和MOCVDMOCVD設備龍頭積極布局薄膜和檢測市場設備龍頭積極布局薄膜和檢測市場 5 5、拓荊科技：中國薄膜沉積設備龍頭卡位鍵合設備市場、拓荊科技：中國薄膜沉積設備龍頭卡位鍵合設備市場 6 6、北方華創：中國半導體設備領軍企業在刻蝕和薄膜領域積累深厚、北方華創：中國半導體設備領軍企業在刻蝕和薄膜領域積累深厚 7 7、投資建議：重點關注中微公司、投資建議：重點關注中微公司/拓荊科技拓荊科技/北方華創北方華創 8 8、風險提示、風險提示 請務必參閱正文之后的重要聲明 資料來源：Wind，光大證券研究所。注：2024-2025年歸母凈利

109、潤為Wind一致預期，中微公司、盛美上海歸母凈利潤選用2023年年報數據，拓荊科技、華海清科、中科飛測-U、微導納米、美?？萍?、富創精密歸母凈利潤選用2023年業績快報數據，其余公司選用2023年業績預告數據中值；市值日期為2024年4月2日 48 表表 1010：半導體設備和半導體半導體設備和半導體零部件重點關注公司零部件重點關注公司 7 7、投資建議：半導體設備行業核心關注中微公司投資建議：半導體設備行業核心關注中微公司/拓荊科技拓荊科技/北方華創北方華創 證券代碼證券代碼 證券簡稱證券簡稱 總總市值（市值（億元）億元）歸母凈歸母凈利潤（億元）利潤（億元）PEPE 21A21A 22E22

110、E 23A/E23A/E 24E24E 25E25E 21A21A 22E22E 23A/E23A/E 24E24E 25E25E 688012.SH 中微公司 926.13 10.11 11.70 17.86 20.39 26.19 92 79 52 45 35 002371.SZ 北方華創 1,583.46 10.77 23.53 38.80 52.95 69.41 147 67 41 30 23 688072.SH 拓荊科技 338.44 0.68 3.69 6.65 8.31 11.39 494 92 51 41 30 300567.SZ 精測電子 188.03 1.92 2.72 1

111、.65 3.39 4.83 98 69 114 55 39 603690.SH 至純科技 103.21 2.82 2.82 4.52 5.07 6.75 37 37 23 20 15 688037.SH 芯源微 148.34 0.77 2.00 2.51 4.05 5.68 192 74 59 37 26 688082.SH 盛美上海 373.40 2.66 6.68 9.11 11.44 14.61 140 56 41 33 26 688120.SH 華海清科 273.13 1.98 5.02 7.27 10.09 13.18 138 54 38 27 21 688361.SH 中科飛測-U

112、 181.18 0.53 0.12 1.42 1.99 2.90 339 1,543 127 91 63 688147.SH 微導納米 164.01 0.46 0.54 2.57 5.32 7.59 356 303 64 31 22 600641.SH 萬業企業 124.05 3.77 4.24 1.50 2.75 3.33 33 29 83 45 37 688376.SH 美?？萍?49.57 1.08 1.23 1.73 2.38 3.01 46 40 29 21 16 688409.SH 富創精密 132.75 1.26 2.46 1.58 3.37 4.83 105 54 84 39

113、27 半導體設備行業核心建議關注中微公司、拓荊科技、北方華創；建議關注精測電子、至純科技、芯源微、盛美上海、華海清科、中科飛測-U、微導納米、萬業企業、美?？萍?、富創精密。請務必參閱正文之后的重要聲明 49 表表 1111：半導體設備和半導體零部件重點公司：半導體設備和半導體零部件重點公司20222022-20232023年單季度歸母凈利潤及同比增速年單季度歸母凈利潤及同比增速 7 7、投資建議：半導體設備行業核心關注中微公司投資建議：半導體設備行業核心關注中微公司/拓荊科技拓荊科技/北方華創北方華創 證券代碼證券代碼 證券簡稱證券簡稱 單季度歸母凈利潤（億元）單季度歸母凈利潤（億元）同比增速

