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1、證券研究報告|首次覆蓋報告 請仔細閱讀本報告末頁聲明請仔細閱讀本報告末頁聲明 gszqdatemark 中微公司（中微公司（688012.SH）國產國產刻蝕刻蝕+MOCVD 龍頭龍頭，加速打造高端裝備加速打造高端裝備平臺平臺 二十二十余余載砥礪前行，載砥礪前行，國產高端裝備平臺國產高端裝備平臺領軍者領軍者。中微公司成立于 2004 年5 月，當前公司已形成以刻蝕設備、MOCVD 設備為基，向薄膜沉積設備、量檢測設備等拓展的平臺化發展格局。公司目前等離子體刻蝕設備技術能力達到 5 納米級以下，未來還將繼續開發更先進工藝水平，市占率持續提升并不斷收到領先客戶批量訂單。MOCVD 設備在 Mini

2、LED 等氮化鎵基設備領域市場占據領先地位，未來還將持續開發用于氮化鎵、碳化硅等功率器件及 Micro-LED 器件制造的 MOCVD 設備。24H1 實現薄膜設備的首臺銷售，公司還在規劃多款 CVD 和 ALD 設備，增加薄膜設備覆蓋率。伴隨高研發轉換效率，公司營收業績穩健增長，收入和歸母凈利潤分別從 2018年的 16.39/0.9 億元增長到 2024 年的約 90.65/16.3 億元，復合增速分別達到 33.0%/61.7%。CCP 領域技術領先，領域技術領先，ICP 設備付運勢頭強勁設備付運勢頭強勁?？涛g是半導體圖案化過程的核心工藝，全球范圍來看，LAM、AMAT、TEL 等企業占

3、據市場主導地位。受益于芯片向更先進制程演進及存儲器件垂直化發展，疊加多重曝光下刻蝕工藝步驟提升，刻蝕設備重要性進一步提升。中微公司憑借系列刻蝕設備組合處于刻蝕創新技術前沿，市占率大幅提升，截至 2024 年第三季度，公司累計交付 CCP 反應臺超 3800 個，設備覆蓋 28 納米以上邏輯器件制造絕大部分 CCP 刻蝕應用，公司 ICP 設備擁有 700+反應臺在線生產，覆蓋 95%以上刻蝕應用。其中，Nanova 單臺機訂單年增長超 100%迅速擴大市占率，PrimoUD-RIE 已在生產線驗證具有刻蝕60：1 深寬比結構量產能力，TSV 新工藝驗證成功，推動我國高端半導體制造設備達到新高度

4、。薄膜沉積設備研發薄膜沉積設備研發轉換高效轉換高效布局布局，MOCVD 應用領域拓寬應用領域拓寬。薄膜沉積設備是芯片制造三大核心設備之一，按工藝原理不同，可分為 PVD、CVD 和ALD，2025 年全球薄膜沉積設備市場規模預計達 239.6 億美元，目前行業由 AMAT 和、Lam 和 TEL 等企業壟斷，國產廠商份額提升空間廣闊。中微公司持續推進多款薄膜沉積設備研發項目，至 2024 年中已實現六種設備高效研發交付及客戶量產驗證，鎢系列薄膜沉積產品全面覆蓋存儲器件鎢應用，公司 LPCVD 薄膜設備已經順利進入市場，2024 年收到 4.76 億元批量訂單，實現銷售收入 1.56 億元。同時

5、，公司深耕 MOCVD 領域，在全球氮化鎵基 LED MOCVD 設備市場占據領先地位。盈利預測及盈利預測及投資建議：投資建議：我們預計公司 2025/2026 年實現營收 120.7/158.0億元，實現歸母凈利潤 25.5/35.6 億元，實現毛利率 42.9%/43.9%，對應PE 為 49/35x，具備估值優勢，首次覆蓋，給予“買入”評級。風險提示：風險提示：研發進展不及預期、客戶導入進展不及預期、數據滯后性風險、行業競爭加劇。買入買入（首次首次）股票信息股票信息 行業 半導體 03 月 13 日收盤價（元）199.69 總市值（百萬元）124,279.81 總股本（百萬股）622.3

