【公司研究】華潤微-瞄準世界一流的IDM模式功率半導體龍頭-20200325[29頁].pdf

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1、 - 1 - 市場價格（人民幣） ： 36.07 元 市場數據市場數據( (人民幣人民幣) ) 總股本(億股) 12.16 已上市流通 A股(億股) 2.37 總市值(億元) 438.58 年內股價最高最低(元) 50.99/35.66 滬深 300 指數 3625 上證指數 2722 鄭弼禹鄭弼禹 分析師分析師 SAC 執業編號：執業編號：S1130520010001 張純張純 分析師分析師 SAC 執業編號：執業編號：S1130519100004 zhang_ 樊志遠樊志遠 分析師分析師 SAC 執業編號：執業編號：S1130518070003 (8621)61038318 瞄準世界一流的

2、瞄準世界一流的 I IDMDM 模式模式功率半導體龍頭功率半導體龍頭 公司基本情況公司基本情況( (人民幣人民幣) ) 項目項目 2017 2018 2019E 2020E 2021E 營業收入(百萬元) 5,876 6,271 5,800 6,314 7,554 營業收入增長率 33.6% 6.7% -7.5% 8.9% 19.6% 歸母凈利潤(百萬元) 70 429 402 485 665 歸母凈利潤增長率 -123.22% 511.02% -6.43% 20.59% 37.19% 攤薄每股收益(元) n.a 0.489 0.457 0.398 0.546 每股經營性現金流凈額 n.a 1

3、.69 1.64 0.32 0.86 ROE(歸屬母公司)(攤薄) 1.83% 10.35% 9.14% 5.39% 7.07% 來源：公司年報、國金證券研究所 投資邏輯投資邏輯 公司擁有公司擁有四大核心優勢四大核心優勢：一、公司產能規模、現金流負擔能力和盈利承壓能 力支持采用 IDM 模式，能通過自身現金流支撐資本開支需求，擴大營收規 模，實現經營的正向閉環。 二、公司在功率半導體布局全面，MOSFET 產 品覆蓋低中高壓的多個產品系列；IGBT 建立了領先的工藝平臺，2018 年出 貨量增長 320%，隨著更多型號量產出貨，出貨量將保持高速增長；布局 SiC 和 GaN, 2020 年 S

4、iC 有望實現量產。三、公司提供的特色工藝代工需求 旺盛。我國對特色工藝代工潛在需求為 120 萬片/月，遠高于目前純大陸工 廠合計 68 萬片/月的有效產能供給。特色工藝產能擴張受限，短中期供需格 局良好。公司的晶圓代工和封測的“一站式”服務，能為客戶供應鏈安全提 供更好保障。四、功率/模擬器件技術工藝需要更長經驗積累，公司通過在設 計和制造工藝上的投入，建立了領先國內同行的產品和制造工藝壁壘。 功率半導體行業趨勢：功率半導體行業趨勢： 一、IDM模式是做強的必然選擇。針對客戶定制化需 求， IDM 模式能協同優化設計與制造環節，縮短產品開發時間；制造環節是 產品附加值的核心，IDM 模式享

5、受更高產品附加值；IDM 模式利于積累工藝 經驗，形成核心競爭力。二、功率半導體市場預計保持較高增速。新能源汽 車等下游應用有望推動 2021 年全球市場規模達到 441 億美元。三、國產有 望實現逐步替代：下游客戶為保障供應鏈安全給予國內企業更多送樣機會； 功率器件技術更新慢，國產技術水平與國際一流差距縮??；國內企業在配合 客戶做定制化開發上更具優勢。 投資建議投資建議 首次覆蓋，給予“買入評級” 。首次覆蓋，給予“買入評級” 。2019 年功率半導體整體景氣度有所下降，我 們預計公司 2019-2021 年歸母凈利潤分別為 4.0 億元、 4.9 億和 6.7 億元， 對應 EPS 分別為