114、（同比增速（%）22Q122Q1 22Q222Q2 22Q322Q3 22Q422Q4 23Q123Q1 23Q223Q2 23Q323Q3 23Q423Q4 23Q123Q1 23Q223Q2 23Q323Q3 23Q423Q4 688012.SH 中微公司 1.17 3.51 3.25 3.77 2.75 7.28 1.57 6.26 135%108%-52%66%002371.SZ 北方華創 2.06 5.48 9.31 6.67 5.92 12.08 10.85 187%120%16%688072.SH 拓荊科技-0.12 1.20 1.29 1.31 0.54 0.71 1.46 N

115、/A-41%13%300567.SZ 精測電子 0.28 0.01 1.14 1.28 0.12 0.002-0.25-58%-72%N/A 603690.SH 至純科技 0.22 0.59 0.81 1.20 0.63 0.46 0.87 186%-23%7%688037.SH 芯源微 0.32 0.37 0.74 0.57 0.66 0.70 0.85 104%88%15%688082.SH 盛美上海 0.04 2.32 2.04 2.28 1.31 3.09 2.33 2.38 2937%33%14%5%688120.SH 華海清科 0.91 0.94 1.57 1.59 1.94 1.

116、80 1.90 112%91%21%688361.SH 中科飛測-U-0.20-0.12 0.10 0.34 0.31 0.15 0.33 N/A N/A 237%688147.SH 微導納米 0.03-0.42 0.36 0.57-0.01 0.70 0.87 N/A N/A 140%600641.SH 萬業企業 0.27 0.01 0.24 3.71 0.80 0.38 0.45 195%3296%86%688376.SH 美?？萍?0.27 0.37 0.23 0.37 0.34 0.43 0.52 25%19%131%688409.SH 富創精密 0.41 0.60 0.63 0.82

117、 0.39 0.56 0.36-3%-6%-42%資料來源：Wind，光大證券研究所 注：截至2024年4月2日，重點公司中僅中微公司、盛美上海發布2023年年報。請務必參閱正文之后的重要聲明 資料來源：Wind，光大證券研究所 注：截至2024年4月2日，重點公司中僅中微公司、盛美上海發布2023年年報。50 表表 1212：半導體設備和半導體零部件重點公司：半導體設備和半導體零部件重點公司20222022-20232023年單季度營業收入及同比增速年單季度營業收入及同比增速 7 7、投資建議：半導體設備行業核心關注中微公司投資建議：半導體設備行業核心關注中微公司/拓荊科技拓荊科技/北方華創

118、北方華創 證券代碼證券代碼 證券簡稱證券簡稱 單單季度營業收入（季度營業收入（億元）億元）同比增速（同比增速（%）22Q122Q1 22Q222Q2 22Q322Q3 22Q422Q4 23Q123Q1 23Q223Q2 23Q323Q3 23Q423Q4 23Q123Q1 23Q223Q2 23Q323Q3 23Q423Q4 688012.SH 中微公司 9.49 10.23 10.71 16.97 12.23 13.03 15.15 22.22 29%27%41%31%002371.SZ 北方華創 21.36 33.08 45.68 46.76 38.71 45.55 61.62 81%3

119、8%35%688072.SH 拓荊科技 1.08 4.16 4.68 7.14 4.02 6.01 6.99 274%45%49%300567.SZ 精測電子 6.04 5.01 7.15 9.10 6.01 5.09 4.34 0%1%-39%603690.SH 至純科技 5.48 5.72 8.06 11.24 7.84 6.96 7.19 43%22%-11%688037.SH 芯源微 1.84 3.21 3.92 4.88 2.88 4.07 5.11 57%27%30%688082.SH 盛美上海 3.54 7.42 8.83 8.95 6.16 9.94 11.40 11.39 7

120、4%34%29%27%688120.SH 華海清科 3.48 3.69 4.16 5.15 6.16 6.18 6.06 77%68%46%688361.SH 中科飛測-U 0.46 0.75 1.37 2.51 1.62 2.04 2.22 255%170%62%688147.SH 微導納米 1.32 0.23 2.29 2.99 0.76 3.06 6.39-43%1204%179%600641.SH 萬業企業 0.97 0.69 0.84 9.07 1.24 2.65 3.73 28%286%343%688376.SH 美?？萍?2.67 3.00 2.72 3.89 2.68 3.84