6、6 其中自由流通股（%）100.00 30 日日均成交量（百萬股）10.50 股價走勢股價走勢 作者作者 分析師分析師 鄭震湘鄭震湘 執業證書編號：S0680524120005 郵箱： 分析師分析師 佘凌星佘凌星 執業證書編號：S0680525010004 郵箱： 分析師分析師 劉嘉元劉嘉元 執業證書編號：S0680525010002 郵箱： 相關研究相關研究 1、中微公司（688012.SH）：扣非業績大增，刻蝕龍頭內生外延打造旗艦平臺 2022-08-14 2、中微公司（688012.SH）：一季度刻蝕高速增長，全年雙業務放量可期 2022-05-09 3、中微公司（688012.SH）：

7、刻蝕能力進一步提高，MOCVD 業務拐點來臨 2022-04-01 財務指標財務指標 2022A 2023A 2024E 2025E 2026E 營業收入（百萬元）4,740 6,264 9,065 12,074 15,801 增長率 yoy（%）52.5 32.1 44.7 33.2 30.9 歸母凈利潤（百萬元）1,170 1,786 1,626 2,552 3,560 增長率 yoy（%）15.7 52.7-8.9 56.9 39.5 EPS 最新攤?。ㄔ?股）1.88 2.87 2.61 4.10 5.72 凈資產收益率（%）7.6 10.0 8.6 12.1 14.8 P/E（倍）1

8、06.2 69.6 76.4 48.7 34.9 P/B（倍）8.0 7.0 6.6 5.9 5.2 資料來源：Wind，國盛證券研究所 注：股價為 2025 年 03 月 13 日收盤價 -30%-10%10%30%50%70%2024-032024-072024-112025-03中微公司滬深3002025 03 21年 月 日 gszqdatemark P.2 請仔細閱讀本報告末頁聲明請仔細閱讀本報告末頁聲明 財務報表和主要財務比率財務報表和主要財務比率 資產負債表（資產負債表（百萬元）利潤表（利潤表（百萬元）會計年度會計年度 2022A 2023A 2024E 2025E 2026E

9、會計年度會計年度 2022A 2023A 2024E 2025E 2026E 流動資產流動資產 14655 15087 18803 22649 27293 營業收入營業收入 4740 6264 9065 12074 15801 現金 7326 7090 8338 9185 10646 營業成本 2572 3393 5211 6894 8866 應收票據及應收賬款 713 1213 1628 2108 2885 營業稅金及附加 15 12 34 35 45 其他應收款 27 10 39 46 51 營業費用 409 492 517 652 830 預付賬款 35 112 102 152 221

10、管理費用 236 344 517 646 830 存貨 3402 4260 6217 8666 10952 研發費用 605 817 1496 1727 2236 其他流動資產 3153 2401 2480 2493 2537 財務費用-151-87-35-33-27 非流動資產非流動資產 5380 6438 7094 7138 7158 資產減值損失-20-11-5-5-5 長期投資 979 1020 1020 1020 1020 其他收益 102 124 181 266 326 固定資產 336 1988 1988 1988 1988 公允價值變動收益 63-203 30-20 30 無形

11、資產 590 687 687 687 687 投資凈收益 74 787 308 459 632 其他非流動資產 3474 2744 3400 3444 3464 資產處置收益-5 0-3-5-4 資產總計資產總計 20035 21526 25897 29788 34451 營業利潤營業利潤 1263 1980 1793 2811 3960 流動負債流動負債 3919 3624 6839 8580 10245 營業外收入 0 33 10 10 10 短期借款 0 0 0 0 0 營業外支出 5 3 3 8 13 應付票據及應付賬款 960 1305 2041 2642 3427 利潤總額利潤總額

12、 1259 2010 1800 2813 3957 其他流動負債 2959 2319 4798 5939 6818 所得稅 91 226 175 264 401 非流動負債非流動負債 633 79 150 150 162 凈利潤凈利潤 1168 1784 1625 2549 3556 長期借款 500 0 0 0 12 少數股東損益-2-2-2-3-4 其他非流動負債 133 79 150 150 150 歸屬母公司凈利潤歸屬母公司凈利潤 1170 1786 1626 2552 3560 負債合計負債合計 4552 3702 6989 8730 10407 EBITDA 1123 1485 1

