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1、 公司公司報告報告 | 首次覆蓋報告首次覆蓋報告 1 斯達半導斯達半導(603290) 證券證券研究報告研究報告 2020 年年 02 月月 11 日日 投資投資評級評級 行業行業 電子/半導體 6 個月評級個月評級 買入(首次評級) 當前當前價格價格 26.87 元 目標目標價格價格 95.63 元 基本基本數據數據 A 股總股本(百萬股) 160.00 流通A 股股本(百萬股) 40.00 A 股總市值(百萬元) 4,299.20 流通A 股市值(百萬元) 1,074.80 每股凈資產(元) 4.40 資產負債率(%) 40.42 一年內最高/最低(元) 26.87/15.29 作者作者
2、潘暕潘暕 分析師 SAC 執業證書編號:S1110517070005 陳俊杰陳俊杰 分析師 SAC 執業證書編號:S1110517070009 資料來源:貝格數據 相關報告相關報告 股價股價走勢走勢 國內國內 IGBT 龍頭,國產替代先驅龍頭,國產替代先驅 國內汽車級國內汽車級 IGBT 模塊領軍企業,打破了國際巨頭對于大功率工業級和車模塊領軍企業,打破了國際巨頭對于大功率工業級和車 用級模塊的壟斷。用級模塊的壟斷。公司深耕 IGBT 芯片和模塊,采用 Fabless 模式,專注 于 IGBT 器件設計及制造工藝。公司已經成功研發出 FS-Trench 型 IGBT 芯片并實現規?;慨a。同時
3、公司已經成功研發出可多個芯片并聯的快恢 復二極管芯片,其具備正溫度系數、漏電流小的特性。以上兩種芯片已成 功應用于大功率工業級和車用級模塊,打破了大功率工業級和車用級模塊 完全依賴進口芯片的被動局面。根據 IHS 最新報告,2018 年斯達半導體 在全球 IGBT 模塊市場排名第八,并且是唯一進入前十的中國企業。 歐洲、日本及美國企業歐洲、日本及美國企業主導主導 IGBT 市場,斯達半導打破壟斷,替代空間廣市場,斯達半導打破壟斷,替代空間廣 闊闊。 根據 IHS 最新報告, 全球前五大 IGBT 供應商占據市場份額超過 65%, 排名第一的英飛凌市占率達到 34.5%。全球前十大 IGBT 供
4、應商,國內僅 有斯達半導上榜,市占率僅為 2.2%,與龍頭企業相差甚遠。斯達半導作為 國內 IGBT 領先企業,在國產替代方面具備優勢,成長空間較大。 下游應用領域拓展下游應用領域拓展+國產替代,國內國產替代,國內 IGBT 企業迎來發展機遇。企業迎來發展機遇。IGBT 模塊 在電機節能、軌道交通、智能電網、航空航天、家用電器、汽車電子、新 能源發電、新能源汽車等諸多領域都有廣泛的應用,其中新能源汽車為 IGBT 市場發展的第一驅動力。 根據 YOLE 的預測, 全球 IGBT 市場在 2022 年將超過 50 億美元,主要增長來自 IGBT 功率模塊,而電動汽車/混合動 力汽車中 IGBT
5、的總收入將占整個 IGBT 市場的 40%左右。未來幾年我國 IGBT 行業將持續快速發展,預計到 2024 年我國 IGBT 行業產量將達到 7820 萬只,需求量將達到 1.96 億只,需求仍將遠超產量,國內產能嚴重 不足。斯達半導作為國內 IGBT 龍頭企業,技術領先國內同行,迎來發展 機遇。 募資投資項目圍繞主業,突破產能瓶頸,打開全新增長空間。募資投資項目圍繞主業,突破產能瓶頸,打開全新增長空間。由于市場增 長速度較快, 目前新能源汽車用 IGBT 模塊經常出現階段性供貨緊張情況。 公司募資投入“IGBT 模塊擴產項目” ,預計兩年內項目建設完成,投入全 面生產。全面達產后,新增年產
6、 120 萬個新能源汽車用 IGBT 模塊生產能 力,預計實現銷售 42,000.00 萬元,預計年均可實現利潤 6,404.70 萬元。 隨著節能環保的大力推行,變頻白色家電催生 IPM 模塊需求。公司“IPM 模塊項目”兩年投產,全面達產后,形成年產 700 萬個 IPM 模塊的生產能 力,預計實現銷售 31,500.00 萬元,預計年均可實現利潤 4,967.10 萬元。 兩個新建項目完成后將緩解公司產能緊張問題,進一步搶占國內市場,加 速國產替代。 盈利預測與估值。盈利預測與估值。 公司作為國內 IGBT 龍頭企業, 受到下游新能源汽車等領 域需求增長,以及國產替代等因素的推動,我們長
7、期看好公司發展。我們 預計 19-21 年,公司實現歸母凈利潤 1.30/1.70/2.29 億元,目標價 95.63 元,給予“買入”評級。 風險風險提示提示:行業競爭加劇,新能源車普及不及預期,新建項目進度不及預 期。 財務數據和估值財務數據和估值 2017 2018 2019E 2020E 2021E 營業收入(百萬元) 437.98 675.37 777.58 1,011.89 1,314.84 增長率(%) 45.67 54.20 15.14 30.13 29.94 EBITDA(百萬元) 117.25 181.66 159.23 212.74 277.51 凈利潤(百萬元) 52.