6、 0.46 元、0.40 元和 0.55 元?？紤]到華潤微作為國內最大 的 IDM模式半導體公司的龍頭地位，以及產品與方案收入占比提升將改善盈 利率和凈資產收益率，給予公司一定的估值溢價，給予 2021 年 95 倍 PE 的 目標估值，對應 52.3 元的十二個月目標價，給予“買入”評級。 風險風險提示提示 新冠疫情加劇的風險；產能擴張過快的風險；公司產品技術落后的風險；科 創板估值波動大的風險；限售股解禁的風險 0 1000 2000 3000 4000 5000 6000 7000 35.66 40.09 44.52 48.95 190325 190625 190925 191225 人

7、民幣(元) 成交金額(百萬元) 成交金額 華 潤 微 滬深300 2020 年年 03 月月 25 日日 創新技術與企業服務研究中心創新技術與企業服務研究中心 華 潤 微 (688396.SH) 買入（首次評級） 公司深度研究公司深度研究 證券研究報告 公司深度研究 - 2 - 敬請參閱最后一頁特別聲明 內容目錄內容目錄 一、四大核心優勢 .4 1.公司自身條件支持采用 IDM模式的優勢.4 2.以 MOSFET 為基，全面布局功率半導體的優勢 .4 3.特色工藝需求旺盛，打造“一站式”服務的優勢 .6 4.產品工藝技術建立起堅固壁壘的優勢 .7 二、功率半導體行業概況及趨勢 .10 1.行業

8、趨勢：IDM模式是做強的必然選擇 .10 2.功率半導體市場預計保持較高增速. 11 3.競爭格局：歐美日主導，國產有望逐步替代.15 三、華潤微電子：專注特色工藝的 IDM半導體龍頭 .17 1.公司歷史沿革和股權結構.17 2.獨具特色的“IDM+代工”模式的半導體龍頭 .18 3 下游客戶分散，國際一線客戶認證 .21 四、盈利預測與投資建議 .22 1.營收、毛利率預測及關鍵假設.22 2.盈利水平和估值的同業比較 .25 3.公司的合理估值.25 五、風險提示 .26 圖表目錄圖表目錄 圖表 1：中國銷售額前十半導體企業排名 .4 圖表 2：功率半導體企業 IDM模式負擔能力比較（2

9、018 年，百萬元） .4 圖表 3：同業 MOSFET 產品組合比較 .5 圖表 4：公司 GaN、SiC 和 IGBT 項目研發進展.5 圖表 5：華潤微功率半導體占收入比例及產品單價 .6 圖表 6：2018 年全球半導體產品分類 .6 圖表 7：不同種類半導體 2017-2022E市場規模增速 .6 圖表 8：半導體產業發展線路.7 圖表 9：先進制程工藝晶 圓廠 vs. 特色工藝晶圓廠.7 圖表 10：國內 MOSFET 供貨期及價格趨勢 .7 圖表 11：功率半導體公司研發強度比較 .8 圖表 12：2008 年公司關鍵產品與工藝發展情況.9 圖表 13：華潤微制造與服務核心技術

10、.9 圖表 14：定制化的針對不同應用領域的功率半導體 .10 圖表 15：功率半導體和標準 CMOS價值鏈分布比較 . 11 圖表 16：全球主要功率半導體企業及模式 . 11 圖表 17：2016-2021 年全球功率半導體市場規模預測.12 nMsNrRnRqNqOpNqRoRyRoNbRbP7NmOoOnPpPeRqQnOiNpNtN6MqQwPwMqQrQMYsPmO 公司深度研究 - 3 - 敬請參閱最后一頁特別聲明 圖表 18：2016-2021 年中國功率半導體市場規模預測.12 圖表 19：功率半導體產品分類 .12 圖表 20：功率半導體器件下游應用市場結構.13 圖表 2

11、1：功率半導體器件類型市場結構 .13 圖表 22： MOSFET、IGBT 和 BJT 性能對比 .13 圖表 23：功率半導體適用電壓和工作頻率情況 .13 圖表 24：全球新能源汽車銷量預測（百萬輛） .14 圖表 25：硅基、GaN和 SiC 功率半導體應用市場區分 .15 圖表 26：功率器件各產品中國市場占比.15 圖表 27：全球功率分立器件和模組市場格局.16 圖表 28：2018 全球分立 IGBTs 各公司占比情況 .16 圖表 29：2018 年中國市場 MOSFET 市占率 .16 圖表 30：華潤微電子歷史沿革.17 圖表 31： 華潤微電子股權架構（截至 2020年