13、789 2822 3987 少數股東權益-1-3-5-8-12 EPS（元/股）1.88 2.87 2.61 4.10 5.72 股本 616 619 619 619 619 資本公積 12647 13317 13317 13317 13317 主要財務比率主要財務比率 留存收益 2218 3880 5268 7420 10410 會計年度會計年度 2022A 2023A 2024E 2025E 2026E 歸屬母公司股東權益 15484 17826 18913 21065 24056 成長能力成長能力 負債和股東權益負債和股東權益 20035 21526 25897 29788 34451

14、營業收入(%)52.5 32.1 44.7 33.2 30.9 營業利潤(%)11.4 56.8-9.4 56.7 40.9 歸屬母公司凈利潤(%)15.7 52.7-8.9 56.9 39.5 獲利能力獲利能力 毛利率(%)45.7 45.8 42.5 42.9 43.9 現金流量表（現金流量表（百萬元）凈利率(%)24.7 28.5 17.9 21.1 22.5 會計年度會計年度 2022A 2023A 2024E 2025E 2026E ROE(%)7.6 10.0 8.6 12.1 14.8 經營活動現金流經營活動現金流 618-977 2357 919 1517 ROIC(%)5.7

15、 6.3 8.3 11.8 14.5 凈利潤 1168 1784 1625 2549 3556 償債能力償債能力 折舊攤銷 142 176 25 42 57 資產負債率(%)22.7 17.2 27.0 29.3 30.2 財務費用-119-71 0 0 0 凈負債比率(%)-43.9-36.8-42.6-42.3-43.1 投資損失-74-787-308-459-632 流動比率 3.7 4.2 2.7 2.6 2.7 營運資金變動 -409-2238 1024-1278-1488 速動比率 2.8 2.8 1.7 1.5 1.5 其他經營現金流-90 159-9 65 23 營運能力營運能

16、力 投資活動現金流投資活動現金流-2887 1827-346 370 548 總資產周轉率 0.3 0.3 0.4 0.4 0.5 資本支出-1504-867-557-89-84 應收賬款周轉率 8.4 7.0 6.9 7.2 6.9 長期投資-1371 2202 0 0 0 應付賬款周轉率 3.0 3.0 3.1 2.9 2.9 其他投資現金流-13 492 211 459 632 每股指標（元）每股指標（元）籌資活動現金流籌資活動現金流 482 223-755-442-604 每股收益(最新攤薄)1.88 2.87 2.61 4.10 5.72 短期借款 0 0 0 0 0 每股經營現金流

17、(最新攤薄)0.99-1.57 3.79 1.48 2.44 長期借款 500-500 0 0 12 每股凈資產(最新攤薄)24.88 28.64 30.39 33.85 38.65 普通股增加 0 3 0 0 0 估值比率估值比率 資本公積增加 359 670 0 0 0 P/E 106.2 69.6 76.4 48.7 34.9 其他籌資現金流-378 49-755-442-616 P/B 8.0 7.0 6.6 5.9 5.2 現金凈增加額現金凈增加額-1718 1085 1247 847 1461 EV/EBITDA 47.7 59.7 65.0 40.9 28.6 資料來源：Wind

18、，國盛證券研究所 注：股價為 2025 年 03 月 13 日收盤價 2025 03 21年 月 日 yWjVpPsNvNxOqNtN6MaO9PtRrRmOqNeRnNnOjMpNoP9PqQvMwMsRsMuOnNsO gszqdatemark P.3 請仔細閱讀本報告末頁聲明請仔細閱讀本報告末頁聲明 內容目錄內容目錄 1、深耕半導體高端制造裝備，打造平臺型龍頭.5 1.1 二十余年砥礪前行，成就刻蝕設備+MOCVD 設備龍頭.5 1.2 核心團隊產業經驗深厚，股權激勵彰顯長期發展信心.7 1.3 業績高速增長，持續研發保駕護航.9 1.4 兼顧外延性發展，全球化多領域布局.12 2、半導