8、72 96.74 130.07 170.44 229.44 增長率(%) 145.61 83.50 34.45 31.04 34.61 EPS(元/股) 0.33 0.60 1.08 1.07 1.43 市盈率(P/E) 74.14 40.40 22.54 22.93 17.04 市凈率(P/B) 11.40 9.00 5.19 5.04 3.89 市銷率(P/S) 8.92 5.79 3.77 3.86 2.97 EV/EBITDA 0.00 0.00 18.67 18.27 14.05 0% 22% 44% 66% 88% 110% 132% 154% 2019-022019-062019
9、-10 斯達半導 半導體 滬深300 公司報告公司報告 | | 首次覆蓋報告首次覆蓋報告 2 內容目錄內容目錄 1. 全球領先的全球領先的 IGBT 模組供應商模組供應商 . 4 1.1. 深耕 IGBT 芯片與模塊,純正的功率半導體標的 . 4 1.2. IGBT 模塊全球排名前十,打破巨頭壟斷 . 7 2. 應用領域拓展應用領域拓展+國產替代,雙重利好加速國產替代,雙重利好加速 IGBT 企業成長企業成長 . 9 2.1. IGBT 市場空間廣闊 . 9 2.2. 國外寡頭主導 IGBT 市場,國內企業逐漸成長 . 11 2.3. 電動車和充電樁是未來國內 IGBT 發展的最大驅動力 .
10、12 2.4. 電能產業鏈各環節對 IGBT 需求旺盛 . 14 3. 募資投資項目圍繞主業,突破產能瓶頸募資投資項目圍繞主業,突破產能瓶頸 . 15 3.1. 擴產 IGBT 模塊,搶占新能源汽車市場. 15 3.2. 擴產 IPM 模塊,迎合變頻白色家電替換 . 16 4. 盈利預測與估值盈利預測與估值 . 16 4.1. 核心假設 . 16 4.2. 盈利預測 . 17 4.3. 風險提示 . 17 圖表目錄圖表目錄 圖 1:斯達半導功率半導體產品樣例 . 4 圖 2:斯達半導營收及毛利率(單位:億元) . 4 圖 3:斯達半導研發支出及增速(單位:百萬元) . 4 圖 4:IGBT 主
11、要技術步驟. 4 圖 5:2019 上半年斯達半導營收按產品分類 . 5 圖 6:2019 上半年斯達半導營收按行業分類 . 5 圖 7:1200VIGBT 模塊樣例 . 6 圖 8:600VIGBT 模塊樣例 . 6 圖 9:斯達半導股權結構 . 6 圖 10:2018 年全球 IGBT 模塊市場排名 . 7 圖 11:電動汽車組成框架圖 . 8 圖 12:電動汽車功率模塊 . 8 圖 13:斯達半導組織結構 . 8 圖 14:各類功率半導體器件工作范圍 . 9 圖 15:各類功率半導體器件應用領域 . 9 圖 16:YOLE 預測全球 IGBT 市場規模 . 10 圖 17:我國 IGBT
12、 行業產量預測(單位:萬只) . 10 圖 18:我國 IGBT 行業需求量預測(單位:萬只) . 10 圖 19:全球 IGBT 企業市占率 . 11 公司報告公司報告 | | 首次覆蓋報告首次覆蓋報告 3 圖 20:全球 IGBT 市場產業鏈 . 12 圖 21:IGBT 在電動車輔助逆變系統的應用 . 12 圖 22:新能源汽車銷量預測(單位:萬輛) . 13 圖 23:全球汽車功率半導體市場規模(單位:億美元) . 13 圖 24:全球充電樁規模預測(單位:萬樁) . 13 圖 25:2020 年世界各國電動汽車充電樁建設數目占比預測 . 13 圖 26:電能需求預測. 14 圖 27