12、 2 月 18 日）.18 圖表 32：華潤微電子產品收入結構（百萬元，人民幣） .18 圖表 33：華潤微電子各業務板塊運營主體 .19 圖表 34：華潤微半導體產品的工藝流程.19 圖表 35：公司主要功率器件情況 .19 圖表 36：公司功率 IC 產品情況 .20 圖表 37：公司傳感器產品情況.20 圖表 38：公司智能控制產品情況 .21 圖表 39：公司制造資源梳理 .21 圖表 40：公司 2018 年產品與方案業務前五名客戶 .22 圖表 41： 2018 年制造與服務業務前五名客戶 .22 圖表 42：公司主要下游領域及最終客戶情況.22 圖表 43：公司各產品線營收預測

13、.24 圖表 44： 公司各產品線毛利率預測.25 圖表 45：同業經營利潤率與凈資產收益率比較 .25 圖表 46：可比公司估值比較（2020.03.23 股價為準,剔除負值） .25 圖表 47：華潤微高低價預測 .26 公司深度研究 - 4 - 敬請參閱最后一頁特別聲明 一、四大核心優勢一、四大核心優勢 1.公司自身條件支持采用公司自身條件支持采用 IDM 模式的優勢模式的優勢 IDM 模式適應功率半導體企業。華潤微是國內最大的 IDM 模式半導體公司, 也是國內銷售額前十的半導體公司中唯一一家 IDM 模式為主的企業。相比 Fabless 模式的功率半導體公司，IDM 模式擁有設計與制

14、造環節緊密結合的優 勢，能縮短從芯片設計到制造所需的時間，不需要進行硅驗證，不存在工藝對 接問題，能加快新產品面世的時間；同時也可以根據客戶需求進行高效的特色 工藝定制。由于同時具備設計和制造能力，能獲得更高的產品附加值。 圖表圖表1：中國銷售額前十半導體企業排名中國銷售額前十半導體企業排名 來源：中國半導體協會、國金證券研究所 IDM 模式對初始資源稟賦和運營能力都有極高要求。對于功率半導體企業， 雖然 IDM 模式有多種好處，但是同時也受限于資本投入要求大、資產較重。以 華潤微的 “8 英寸高端傳感器和功率半導體建設項目” 募投項目為例，項目總 投資金額為 23 億，巨額的資本開支需求對所

15、有采用 IDM 模式公司提出挑戰； 同時財務費用會對企業盈利產生重大影響，壓制企業盈利能力。因此我們認為 IDM 模式是一個門檻極高的模式，對企業初始資源稟賦和運營能力都有極高要 求。企業只有在同時滿足上述兩個條件之后，才有可能通過運營現金流滿足資 本開支需求從而擴大規模和提升技術，實現 IDM模式的正向循環。 華潤微的規模體量和資金條件支持它采用華潤微的規模體量和資金條件支持它采用 IDM 模式模式，并且已經實現，并且已經實現 IDM 模式的正向循環模式的正向循環。我們從三個維度評價不同企業對 IDM 模式負擔能力：現有營 收產能規模、現金流負擔能力和盈利承壓能力。比較 A股不同 IDM模式

16、，華潤 微在這三個維度都處于領先優勢。我們認為華潤微依靠股東的初始資金支持， 已經建立了 IDM 模式的正向循環營收規模和收入規模領先同業，經營現金 流支持巨額資本開支需求，使得財務負擔低于同業，盈利情況好于同業。我們 認為，這樣的優勢在未來會持續擴大。 圖表圖表2：功率半導體企業：功率半導體企業IDM模式模式負擔能力比較（負擔能力比較（2018年，百萬元）年，百萬元） 現有營收產能規?，F有營收產能規模 現金流負擔能力現金流負擔能力 盈利承壓能力盈利承壓能力 固定資產固定資產 在建工程在建工程 總收入總收入 經營活動凈現金流經營活動凈現金流 財務費用財務費用 財務費用占比財務費用占比 凈利率凈