19、體設備市場空間廣闊，國產替代加速滲透.14 2.1 刻蝕設備：國內廠商產品覆蓋度穩步提升.15 2.2 刻蝕設備國內領先，瞄準國內科技前沿.20 3、薄膜設備需求提升，市場規模持續擴大.25 3.1 薄膜沉積設備：芯片制造三大核心設備之一.25 3.2 薄膜設備技術水平先進，持續研發新品層出.28 3.3 MOCVD 設備國際領先，緊跟行業前沿研發進展順利.31 4、盈利預測及投資建議.35 5、風險提示.38 圖表目錄圖表目錄 圖表 1：公司發展歷程.5 圖表 2：中微反應臺累計數量（臺）.6 圖表 3：中微三維發展戰略.7 圖表 4：高管及核心技術成員.8 圖表 5：公司股權結構.9 圖表

20、 6：2024 年股權激勵計劃方案.9 圖表 7：公司營收及同比增速（億元）.10 圖表 8：公司歸母凈利潤及同比增速（億元）.10 圖表 9：公司毛利率和凈利率水平.10 圖表 10：公司費率情況.10 圖表 11：公司分業務營收（億元）.11 圖表 12：分業務毛利率.11 圖表 13：研發費用及占比（億元）.11 圖表 14：存貨與合同負債情況（億元）.11 圖表 15：中微公司三維發展戰略.12 圖表 16：中微公司各研發基地.13 圖表 17：全球半導體設備市場規模及同比（億美元）.14 圖表 18：分地區半導體設備銷售額（十億美元）.14 圖表 19：全球半導體設備細分.14 圖表

21、 20：2013 年到 2023 年半導體芯片前道設備年均增速.14 圖表 21：全球半導體晶圓產能（等效 8 英寸片，月產能）.15 圖表 22：刻蝕過程重點：移除不需要材料.16 圖表 23：刻蝕類別.16 圖表 24：按作用機理分各類刻蝕特征.17 圖表 25：按刻蝕材料分各類刻蝕特征.17 圖表 26：2022 年干法刻蝕細分占比（百萬美元）.18 圖表 27：電感耦合等離子體刻蝕反應腔.18 圖表 28：ICP 等離子刻蝕機設備結構示意圖.18 圖表 29：電容性等離子體刻蝕反應腔.19 圖表 30：2022 年全球刻蝕機企業競爭格局.19 圖表 31：不同制程集成電路生產所需刻蝕工

22、序次數.20 圖表 32：10 納米多重模板工藝原理，涉及更多次刻蝕.20 圖表 33：存儲器件從 2D 到 3D 結構的轉變使等離子體刻蝕成為最關鍵的加工步驟.20 2025 03 21年 月 日 gszqdatemark P.4 請仔細閱讀本報告末頁聲明請仔細閱讀本報告末頁聲明 圖表 34：Primo Nanova 累計安裝機臺數量.21 圖表 35：中微公司開發 CCP 和 ICP 單臺機和雙臺機.21 圖表 36：中微公司 CCP 刻蝕產品系列及發展路線.22 圖表 37：中微公司 ICP 產品研發歷史和產品系列.22 圖表 38：Primo SD-RIE 可有效應對一體化大馬士革刻蝕

23、工藝需求.23 圖表 39：中微公司 Primo TSV 設備.23 圖表 40：中微公司 Nanova 設備.24 圖表 41：ALD、CVD、PVD 成膜效果示意圖.25 圖表 42：薄膜沉積設備分類.26 圖表 43：薄膜沉積設備細分占比.26 圖表 44：工藝升級帶動薄膜沉積工序數提升.27 圖表 45：ALD 在多重曝光中的應用.27 圖表 46：NAND 發展趨勢.27 圖表 47：2023 年薄膜沉積設備細分格局.28 圖表 48：中微公司四款 LPCVD-ALD 導體薄膜沉積設備進入市場.29 圖表 49：中微公司 ALD 設備.29 圖表 50：中微公司 LPCVD 設備.3