13、:電能產業鏈 . 14 圖 28:IGBT 模塊擴產項目實施進度計劃表 . 15 圖 29:IPM 模塊項目實施進度計劃表. 16 表 1:斯達半導與上海華虹和上海先進所簽訂的處于存續期內的外協合同情況 . 5 表 2:IGBT 芯片技術發展史 . 9 表 3:發行募資投資項目(單位:萬元) . 15 表 4:公司營收預測(單位:萬元) . 17 表 5:可比公司情況(單位:百萬元,數據日期 2020.2.7) . 17 公司報告公司報告 | | 首次覆蓋報告首次覆蓋報告 4 1. 全球領先的全球領先的 IGBT 模組供應商模組供應商 1.1. 深耕深耕 IGBT 芯片與模塊,純正的功率半導體
14、標的芯片與模塊,純正的功率半導體標的 嘉興斯達半導體股份有限公司嘉興斯達半導體股份有限公司成立于 2005 年 4 月,是一家專業從事功率半導體芯片 和模塊尤其是 IGBT 芯片和模塊芯片和模塊研發、生產和銷售服務的國家級高新技術企業??偛?位于浙江嘉興,在上海和歐洲均設有子公司,并在國內和歐洲設有研發中心國內和歐洲設有研發中心,是目前 國內 IGBT 領域的領軍企業。 圖圖 1:斯達半導斯達半導功率半導體功率半導體產品樣例產品樣例 資料來源:公司官網,天風證券研究所 受益于下游需求旺盛, 斯達半導近年來營收高速增長, 2015-2018年復合增長率為38.70%, 2018 年營收達到 6.
15、75 億元。公司注重研發投入,2017 年和 2018 年研發支出分別為 0.38 億元、0.49 億元,增速為 34.02%、27.68%。 圖圖 2:斯達半導營收及斯達半導營收及毛利率毛利率(單位:億元)(單位:億元) 圖圖 3:斯達半導斯達半導研發支出研發支出及增速(單位:及增速(單位:百萬百萬元)元) 資料來源:wind,天風證券研究所 資料來源:wind,天風證券研究所 IGBT 芯片、 快恢復二極管芯片企業根據是否自建晶圓生產線是否自建晶圓生產線分為兩種經營模式: IDM 模式模式和 Fabless 模式模式。 IDM 模式即垂直整合制造商,是指包含電路設計、晶圓制造、封裝測試以及
16、投向消費 市場全環節業務的企業模式。該模式對企業技術、資金和市場份額要求極高,目前僅 有英飛凌、三菱等少數國際巨頭采用此模式。 斯達半導為斯達半導為 Fabless 廠商廠商,主要采取自主研發的,主要采取自主研發的 IGBT 芯片及快恢復二極管芯片生芯片及快恢復二極管芯片生 產模式產模式,即公司負責 IGBT 器件設計及制造工藝,并將 IGBT 器件設計圖和制造工藝 轉交給代工廠商,由代工廠商負責制造生產。 圖圖 4:IGBT 主要技術步驟主要技術步驟 2.53 3.01 4.38 6.75 28.83% 27.97% 30.60% 29.41% 26.50% 27.00% 27.50% 28
17、.00% 28.50% 29.00% 29.50% 30.00% 30.50% 31.00% 0 1 2 3 4 5 6 7 8 2015201620172018 營收毛利率 28.2928.66 38.41 49.04 1.31% 34.02% 27.68% 0.00% 5.00% 10.00% 15.00% 20.00% 25.00% 30.00% 35.00% 40.00% 0 10 20 30 40 50 60 2015201620172018 研發支出增速 公司報告公司報告 | | 首次覆蓋報告首次覆蓋報告 5 資料來源:YOLE,天風證券研究所 Fabless 模式下,模式下, 公