17、利率 華潤微華潤微 3898 350 6270 1482 0 0 8.6% 士蘭微士蘭微 2557 871 3025 240 73 2.4% 2.5% 華微電子華微電子 1026 375 1709 423 48 2.8% 6.3% 楊杰科技楊杰科技 952 122 1852 211 2 0.11% 10.18% 來源：公司公告、國金證券研究所 2.以以 MOSFET為基，全面布局功率半導體的優勢為基，全面布局功率半導體的優勢 公司在功率半導體布局全面，產品種類包括 MOSFET、IGBT、SiC、SBD 公司深度研究 - 5 - 敬請參閱最后一頁特別聲明 和 FRD 等。公司已形成較為完整的

18、MOSFET 產品系列。公司是國內營業收入 最大的 MOSFET 廠商，是目前國內少數能夠提供 -100V 至 1500V 范圍內低、 中、高壓全系列 MOSFET 產品的企業，也是目前國內擁有全部 MOSFET 主流 器件結構研發和制造能力的主要企業，生產的器件包括平面柵 VDMOS、溝槽 柵 MOS及超結 MOS等，可以滿足不同客戶和不同應用場景的需要。 圖表圖表3：同業：同業MOSFET產品組合比較產品組合比較 項目項目 士蘭微士蘭微 華微電子華微電子 揚杰科技揚杰科技 華潤微華潤微 電壓覆蓋范圍 30V-900V 40V-900V -60V-150V -100V-1500V 器件結構覆

19、蓋范 圍 平面柵 MOS 溝槽柵 MOS 超結 MOS 屏蔽柵 MOS 耗盡型 MOS 平面柵 MOS 超結 MOS 平面柵 MOS 溝槽柵 MOS 屏蔽柵 MOS P 溝道 MOS 平面柵 MOS 溝槽柵 MOS 超結 MOS 屏蔽柵 MOS P 溝道 MOS 耗盡型 MOS 來源：招股說明書、國金證券研究所 公司在 MOSFET 上工藝技術水平領先。公司自主研發的溝槽柵 MOS器件， 在電動二輪車的電機控制器市場、電源及電池保護應用領域表現優異；其中采 用屏蔽柵結構的產品可以應用在使用頻率更高的領域，如同步整流等；自主研 發的平面柵 VDMOS 器件已進入臺達、光寶、Salcomp（賽爾康

20、）等國際電源 制造商的供應鏈；采用多層外延超結技術研發和生產的超結 MOS 器件產品的 主要參數指標與國際標桿公司生產的第六代超結 MOS 器件產品的技術指標相 當。 公司在 IGBT 也具有較強的產品競爭力。公司已建立國內領先 Trench-FS 工藝平臺，并具備 600V-6500V IGBT 工藝能力。目前公司批量出貨的 IGBT 器 件工作電壓范圍從 600V-1200V，集電極電流范圍從 8A-60A。2018 年公司功 率半導體銷售數量為 164 億顆，其中 IGBT 同比增長 316.79%。我們預計隨著 公司更多型號 IGBT 量產出貨，IGBT 未來幾年將保持快速增長。 積極

21、布局新一代功率半導體，SiC 有望在 2020 年實現供貨。公司以 6 英寸 產線為基礎，進行 650V 硅基 GaN 器件、SiC JBS 器件和 SiC MOSFET 產品 的設計研究和工藝技術研發工作。未來幾年，SiC 和 GaN 量產將優化公司功率 半導體產品組合。 圖表圖表4：公司：公司GaN、SiC和和IGBT項目研發進展項目研發進展 項目名稱項目名稱 研發目標研發目標 技術來源技術來源 研發進度研發進度 硅基 GaN 功率 器件研發 建立硅基 GaN 器件和材料加工平臺，研發硅 基 GaN 功率器件的材料、設計、晶圓加工和 封裝測試技術，形成系列化的產品 自主研發 工程樣品 階段

22、 SiC 功率器件 的開發 研發 SiC 功率器件的設計和晶圓加工和封裝 測試技術，形成系列化的 SiC 肖特基二極管 （JBS）和 MOSFET 器件產品 合作開發和自 主開發相結合 樣品階段 IGBT 技術升級 研發第四代 TRECH-FS IGBT 產品，提升 IGBT 產品性能 合作開發和自 主開發相結合 研發階段 來源：招股說明書、國金證券研究所 隨著公司中高壓 MOSFET 占比提升、IGBT 快速增長和 SiC 器件陸續出貨， 公司功率半導體的產品結構將得到優化，產品平均單價和占收入比例將有提升 空間。 公司深度研究 - 6 - 敬請參閱最后一頁特別聲明 圖表圖表5：華潤微功率半

