半導體行業

1、入大量資金.在過去20年中,半導體研發支出總額每年接近該行業全球收入的15相當于制藥和生物技術領域的研發支出.圖2:半導體生產半導體生產過程可分為三個主要步驟:設計制造和組裝.這個行業基于兩種主要的商業模式,一方面,集成設計制造商IDM,如。

2、共為185萬個美國就業崗位提供了支持.該行業在研發設計和制造活動等方面直接雇用了27.7萬多名家庭傭工.2020年半導體產業對美國的經濟影響SIA預計,一項500億美元的國內半導體制造業聯邦投資計劃,將為美國經濟每年增加246億美元,并將在。

3、汽車芯片主要包括以 MCU 為代表的數字芯片以 MOSFETIGBT 為代表的功率芯片以及 模擬芯片.pp汽車硅含量顯著提升,全球車用芯片陷入短缺.相比于傳統汽車,新能源汽車單車所需 要的半導體芯片將會大增.根據世界先進,2020 年每輛。

4、汽車:斷崖式缺貨將緩解,長期緊張持續pp雖然汽車電子需求正快速增長,但占半導體總產能比例有限.一般而言,由于車用芯片型號 固定,需求穩定,并不易出現缺貨現象.但此輪缺貨潮卻始于汽車行業的斷崖式缺芯, 究其原因,我們認為主要有以下幾點:pp。

5、產能緊張及地緣政治因素帶來國產替代契機,部分企業開始嶄露頭角.20172018 年前后,全球功率半導體產能緊張,海外廠商器件交期延長,客戶需求得不到滿足.由此部分國內客戶開始對國產功率器件進行供應認證,按下了功率半導體國產替代加速鍵.此外。

6、物聯網發展進程:云端訓練與終端推理人工智能的實現分為訓練過程與推理過程,由云端進行訓練,由終端設備進行推理.訓練過程:對海量歷史數據進行分析處理,生成模型.訓練過程耗時,對算力要求高.推理過程:根據訓練好的模型,對新接受的數據進行推理判斷。

7、純視覺or多傳感器融合,決策權重各有不同感知是實現自動駕駛極為重要的一環.只有車輛能夠感知并且可以正確識別周圍物體的時候,才能給決策機構正確的輸入信號從而實現自動駕駛.主流的環境感知設備有攝像頭超聲波雷達毫米波雷達以及激光雷達等.從技術路線。

8、北斱華創:硅刻蝕領軍者 北方華創自 2001年成立后便開始組建團隊研發刻蝕技術 ,并于 2004年第一臺設備成功起輝, 2005年第一臺8英寸ICP刻蝕機上線,是我國自主研發的第一臺干法刻蝕機 .憑借在等離子體控制反應腔室設計刻蝕工藝技術 。

9、全球供給和競爭格局:上游原材料制約供給釋放,全球市場三足鼎立1 關鍵原材料壟斷成為擴產瓶頸IC 載板在封裝成本組成中占比 30.其余成本組成為包裝材料20設備貶值25以及測試檢驗25.IC 載板的材料組成包括銅箔基板干膜濕膜以及銅球金鹽等金。

10、單晶爐和光伏切割設備是單晶硅制造的核心設備,合計市場規模預計超 200 億元.單晶爐開方機切片機磨床等設備均為單晶硅生產和單晶硅片加工的核心設備,新增單晶硅產能所帶來的配套需求驅動核心設備進入放量期.根據連城數控公開發行說明書披露,建設 1。

11、濾波器:由于發射和接收通路都必須含有濾波器,因此新增頻段44 MIMO 都帶動濾波器需求增長.同時載波聚合技術亦會帶動多工器需求性能顯著提升.預計 2020 年 5G 手機濾波器單機用量從 4G 手機的 35 顆增長到 75 顆,單機價值量。