18、司公司芯片生產不涉及自身產能情況。芯片生產不涉及自身產能情況。 斯達半導于年初與代工廠溝通, 預計本年度芯片代工量,代工廠商會為公司預留相應的產能,代工廠商剩余產能亦會 為其他公司生產相應的芯片。 表表 1:斯達半導斯達半導與上海華虹和上海先進所簽訂的處于存續期內的外協合同情與上海華虹和上海先進所簽訂的處于存續期內的外協合同情況況 簽約主體 合同名稱 簽訂日期 合同期限 上海華虹 斯達股份 保密協議 2018.02.10 五年 上海道之 保密協議 2018.07.23 三年 上海道之 保密協議之補充協議 2018.09.27 合作終止之日 起滿四年 上海先進 上海道之 上海先進半導體制造有限公
19、 司銷售條款與條件 2018.08.02 兩年 上海道之 Foundry 圓片加工質量協議 2018.08.02 兩年 斯達股份 保密協議 2018.06.20 三年 上海道之 保密協議 2018.06.20 三年 浙江谷藍 保密協議 2018.06.20 三年 資料來源:招股說明書,天風證券研究所 公司主要產品為功率半導體元器件,包括公司主要產品為功率半導體元器件,包括 IGBT、MOSFET、IPM、FRD、SiC 等等。等等。 公司成功研發出了全系列 IGBT 芯片、FRD 芯片和 IGBT 模塊,實現了進口替代。其 中 IGBT 模塊產品超過模塊產品超過 600 種,電壓等級涵蓋種,電
20、壓等級涵蓋 100V3300V,電流等級涵蓋,電流等級涵蓋 10A 3600A。 產品已被成功應用于新能源汽車、 變頻器、 逆變焊機、新能源汽車、 變頻器、 逆變焊機、 UPS、 光伏、 光伏/風力發電、風力發電、 SVG、白色家電等領域、白色家電等領域。 圖圖 5:2019 上半年上半年斯達半導營收斯達半導營收按按產品產品分類分類 圖圖 6:2019 上半年上半年斯達半導營收斯達半導營收按行業分類按行業分類 公司報告公司報告 | | 首次覆蓋報告首次覆蓋報告 6 資料來源:wind,天風證券研究所 資料來源:wind,天風證券研究所 圖圖 7:1200VIGBT 模塊樣例模塊樣例 圖圖 8:
21、600VIGBT 模塊樣例模塊樣例 資料來源:公司官網,天風證券研究所 資料來源:公司官網,天風證券研究所 沈華、胡畏夫婦分別持有斯達控股 70%和 30%的股份,并通過斯達控股間接持有香港斯 達 100%的股份,實際支配了香港斯達所持公司 59.39%的股份,為公司的實際控制人。 圖圖 9:斯達半導股權結構斯達半導股權結構 74.47% 23.58% 1.47% 0.48% 1200VIGBT模塊其他電壓IGBT模塊 其他產品其他 77.55% 17.97% 4.01% 0.48% 工業控制及電源行業新能源行業 變頻白色家電及其他行業其他 公司報告公司報告 | | 首次覆蓋報告首次覆蓋報告
22、7 資料來源:招股說明書,天風證券研究所 1.2. IGBT 模塊全球排名前十,模塊全球排名前十,打破巨頭壟斷打破巨頭壟斷 根據全球著名市場研究機構 IHS 最新報告,2018 年斯達半導體年斯達半導體 Starpower 在全球在全球 IGBT 模塊市場排名第八,并且是唯一進入前十的中國企業模塊市場排名第八,并且是唯一進入前十的中國企業。 圖圖 10:2018 年全球年全球 IGBT 模塊市場排名模塊市場排名 資料來源:IHS,天風證券研究所 斯達半導打破了國際巨頭對于大功率斯達半導打破了國際巨頭對于大功率工業級和車用級模塊工業級和車用級模塊的壟斷。的壟斷。 國內 IGBT 芯片和快恢 復二
23、極管芯片主要依賴進口,國內可以自主研發 IGBT 芯片和快恢復二極管芯片的公司較 少。斯達半導已經成功研發出 FS-Trench 型型 IGBT 芯片芯片并實現規?;慨a。同時公司已 經成功研發出可多個芯片并聯的快恢復二極管芯片可多個芯片并聯的快恢復二極管芯片, 其具備正溫度系數、 漏電流小的特性。 以上兩種芯片已成功應用于大功率工業級和車用級模塊,打破了大功率工業級和車用級模以上兩種芯片已成功應用于大功率工業級和車用級模塊,打破了大功率工業級和車用級模 塊完全依賴進口芯片的被動局面。塊完全依賴進口芯片的被動局面。 公司報告公司報告 | | 首次覆蓋報告首次覆蓋報告 8 斯達半導在斯達半導在