23、導體占收入比例及產品單價：華潤微功率半導體占收入比例及產品單價 來源：招股說明書、國金證券研究所 3.特色特色工藝需求旺盛，打造“一站式”服務的優勢工藝需求旺盛，打造“一站式”服務的優勢 公司提供特色工藝晶圓代工、 IC 封裝及測試服務等“一站式”服務。特色 工藝制程在國內需求旺盛，我們認為在未來幾年里，特色工藝制程都將保持良 好的供需格局。而相比一般代工模式的晶圓代工和封裝測試分開，公司能夠提 供從代工到后道封裝測試的“一站式”服務，從而縮短供應鏈，更好保障客戶 的供應安全。 模擬電路帶動特色工藝制程需求。我國模擬器件需求增速高于半導體整體 需求增速。集成電路產品主要分為邏輯器件、存儲器件、

24、微處理器、模擬器件、 光學器件、傳感器和分立器件。2018 年全球半導體銷售額約為 4700 億美元， 從產品結構上看，其中存儲器占比為 33.7%、邏輯器件占比為 23.3%、模擬器 件為 12.5%。模擬集成電路 2018 年全球市場規模約為 587 億美元。根據 IC Insight 預測數字，2017-2022 年模擬集成電路產品復合增速為 6.6%，高于集 成電路行業 5.1%的整體增速。 圖表圖表6：2018年全球半導體產品分類年全球半導體產品分類 圖表圖表7：不同種類半導體：不同種類半導體2017-2022E市場規模增速市場規模增速 來源：WSTS、國金證券研究所 來源：IC I

25、nsight、國金證券研究所 我國對特色工藝代工潛在需求為 120 萬片/月，遠高于目前純大陸工廠合計 68 萬片/月的有效產能供給。模擬電路依賴特色工藝。集成電路制造產業過去 按照三個維度發展尺寸依賴的先進制程工藝、非尺寸依賴的特色工藝和先 進封裝技術。先進制程方面，從 130nm 到 5nm 及至 3nm EUV 工藝，制程微 縮是推動邏輯半導體按照摩爾定律發展的最重要動力;而對于以功率 IC、傳感器、 射頻器件和 MEMS 器件為代表的的模擬電路產品來說，RF-COMS、SOI/RF- SOI、BCD/CDMOS、MEMS 等特色工藝相比先進制程對產品性能起到更為關 鍵的決定作用。相比先

26、進制程工藝，特色工藝具有工藝相對成熟，資本投入要 求相對更低、產品研發投入相對較少、生命周期更長等特點。2018 年國內模擬 0 0.02 0.04 0.06 0.08 0.1 0.12 0.14 0.16 0.18 0% 5% 10% 15% 20% 25% 30% 35% 40% 45% 2016201720182019年1-6月 功率半導體占收入比例 功率半導體平均單價 存儲器, 33.7% 微處理器, 14.3% 邏輯器件, 23.3% 模擬器件, 12.5% 光學器件, 8.1% 傳感器, 2.9% 分立器件, 5.1% 6.6% 5.4% 5.2% 5.1% 3.9% 0.0% 1

27、.0% 2.0% 3.0% 4.0% 5.0% 6.0% 7.0% 模擬芯片 邏輯芯片 存儲芯片 整體增速 微元件 公司深度研究 - 7 - 敬請參閱最后一頁特別聲明 電路銷售額約為 238 億美元，假設實現 50%自主供應，對應國內生產模擬電路 產業產值 119 億美元，如果以 35%毛利率計算，對應制造成本約為 77 億美元， 其中晶圓代工規模約為 58 億美元，取 8 英寸特色工藝制程晶圓代工 ASP 約為 400 美元/片，國內對特色工藝需求約為 1450 萬/年，約合 120 萬片/月。而 2019 年，純大陸工廠可用于模擬芯片的制造產能約為 38 萬片/月，可用于功率 半導體的晶圓