24、0 圖表 51：中微公司 Preforma Uniflex HW 設備.31 圖表 52：中微公司 Preforma Uniflex AW 設備.31 圖表 53：GaN 和 SiC 應用潛力較大.31 圖表 54：中微公司 PRISMO D-Blue 設備.32 圖表 55：中微公司 PRISMO A7 設備.32 圖表 56：中微公司 PRISMO HiT3 設備.32 圖表 57：中微公司 PRISMO UniMax 設備.33 圖表 58：中微公司 PRISMO PD5 設備.33 圖表 59：中微公司分業務收入毛利拆分.36 圖表 60：費用率假設情況.37 圖表 61：可比公司估值

25、情況.37 2025 03 21年 月 日 gszqdatemark P.5 請仔細閱讀本報告末頁聲明請仔細閱讀本報告末頁聲明 1、深耕深耕半導體半導體高端制造裝備高端制造裝備，打造平臺型龍頭打造平臺型龍頭 1.1 二十余年二十余年砥礪前行，成就刻蝕設備砥礪前行，成就刻蝕設備+MOCVD 設備龍頭設備龍頭 深耕深耕半導體設備領域半導體設備領域，創新創新引領國內半導體設備技術發展。引領國內半導體設備技術發展。中微公司成立于 2004 年，是一家以中國為基地、面向全球的微觀加工高端設備公司，為集成電路和泛半導體行業提供高端設備和服務，在半導體設備制造產業擁有多年耕耘積累的專業技術。公司由MOCVD

26、 和刻蝕設備起步，逐漸拓展至 LPCVD、ALD 等薄膜沉積及其他設備，跨足半導體芯片前端制造、先進封裝、發光二極管生產、MEMS 制造以及其他微觀制程的高端設備領域，其開發的用于 LED 和功率器件外延片生產的 MOCVD 設備在全球氮化鎵基 LED MOCVD 設備市場占據領先地位。自成立以來，公司致力于開發微觀加工的半導體設備，引領國內半導體設備技術發展。圖表1：公司發展歷程 資料來源：公司官網，國盛證券研究所 瞄準刻蝕設備、瞄準刻蝕設備、MOCVD 科技前沿，堅持自主創新?？萍记把?，堅持自主創新。公司的等離子體刻蝕設備已批量應用在國內外一線客戶從 65 納米到 14 納米、7 納米和

27、5 納米及更先進的集成電路加工制造生產線及先進封裝生產線，并覆蓋了多種先進工藝芯片加的工制造和封裝環節。公司注重于研發與創新，開發的 CCP、ICP、薄膜沉積設備、深硅刻蝕機、MOCVD 等五類設備均達到國際先進水平。公司 MOCVD 設備已實現在客戶生產線上大規模量產，并在全球氮化鎵基 LED MOCVD 設備市場取得了優勢地位。截止 2024 年年中，公司累計已有5164 臺等離子刻蝕和化學薄膜反應臺，在國內外 131 條生產線全面實現量產和大量重復性銷售。2025 03 21年 月 日 gszqdatemark P.6 請仔細閱讀本報告末頁聲明請仔細閱讀本報告末頁聲明 圖表2：中微反應臺

28、累計數量（臺）資料來源：公司公告，國盛證券研究所 1）CCP 設備：設備：公司電容性刻蝕機已進入 2D 和 3D 存儲器生產線，擁有 300+反應臺進入國際 5nm 及以下生產線，3600+反應臺在線生產。公司已有 CCP 刻蝕產品已經覆蓋28 納米以上邏輯器件制造的絕大部分 CCP 刻蝕應用，其中 Primo-DRIE，Primo AD-RIE可以滿足絕大多數 28 納米以上 CCP 刻蝕制程的需求，雙反應臺 Primo AD-RIE-e 配備動態調溫靜電吸盤，可調節電極間距的雙反應臺 Primo SD-RIE 與多家客戶達成評估意向，目前實驗室開發進展順利。公司的成熟產品可以覆蓋存儲器件制