121、 4.20 0%28%55%688409.SH 富創精密 2.80 3.17 4.15 5.32 3.41 4.87 5.61 22%54%35%請務必參閱正文之后的重要聲明 目錄目錄 51 1 1、刻蝕和薄膜沉積設備至關重要、刻蝕和薄膜沉積設備至關重要 2 2、刻蝕：、刻蝕：3D NAND3D NAND和先進邏輯制程將大幅提升刻蝕的重要性和先進邏輯制程將大幅提升刻蝕的重要性 3 3、薄膜沉積：在先進邏輯和存儲領域應用廣泛、薄膜沉積：在先進邏輯和存儲領域應用廣泛 4 4、中微公司：中國刻蝕和、中微公司：中國刻蝕和MOCVDMOCVD設備龍頭積極布局薄膜和檢測市場設備龍頭積極布局薄膜和檢測市場

122、5 5、拓荊科技：中國薄膜沉積設備龍頭卡位鍵合設備市場、拓荊科技：中國薄膜沉積設備龍頭卡位鍵合設備市場 6 6、北方華創：中國半導體設備領軍企業在刻蝕和薄膜領域積累深厚、北方華創：中國半導體設備領軍企業在刻蝕和薄膜領域積累深厚 7 7、投資建議：重點關注中微公司、投資建議：重點關注中微公司/拓荊科技拓荊科技/北方華創北方華創 8 8、風險提示、風險提示 請務必參閱正文之后的重要聲明 52 半導體需求不及預期風險。半導體需求不及預期風險。半導體可能存在需求不足等問題，后續應用產品需求可能不及預期。宏觀經濟不如預期風險。宏觀經濟不如預期風險。在全球貿易爭端頻發、國際環境復雜多變的宏觀背景下，半導體

123、相關領域的發展可能會受到負面影響，從而影響相關業務領域的市場需求。行業競爭加劇風險。行業競爭加劇風險。半導體技術難度高、研發時間長，企業的技術創新能力、資金實力和人才素質等都是競爭的核心要素。相關企業若不能抓住行業發展機遇，不能及時根據市場變化加快技術升級，提高產品及服務質量，可能面臨新產品和前沿技術的替代風險，降低市場競爭力可能導致行業競爭加劇，產生不利影響。8 8、風險提示、風險提示 通信電子研究團隊 劉凱劉凱 執業證書編號：S0930517100002 電話：021-52523849 郵件： 石崎良石崎良 執業證書編號：S0930518070005 電話：021-52523856 郵件：

124、 于文龍于文龍 執業證書編號：S0930522100002 電話：021-52523587 郵件： 何昊何昊 執業證書編號：S0930522090002 電話：021-52523869 郵件： 林仕霄林仕霄 執業證書編號：S0930522090003 電話：021-52523818 郵件： 朱宇澍朱宇澍 執業證書編號：S0930522050001 電話：021-52523805 郵件： 王之含王之含 聯系人 電話：021-52523818 郵件： 孫嘯孫嘯 孫嘯孫嘯 執業證書編號：S0930524030002 電話：021-52523587 郵件： 黃筱茜黃筱茜 聯系人 電話：021-5252

125、3813 郵件： 招商基金分析師聲明分析師聲明 本報告署名分析師具有中國證券業協會授予的證券投資咨詢執業資格并注冊為證券分析師，以勤勉的職業態度、專業審慎的研究方法，使用合法合規的信息，獨立、客觀地出具本報告，并對本報告的內容和觀點負責。負責準備以及撰寫本報告的所有研究人員在此保證，本研究報告中任何關于發行商或證券所發表的觀點均如實反映研究人員的個人觀點。研究人員獲取報酬的評判因素包括研究的質量和準確性、客戶反饋、競爭性因素以及光大證券股份有限公司的整體收益。所有研究人員保證他們報酬的任何一部分不曾與，不與，也將不會與本報告中具體的推薦意見或觀點有直接或間接的聯系。行業及公司評級體系行業及公司