12、中低容量特殊利基型 DRAM 需求超過供給:歸因于數位電視,機上盒,WiFi 56, 安防, 路由器, Modem, AIOT, 白色家電, 工業IPC 對小容量 DRAM 內存的需求穩定增長,加上海力士產能轉 CMOS 感測器明顯退出中低。

13、 智能空調在自動控溫的基礎上新增SoC實現AI語音識別,具有自動識別調節控制等功能,偵測室外氣候與室內溫度濕度,通過主控芯片分析調節溫度與濕度,通過手機實現的開關機與溫度調節. 智能冰箱新增SoC實現圖像識別與AI互動,嵌入智慧屏幕并包含語。

14、國內存儲器擴產,利好于設備,封測,模組,潔凈室總包設計:雖然我們預期國內 3D NAND 大廠長江存儲及 Mobile DRAM 大廠合肥長鑫短期內因設計及晶圓制造技術工藝的差距與龐大的折舊費用而無法獲利,但不同于晶圓代工行業時時刻刻在等待。

15、芯片產能緊張,制造封測進入新一輪漲價周期.關注卡脖子領域和大芯片,半導體設計進入深水區.半導體設備和材料行業持續景氣.2020年半導體材料獲得融資項目超過40個總融資金額或超120億人民幣.2020年半導體設備獲得融資項目超過35個總融資金。

16、半導體硅片行業屬于技術密集型行業資金密集型行業,行業進入壁壘極高.半導體硅片制造包括硅單晶生長切割研磨拋光研磨清洗熱處理外延硅片分析等多個環節,涉及一系列的技術積累;具有技術優勢的半導體硅片企業會通過申請專利為自身的技術提供保護,構建護城河。

17、陶瓷高壓真空繼電器是將觸點置于高真空的陶瓷腔體內,以真空作為滅弧和絕緣介質的繼電器,具有耐擊穿電壓高熄弧快體積小重量輕壽命長等優點,在相同的體積下,其額定工作電壓通常是普通非密封繼電器的10 倍以上.陶瓷高壓真空繼電器主要在軍用短波通信超視。

18、GaN 作為第三代半導體具有寬帶隙3.4 eV擊穿場強大3.3 MW cm電子飽和漂移速度高2.7 107 cm s等物理結構優勢.在以往的半導體材料中,Si 是目前集成電路及半導體器件的主要材料,但其帶隙窄,擊穿電壓低,在高頻高功率器件的。

19、半導體公司今年采取一些由新冠疫情驅使的成本削減措施,包括裁員和減少商務旅行.虛擬工作環境迫使半導體公司的工作方式變得更具創造性和靈活性,而且現在似乎已經準備好作出一些持久性的變革.與去年相比,較少的受訪著計劃擴關其員工規模今年這比例為63。

20、截至21年中報,A股半導體板塊基金持倉市值占總市值比例為11.7,比例創下歷史新高.年初受南下資金偏好影響,中芯華虹港股通持股占港股流通盤比例提升,三季度以來,中芯華虹的港股通持股比例持續下降,截至2021年10月29日,中芯國際的港股通持。

21、近年來,國內企業碳化硅襯底的制造工藝水平也不斷提升.襯底良品率呈上升趨勢,襯底良品率體現為單個半導體級晶棒經切片加工后產出合格襯底的占比,受晶棒質量切割加工技術等多方面的影響.國內碳化硅襯底公司山東天岳,據公司招股書披露,核心生產環節的晶棒。

22、芯片從功能上可分為通用ICCPU等和專用ICASIC;從結構上可分為數字IC邏輯芯片微處理器,模擬IC信號鏈電源管理以及存儲器.為滿足不同功能和不同結構的IC設計需求,從實現方法上可將其分為全定制設計和半定制設計.全定制設計是指基于晶體管級。

23、SiC MOSFET 具備一定優勢,但成本較高.就器件類型而言,SiC MOSFET 與 Si MOSFET 相似.但是,SiC 是一種寬帶隙WBG材料,其特性允許這些器件在與 IGBT相同的高功率水平下運行,同時仍然能夠以高頻率進行開關。