晶圓制造環節檢測設備

1、 識別風險,發現價值 請務必閱讀末頁的免責聲明 1 1 1616 TablePage 跟蹤研究電源設備 證券研究報告 晶盛機電晶盛機電300316.SZ 設備設備國產國產化化迫切度甚于迫切度甚于晶圓晶圓,半導體半導體上游上游設備設備迎迎來來。

2、萬聯證券 請閱讀正文后的免責聲明 證券研究報告證券研究報告 電氣設備電氣設備 硅片制造加工設備龍頭,受益于下游擴產潮硅片制造加工設備龍頭,受益于下游擴產潮 買入買入首次 晶盛機電晶盛機電300316300316深度報告深度報告 日期:202。

3、 證券證券研究報告研究報告行業深度報告行業深度報告 半導體設備國產半導體設備國產突破正加速, 晶突破正加速, 晶 圓線新建及產業轉移帶來機遇圓線新建及產業轉移帶來機遇 景氣度景氣度短期短期周期上行周期上行暫緩, 中長期行業增量及暫緩, 中長。

4、2020年07月08日 論晶圓代巟格局及中芯國際對國產設備材料的空間提升 證券研究報告 興證電子 分析師 謝恒S0190519060001 聯系人 李雙亮 2 主要結論 Fabless代巟廠 是非常重要的半導體產業鏈模式,近年來規模丌斷成長。

5、 證券研究報告 行業深度 2020 年 02 月 16 日 電子電子 制造業的桂冠,制造業的桂冠,制程追趕者的黎明制程追趕者的黎明晶圓代工系列一晶圓代工系列一 中國大陸集成電路向 大設計中國大陸集成電路向 大設計中制造中制造中封測 轉型, 。

6、 識別風險,發現價值 請務必閱讀末頁的免責聲明 1 1 1616 TablePage 行業專題研究化學制品 2020 年 2 月 14 日 證券研究報告 本報告聯系人: 何雄 02160750613 化工行業新材料系列報告五化工行業新材料系。

7、 2020 年深度行業分析研究報告 1. .3 2. .4 2.1. . 4 2.2. . 5 2.3. 。

8、 2020 年深度行業分析研究報告 內容目錄 市場空間:先進制程比重不斷提升5 晶圓代工市場保持增長,先進制程占比在提升5 半導體硅含量持續提升,12 寸硅晶圓保持快速增長9 摩爾定律:先進制程成為晶圓制造的分水嶺11 摩爾定律沒有失效,但。

9、 東方證券股份有限公司經相關主管機關核準具備證券投資咨詢業務資格,據此開展發布證券研究報告業務. 東方證券股份有限公司及其關聯機構在法律許可的范圍內正在或將要與本研究報告所分析的企業發展業務關系.因此,投資者應當考慮到本公司可能存在對報告的。

10、行業投資策略行業投資策略 請務必參閱正文后面的信息披露和法律聲明 2 60 目目 錄錄 1 集成電路景氣回暖,集成化趨勢持續推進 . 6 1.1 集。

11、 東方證券股份有限公司經相關主管機關核準具備證券投資咨詢業務資格,據此開展發布證券研究報告業務. 東方證券股份有限公司及其關聯機構在法律許可的范圍內正在或將要與本研究報告所分析的企業發展業務關系.因此,投資者應當考慮到本公司可能存在對報告的。

12、東方證券股份有限公司經相關主管機關核準具備證券投資咨詢業務資格,據此開展發布證券研究報告業務. 東方證券股份有限公司及其關聯機構在法律許可的范圍內正在或將要與本研究報告所分析的企業發展業務關系.因此,投資者應當考慮到本公司可能存在對報告的客。

13、東方證券股份有限公司經相關主管機關核準具備證券投資咨詢業務資格,據此開展發布證券研究報告業務. 東方證券股份有限公司及其關聯機構在法律許可的范圍內正在或將要與本研究報告所分析的企業發展業務關系.因此,投資者應當考慮到本公司可能存在對報告的客。

14、工業半導體空間廣闊,智能制造興起拉動需求增長.智能制造是工業半導體需求的重要推動力,從目前智能制造的滲透率來看,以中國為例,根據國家工業信息安全發展研究中心的統計,2018 年中國智能制造滲透率最高的電子領域滲透率僅 11,2020 年平。

15、2021 年上半年國內多個晶圓廠發布擴產計劃.疫情整體緩和背景下,芯 片下游需求爆發,同時由于疫情局部反復造成供給端不確定性,以及芯 片交期相對較長造成代工廠對需求端預估不足,導致 2020 年下半年開 始芯片產能緊缺,從目前情況看,預計。

16、供不應求局面,擁有產能的晶圓廠話語權有望增強.SMIC 持續大力擴產,根據公司擴產規劃,2020 年增加 3 萬片 8 寸產能2 萬片 12 寸產能,以及 1.5 萬片 FinFET 產能;根據公司第四季度電話財報會議,2021 年繼續增。

17、KLA:高研發投入合作研發模式下龍頭地位穩固 持續高研發投入:公司自2012年研發投入占比維持在15左右,多年技術研發沉淀鞏固公司龍頭地位. 與客戶共同研發:作為龍頭有更多的客戶資源和客戶端數據來進行不斷反饋和修正,通過客戶共同研發能否盡早。

18、 晶體生長過程中對氧含量指對晶體硅碳化硅真空度等指標的嚴格要求.指標不能在線測量,在單晶生長中需要復雜的外部工藝配合. 晶體的等徑控制技術和液面控制.單晶直徑在生長過程中受到溫度提拉速度與轉速坩堝跟蹤速度與轉速保護氣體的流速與溫度等因素影響。

19、半導體裝備業務方面,近年來業績貢獻逐年攀升,現已成為公司核心業務,2020年營收貢獻接近70.在集成電路制造領域,公司產品包括刻蝕機PVDALDLPCVD氧化擴散爐單片退火設備單片清洗機以及槽式清洗機等,覆蓋刻蝕薄膜擴散清洗四大工藝模塊,其。