28、制造產能約為 37 萬片/月，合計 75 萬片/月，假設有效產能為總 產能 90%，即有效產能為 68 萬片/月，遠遠低于我國對特色工藝的需求。 圖表圖表8：半導體產業發展線路：半導體產業發展線路 圖表圖表9：先進制程工藝晶先進制程工藝晶 圓廠圓廠 vs. 特色工藝晶圓廠特色工藝晶圓廠 來源：集成電路產業發展高峰論壇、國金證券研究所 來源：、國金證券研究所 8 英寸特色工藝制程產能擴張有限，供需格局良好。雖然 12 英寸相對 8 英 寸效能更高，但 12 英寸產線對于工藝指標要求更高，對于原材料的要求也更 高。對于 8 英寸產線，RF-COMS、SOI/RF-SOI、BCD/CDMOS 等成熟

29、的特色 工藝技術可以使尺寸較小的晶粒包含較多的模擬內容。并且大多數 8 英寸設備 已經折舊完畢，固定成本低。出于經濟考慮，8 英寸特色工藝制程晶圓廠擴產 多采用二手設備，華潤微曾先后購入 Hynix 設備、德國生產線設備等二手生產 設備。而從全行業來看，二手設備來源相對有限，并且國際設備廠大多早已停 產 8 英寸設備，因此 8 英寸廠產能擴張速度受設備制約而受限，使得 8 英寸特 色工藝制程代工市場保持較好的供需格局。 當前代工產能緊張，MOSFET 出現缺貨跡象。根據上述分析，CIS、電源 管理 IC、指紋識別 IC 、MCU、IGBT、MOSFET 等代工需求強勁，而特色工 藝產能供給有限

30、，2019 年四季度，華虹 8 英寸晶圓廠產能利用率達到 92.5%， 聯電集團旗下 8 英寸廠和艦產能利用率維持在九成的高位水平。受疫情影響導 致部分產能釋放受限， MOSFET 庫存水 平持續消耗，正導 致部分型號 MOSFET 供貨期延長。 圖表圖表10：國內：國內MOSFET供貨期及價格趨勢供貨期及價格趨勢 來源：集微網、國金證券研究所 4.產品工藝產品工藝技術技術建立起堅固壁壘建立起堅固壁壘的優勢的優勢 高研發投入建立工藝技術優勢。公司在產品與工藝的研發上進行了高強度 的投入：2016 年至 2018 年，公司研發投入分別為 34,559 萬元、44,742 萬元 和 44,976

31、萬元，占營業收入的比例分別為 7.86%、7.61%和 7.17%；截至 公司深度研究 - 8 - 敬請參閱最后一頁特別聲明 2019 年 6 月 30 日，公司擁有 7937 名員工，其中包括 641 名研發人員，2290 名技術人員，研發技術人員占員工總數的比例為 37%。無論是研發人員和研發 費用的絕對數量或者占比，公司的投入相都位于行業前列。 圖表圖表11：功率半導體公司研發強度比較：功率半導體公司研發強度比較 華潤微華潤微 士蘭微士蘭微 斯達半導斯達半導 研發及技術人員數量 2931 2018 132 研發技術人員占比 37% 37% 22% 研發費用（百萬元） 450 315 49

32、 研發費用率 7.20% 10.40% 7.30% 來源：公司公告、國金證券研究所 模擬電路的技術壁壘更加穩固。相比數字電路，模擬電路的設計輔助工具 （EDA）相對較少，更多依賴設人工設計，對經驗積累要求相對更高，導致模 擬電路人才團隊培養周期更長，產品研發周期更長。并且生產過程中涉及到更 多非標準化工藝，使得進入壁壘更高，領先優勢一旦建立會相對比較穩固，競 爭對手難以在短時間內追趕。 公司長時間的經驗積累，在產品開發和技術工藝方面建立了領先于國內同 行的壁壘。華潤微超過十年來持續進行研發投入積累。在產品上形成了 MOSFET、IGBT、光電煙霧檢測產品、BMS、GaN 功率芯片等一系列產品線