29、造中的絕大部分應用，同時公司針對超高深寬比刻蝕自主開發的具有大功率 400kHz 偏壓射頻的 Primo UD-RIE已在生產線驗證出具有刻蝕60：1 深寬比結構的量產能力。公司積極布局超低溫刻蝕技術，投入大量資源在超低溫靜電吸盤和新型刻蝕氣體研究上，積極儲備更高深寬比結構刻蝕的前衛技術。2）ICP 設備：設備：擁有 700+反應臺在線生產，可應用于 95%以上的 ICP 刻蝕，Nanova 單臺機訂單年增長超 100%，Primo Nanova 系列產品在客戶端安裝腔體數近三年實現70%的年均復合增長。首臺 Primo-Twin Star 200 付到客戶端開展 Meta Lens 的產線上

30、認證。公司 ICP 技術設備類中的 8 英寸和 12 英寸深硅刻蝕設備 Primo TSV 200E、Primo TSV 300E 在多個成熟市場繼續獲得重復訂單的同時，在 12 英寸的 3D 芯片的硅通孔刻蝕工藝上得到成功驗證，并在歐洲客戶新建的世界第一條 12 英寸微機電系統芯片產線上獲得認證的機會，為公司 Primo TSV 300E 刻蝕設備拓展了新的市場。同時公司根據國內工藝需求開發了Primo Menova Al刻蝕設備，并和多個客戶開展鋁線刻蝕工藝的合作開發。3）MOCVD 設備設備：自主開發、生產了 UniMax 等三代設備用于照明和先進顯示，以及深紫外芯片生產設備。PRISM

31、O UniMax 產品，憑借其高產量、高波長均勻性、高良率等優點，受到廣泛認可，在 Mini-LED 顯示外延片生產設備領域處于國際領先地位；開發的用于氮化鎵功率器件生產的 MOCVD 設備 PRISMO PD5 已交付多家國內外領先客戶進行生產驗證，并取得重復訂單；基于產業界的新需求，正開發下一代用于氮化鎵功率器件制造的新型 MOCVD 設備，以進一步提升公司在該領域的市場競爭力。4）薄膜沉積設備：）薄膜沉積設備：公司薄膜沉積設備擁有高輸出的雙反應臺系統，開發了原子層氣象沉積金屬鎢設備滿足三維填充需求，以及具備表面處理能力的化學氣象沉積金屬鎢設備，實現 3D 存儲器驗證通過。已完成多個邏輯和

32、存儲客戶對 CVD/HAR/ALD W 鎢設備的樣品驗證，應用于高端存儲和邏輯器件的 ALD 氮化鈦設備穩步推進，實驗室測試顯示其薄68921272343374295687321004132017232362331143315164010002000300040005000600020102012201420162018202020222024H12025 03 21年 月 日 gszqdatemark P.7 請仔細閱讀本報告末頁聲明請仔細閱讀本報告末頁聲明 膜均一性和產能均為世界領先水平。在現有設備研發基礎上，公司已規劃并開發多款CVD和 ALD 設備，增加薄膜設備的覆蓋率并進一步拓展市場

33、。內生外延雙輪驅動高速發展。內生方面：內生外延雙輪驅動高速發展。內生方面：公司堅持“四個十大”的企業文化，持續推進三維發展戰略。秉承“攀登勇者，志在巔峰”企業精神，不斷攀登新的技術和發展高峰，不斷加強管理和研發能力，形成了優秀的技術和管理團隊持續研發創新并推出有市場競爭力的產品。外延方面：外延方面：公司不斷踐行外延式發展策略，在集成電路、泛半導體設備領域深入創新，在其他戰略新興領域，聚焦環境保護設備的“中微惠創”、開發中小企業營運軟件系統的“中微匯鏈”以及布局大健康領域的“芯匯康”都取得了良好進展，共同推動公司實現高速、穩定、健康和安全的發展。公司同時積極探索在相關領域的投資機會，公司諸多參股