126、評級體系 買入未來6-12個月的投資收益率領先市場基準指數15%以上；增持未來6-12個月的投資收益率領先市場基準指數5%至15%；中性未來6-12個月的投資收益率與市場基準指數的變動幅度相差-5%至5%；減持未來6-12個月的投資收益率落后市場基準指數5%至15%；賣出未來6-12個月的投資收益率落后市場基準指數15%以上；無評級因無法獲取必要的資料，或者公司面臨無法預見結果的重大不確定性事件，或者其他原因，致使無法給出明確的投資評級?；鶞手笖嫡f明：A股市場基準為滬深300指數；香港市場基準為恒生指數；美國市場基準為納斯達克綜合指數或標普500指數。特別聲明特別聲明 光大證券股份有限公司（以

127、下簡稱“本公司”）成立于1996年，是中國證監會批準的首批三家創新試點證券公司之一，也是世界500強企業中國光大集團股份公司的核心金融服務平臺之一。根據中國證監會核發的經營證券期貨業務許可，本公司的經營范圍包括證券投資咨詢業務。本公司經營范圍：證券經紀；證券投資咨詢；與證券交易、證券投資活動有關的財務顧問；證券承銷與保薦；證券自營；為期貨公司提供中間介紹業務；證券投資基金代銷；融資融券業務；中國證監會批準的其他業務。此外，本公司還通過全資或控股子公司開展資產管理、直接投資、期貨、基金管理以及香港證券業務。本報告由光大證券股份有限公司研究所（以下簡稱“光大證券研究所”）編寫，以合法獲得的我們相信

128、為可靠、準確、完整的信息為基礎，但不保證我們所獲得的原始信息以及報告所載信息之準確性和完整性。光大證券研究所可能將不時補充、修訂或更新有關信息，但不保證及時發布該等更新。本報告中的資料、意見、預測均反映報告初次發布時光大證券研究所的判斷，可能需隨時進行調整且不予通知。在任何情況下，本報告中的信息或所表述的意見并不構成對任何人的投資建議?？蛻魬灾髯鞒鐾顿Y決策并自行承擔投資風險。本報告中的信息或所表述的意見并未考慮到個別投資者的具體投資目的、財務狀況以及特定需求。投資者應當充分考慮自身特定狀況，并完整理解和使用本報告內容，不應視本報告為做出投資決策的唯一因素。對依據或者使用本報告所造成的一切后果

129、，本公司及作者均不承擔任何法律責任。不同時期，本公司可能會撰寫并發布與本報告所載信息、建議及預測不一致的報告。本公司的銷售人員、交易人員和其他專業人員可能會向客戶提供與本報告中觀點不同的口頭或書面評論或交易策略。本公司的資產管理子公司、自營部門以及其他投資業務板塊可能會獨立做出與本報告的意見或建議不相一致的投資決策。本公司提醒投資者注意并理解投資證券及投資產品存在的風險，在做出投資決策前，建議投資者務必向專業人士咨詢并謹慎抉擇。在法律允許的情況下，本公司及其附屬機構可能持有報告中提及的公司所發行證券的頭寸并進行交易，也可能為這些公司提供或正在爭取提供投資銀行、財務顧問或金融產品等相關服務。投資者應當充分考慮本公司及本公司附屬機構就報告內容可能存在的利益沖突，勿將本報告作為投資決策的唯一信賴依據。本報告根據中華人民共和國法律在中華人民共和國境內分發，僅向特定客戶傳送。本報告的版權僅歸本公司所有，未經書面許可，任何機構和個人不得以任何形式、任何目的進行翻版、復制、轉載、刊登、發表、篡改或引用。如因侵權行為給本公司造成任何直接或間接的損失，本公司保留追究一切法律責任的權利。所有本報告中使用的商標、服務標記及標記均為本公司的商標、服務標記及標記。光大證券股份有限公司版權所有光大證券股份有限公司版權所有。保留一切。保留一切權利。權利。