33、； 在制造工藝方面，形成了 BCD、MEMS 工藝以及功率封裝等技術平臺，建立 了領先國內同行的產品和制造工藝壁壘。 公司深度研究 - 9 - 敬請參閱最后一頁特別聲明 圖表圖表12：2008年公司關鍵產品與工藝發展情況年公司關鍵產品與工藝發展情況 來源：招股說明書、國金證券研究所 公司 MOSFET 、IGBT 、 FRD 等產品的設計及制備技術及 MEMS 工藝技 術、功率封裝技術等，溝槽型 SBD 設計及工藝技術、光電耦合和傳感系列芯片 設計和制造技術及設計及工藝技術、BCD 工藝技術國際領先，上述核心技術已 廣泛應用于公司產品的批量生產中。 圖表圖表13：華潤微制造與服務核心技術：華潤

34、微制造與服務核心技術 工藝名稱工藝名稱 工藝特點工藝特點 應用領域應用領域 BCD工 藝 1）覆蓋 1.0-0.18m 的各個技術節點 2）支持超大范圍的工作電壓 5V 700V 3）低導通電阻、高可靠性 4）同步提供 200 600V SOI 基 BCD 工 藝選項 廣泛應用于硅基高壓 BCD 工藝、硅基高密度 BCD 工藝和 SOI 基 BCD 工藝等主要工藝平臺，并 作為基礎核心制造技術為晶圓制造代工服務提供支 撐。 MEMS 工 藝 1）提供完整的標準 MEMS 工藝模塊，能夠靈活調整組合 2）提供多樣化的表面或體硅加工技術及客制化的平臺 3）豐富的平臺組合包含壓力、麥克風、光電、溫濕

35、度等 MEMS 工 藝制程 廣泛應用于麥克風、壓力傳感器、光電傳感器、溫 濕度傳感器等 MEMS 傳感器工藝平臺，被作為核 心制造 技術為客戶提供優質的代工服務。 功率封裝 技術 提供完整的功率器件和 IPM 模塊封裝技術解決方案，包括 TO- 220、TO-3P、TO247 等常規封裝，DPAK、PDFN 和 PQFN 等表 面貼裝封裝，以及適用于功能集成的 IPM和模塊封裝。 應用于大電流 MOSFET、IPM 模塊等功率器件和 功率模塊封裝 來源：招股說明書、國金證券研究所 公司深度研究 - 10 - 敬請參閱最后一頁特別聲明 二、功率半導體行業概況及趨勢二、功率半導體行業概況及趨勢 1

36、.行業趨勢：行業趨勢：IDM 模式是模式是做強做強的必然選擇的必然選擇 IDM 模式在功率半導體、MEMS 等特色工藝半導體產品生產中獨具優勢。 半導體行業中主要有兩種芯片生產模式：IDM 模式(集成器件制造)的自己設計 兼制造，還有 Fabless (無工廠)的芯片設計再委外 Foundry 代工模式( 晶圓代 工 ) 。 對 于 數 字 芯 片 ， 沿 著 “ 摩 爾 定 律 ” 發 展 ， 追 求 先 進 制 程 ， “Fabless+Foundry”模式將晶圓制造與設計環節分開，大大降低了設計行業 的準入門檻，Foundry 通過資源集中得以負擔先進制程的巨大資本開支需求， 這種模式近

37、三十年來取得了快速發展。但是對于功率半導體、MEMS 器件等特 色工藝半導體產品的生產，IDM 模式相比 Fabless 模式更具優勢，主要原因在 于： 功率半導體高度定制化，功率半導體高度定制化，IDM 模式使得模式使得設計與制造環節協同優化，縮短產設計與制造環節協同優化，縮短產 品開發時間：品開發時間：與數字芯片多為大批量的標準件不同，功率半導體等模擬器 件的定制化需求高。如下圖所示，即使同一種類型的功率器件，在不同應 用場景中有不同的功率、頻率和尺寸要求，需要針對不同客戶開發不同定 制化產品。在 IDM 廠商中，生產工藝的開發和設計是同步的，可以通過設 計部門和制造部門協調，快速解決設計開發中遇到的問題，大大縮短開發 時間。 圖表圖表14：定制化的針對不同應用領域的功率半導體：定制化的針對不同應用領域的功率半導體 來源：Yole、國金證券研究所 制造環節在功率半導體生產中起到決定作用，是構成產品附加值的核心：制造環節在功率半導體生產中起到決定作用，是構成產品附加值的核心： 由于功率半導體電路相對簡單，晶圓制造和封裝