24、IGBT 高端應用領域具備競爭優勢,已成為國內汽車級高端應用領域具備競爭優勢,已成為國內汽車級 IGBT 模塊領軍企業模塊領軍企業。 IGBT 模塊工藝較為復雜,設計制造流程較為繁瑣。由于國外企業起步較早,制造經驗較 為豐富,其制造工藝普遍領先于國內企業。公司通過十幾年的鉆研,不僅擁有了先進的制 造工藝及測試技術,亦將其成功運用于實際生產中。 圖圖 11:電動汽車組成框架圖電動汽車組成框架圖 圖圖 12:電動汽車功率模塊電動汽車功率模塊 資料來源:公司官網,天風證券研究所 資料來源:公司官網,天風證券研究所 斯達半導與國內下游客戶交流更通暢,能迅速響應客戶要求,推出定制化產品,滿足客戶斯達半導
25、與國內下游客戶交流更通暢,能迅速響應客戶要求,推出定制化產品,滿足客戶 個性化需求。個性化需求。 公司擁有 IGBT 模塊的設計和應用專家,并成立了專門的應用部應用部,能夠快速、準確地理解 客戶的個性化需求,并將這種需求轉化成產品要求;同時,公司建立了將客戶需求快速有 效地轉化成產品的新產品開發機制,目前公司已形成上百種個性化產品目前公司已形成上百種個性化產品,這些個性化產品 成為公司保持與現有客戶長期穩定合作的重要基礎;另外,與國際品牌廠商相比,作為 IGBT 模塊的國產廠商,公司采用了直銷模式,直接與客戶對接,從而進一步提升了服務 客戶的效率。 圖圖 13:斯達半導組織結構斯達半導組織結構
26、 資料來源:招股說明書,天風證券研究所 公司報告公司報告 | | 首次覆蓋報告首次覆蓋報告 9 2. 應用領域拓展應用領域拓展+國產替代,雙重利好加速國產替代,雙重利好加速 IGBT 企業成長企業成長 2.1. IGBT 市場空間廣闊市場空間廣闊 IGBT 是是 Insulated Gate Bipolar Transistor 的縮寫,即絕緣柵雙極型晶體管。的縮寫,即絕緣柵雙極型晶體管。它是由 BJT和MOSFET組成的復合功率半導體器件, 既有MOSFET的開關速度高、 輸入阻抗高、 控制功率小、驅動電路簡單、開關損耗小的優點,又有 BJT 導通電壓低、通態電流大、損 耗小的優點,在高壓、
27、大電流、高速等方面是其他功率器件不能比擬的在高壓、大電流、高速等方面是其他功率器件不能比擬的,因而是電力電子,因而是電力電子 領域較為理想的開關器件,是未來應用發展的主要方向。領域較為理想的開關器件,是未來應用發展的主要方向。 圖圖 14:各類功率半導體器件工作范圍各類功率半導體器件工作范圍 資料來源:YOLE,天風證券研究所 IGBT 芯片芯片發展史:發展史: 從 20 世紀 80 年代至今,IGBT 芯片經歷了 6 代升級,從平面穿通型(PT)到溝槽型電場 截止型(FS-Trench) ,芯片面積、工藝線寬、通態飽和壓降、關斷時間、功率損耗等 各項指標經歷了不斷的優化,斷態電壓也從 600
28、V 提高到 6500V 以上。 表表 2:IGBT 芯片技術發展史芯片技術發展史 以技術特點命名 芯片面積(相 對值) 工藝線寬(微 米) 通 態 飽 和 壓 降(伏) 關 斷 時 間 (微秒) 功 率 損 耗 (相對值) 斷態電壓 (伏) 出現時間 平面穿通型(PT) 100 5 3.0 0.50 100 600 1988 改進的平面穿通型 (PT) 56 5 2.8 0.30 74 600 1990 溝槽型(Trench) 40 3 2.0 0.25 51 1200 1992 非穿通型(NPT) 31 1 1.5 0.25 39 3300 1997 電場截止型(FS) 27 0.5 1.3
