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寬禁帶半導體優點

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1、分析師,吳文吉登記編號,S1220521120003刻蝕工藝雙子星,大馬士革極高深寬比證券研究報告半導體行業專題報告2023年5月11日投資要點刻蝕概覽,刻蝕是半導體器件制造中選擇性地移除沉積層特定部分的工藝,在半導體器件的整個制造過程中。

2、晶體硅的帶隙約為 1.1eV，理論效率為 29.3%。
而鈣鈦礦具有連續可調的帶隙范圍，人工設計的鈣鈦礦材料，帶隙可以非常接近于最優帶隙（1.4eV），因此單層鈣鈦礦電池的理論效率為 33%，雙層鈣鈦礦電池的理論可達到 43%以上。
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3、gy提到鈣鈦礦材料在 300800 nm 波長范圍的可見光譜上，具有約 1 105cm1量級的高吸收系數，比傳統單晶硅大一個數量級，因此 100 納米厚的鈣鈦礦薄膜，就可以吸收硅薄膜微米厚度才能吸收的光。
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4、管雪崩耐量提升技術、溝槽底部氧化層峰值電場抑制技術、器件終端邊緣電場疏導技術進行研發。
公司自2015 年起開展對 SiC 等寬禁帶半導體功率器件的研發工作，并形成了一定的技術突破，目前已開發了“高耐壓低損耗碳化硅二極管技術”、“碳化硅功率器件高可靠終端耐壓保護技術”、“碳化硅功率器件高雪崩耐量技術”和“碳化硅二極管浪涌電流能力提升技術”等多項 SiC寬禁帶半導體功率器件核心技術。
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