29、 0.18 33 4500 2001 溝 槽 型 電 場 - 截 止 型 (FS-Trench) 24 0.5 1.0 0.15 29 6500 2003 資料來源:ET 創芯網,天風證券研究所 作為工業控制及自動化領域的核心器件,IGBT 模塊在電機節能、軌道交通、智能電網、 航空航天、家用電器、汽車電子、新能源發電、新能源汽車等諸多領域都有廣泛的應用。 圖圖 15:各類功率半導體器件應用領域各類功率半導體器件應用領域 公司報告公司報告 | | 首次覆蓋報告首次覆蓋報告 10 資料來源:中國產業信息網,天風證券研究所 根據根據 YOLE 的預測,全球的預測,全球 IGBT 市場市場將將在在
30、2022 年超過年超過 50 億美元,主要增長來自億美元,主要增長來自 IGBT 功率模塊。功率模塊。增長的首要原因是由于汽車市場的大容量,特別是電動汽車和混合動力汽車 (EV/HEV)中動力系統的電氣化。電動汽車/混合動力汽車行業具有巨大的增長前景,因 為它仍然是一個具有巨大容量潛力的新興市場。到到 2022 年,預計電動汽車年,預計電動汽車/混合動力汽車混合動力汽車 中中 IGBT 的總收入將占整個的總收入將占整個 IGBT 市場的市場的 40%左右。左右。 圖圖 16:YOLE 預測全球預測全球 IGBT 市場規模市場規模 資料來源:YOLE,天風證券研究所 近年來,我國 IGBT 企業
31、產量持續上升,未來幾年我國 IGBT 行業將保持快速發展。根據 “智研咨詢”預測,到 2024 年我國 IGBT 行業產量將達到 7820 萬只,需求量將達到 1.96 億只。未來我國 IGBT 需求仍將遠超產量,很大程度上依舊要依賴進口。 圖圖 17:我國我國 IGBT 行業產量預測(單位:萬只)行業產量預測(單位:萬只) 圖圖 18:我國我國 IGBT 行業需求量預測(單位:萬只)行業需求量預測(單位:萬只) 公司報告公司報告 | | 首次覆蓋報告首次覆蓋報告 11 資料來源:智研咨詢,天風證券研究所 資料來源:智研咨詢,天風證券研究所 2.2. 國外國外寡頭主導寡頭主導 IGBT 市場,
32、國內企業逐漸成長市場,國內企業逐漸成長 目前國內外目前國內外 IGBT 市場仍主要由外國企業占據市場仍主要由外國企業占據,雖然我國 IGBT 市場需求增長迅速,但由 于國內相關人才缺乏,工藝基礎薄弱,國內企業產業化起步較晚,IGBT 模塊至今仍幾乎模塊至今仍幾乎 全部依賴進口,市場主要由歐洲、日本及美國企業占領全部依賴進口,市場主要由歐洲、日本及美國企業占領。 根據 IHS 最新報告, 全球前五大全球前五大 IGBT 供應商占據市場份額超過供應商占據市場份額超過 65%, 排名第一的英飛凌 市占率達到 34.5%。 全球前十大全球前十大 IGBT 供應商,供應商, 國內國內僅有斯達半導上榜,
33、市占率為僅有斯達半導上榜, 市占率為 2.2%, 與龍頭企業相差甚遠。 圖圖 19:全球全球 IGBT 企業市占率企業市占率 資料來源:IHS,天風證券研究所 英飛凌科技公司英飛凌科技公司的前身是西門子集團的半導體部門,于 1999 年獨立。公司總部位于德國 慕尼黑,是全球領先的半導體公司之一。英飛凌科技公司作為行業龍頭,是 IGBT 技術領 導者,對于低電壓、中電壓和高電壓低電壓、中電壓和高電壓 IGBT 領域,英飛凌均占據領先地位領域,英飛凌均占據領先地位。 三菱電機株式會社三菱電機株式會社是三菱集團的核心企業之一,成立于 1921 年。三菱電機半導體產品包 括功率模塊(IGBT、IPM、MOSFET 等) 、微波/射頻和高頻光器件、光模塊和標準工業 用的 TFTLCD 等。三菱電機在中等電壓、高電壓三菱電機在中等電壓、高電壓 IGBT