34、投資的公司營運表現良好，形成了良好的產業鏈協同效應。圖表3：中微三維發展戰略 資料來源：公司公告，國盛證券研究所 1.2 核心團隊產業經驗核心團隊產業經驗深厚深厚，股權激勵彰顯長期發展信心，股權激勵彰顯長期發展信心 核心團隊核心團隊深耕深耕半導體行業半導體行業，專業能力卓越專業能力卓越。公司董事長及創始人尹志堯博士擁有近 40 年半導體行業經驗，自 1984 年起，先后任職英特爾、泛林半導體、應用材料等國際前沿半導體公司，是國際等離子體刻蝕技術發展和產業化的重要推動者。尹志堯博士憑借其卓越的領導能力和突出的行業貢獻。公司其他高管同樣具備豐厚產業經驗，多年深耕技術一線，形成卓越的技術研發團隊，指

35、導公司攻堅克難，加速高端產品開發及推出。2025 03 21年 月 日 gszqdatemark P.8 請仔細閱讀本報告末頁聲明請仔細閱讀本報告末頁聲明 圖表4：高管及核心技術成員 姓名姓名 職務職務 履歷履歷 尹志堯 董事長 總經理 中國科學技術大學學士，加州大學洛杉磯分校博士。1984 年至 1986 年，就職于英特爾中心技術開發部，擔任工藝工程師；1986 年至 1991 年，就職于泛林半導體，歷任研發部資深工程師、研發部資深經理；1991 年至 2004 年，就職于應用材料，歷任等離子體刻蝕設備產品總部首席技術官、總公司副總裁及等離子體刻蝕事業群總經理、亞洲總部首席技術官；2004年

36、至今，擔任中微公司董事長及總經理。陳偉文 副總經理、財務負責人 廈門大學學士、美國阿拉巴馬大學碩士。1996 年至 1999 年，擔任普華永道會計師事務所審計師；1999 年至 2000 年，擔任可口可樂公司總部財務分析師；2000 年至 2005 年，擔任霍尼韋爾國際總部資深內審員及中國區飛機引擎分部財務總監；2006 年至 2007 年，擔任耶路全球中國國際運輸財務總監；2007 年至 2008 年，擔任海王星辰連鎖藥店集團財務總監兼副總經理；2009 年至 2010 年，擔任盛大科技財務總監；2010 年至 2012 年，擔任阿特斯太陽能集團副總經理兼財務總監；2012 年至今，任中微公

37、司副總經理、財務負責人。叢海 副總經理、刻蝕產品部總經理 新加坡國立大學碩士研究生。1995 年至 2002 年，擔任新加坡特許半導體蝕刻資深工程師；2002 年至 2003 年，擔任美國臺積電海外廠蝕刻資深工程師；2003 年至 2018 年，擔任新加坡 GlobalFoundries 研發部門蝕刻部技術總監；2018 年至今，擔任中微公司集團副總裁，刻蝕和外延產品部總經理。陶珩 副總經理、LPCVD 產品部和公共平臺工程部總經理 上海交通大學碩士研究生。1997 年至 2002 年，擔任武漢理工大學校辦工廠機械工程師；2002 年至 2003 年擔任捷銳氣壓設備（上海）有限公司機械工程師；

38、2003 年至 2005 年擔任精技機電（上海）有限公司機械工程師。2005 至今，歷任中微公司執行總監、副總裁、集團副總裁，LPCVD 產品部和公共平臺工程部總經理、CVD 產品部及公共工程部總經理。張凱 副總經理、平板設備產品部總經理 浙江大學機械電子工程專業學學士。1998 年至 2000 年，就職于上海光華儀表廠，擔任電子系統研發工程師；2000 年至 2004 年，就職于美國應用材料中國公司，歷任客戶服務工程師、CPI 產品技術經理；2004 年至 2018 年，就職于美國 Veeco Instruments 公司，歷任中國區技術服務總經理、銷售總監等職務；2018 年加入中微公司，

39、曾任 MOCVD 業務副總經理，目前擔任公司副總裁兼平板設備產品部總經理，中微廣州公司總經理。陳煌琳 ICP 產品部總經理 臺灣工業技術學院學士。2000 年至 2018 年，就職于泛林半導體，任職資深客戶服務經理；2018 年加入中微公司，現任中微公司副總裁，ICP 產品部總經理。何偉業 LPCVD 產品部總經理 南京大學學士，碩士。2007 年至 2010 年，就職于中芯國際邏輯技術研發部，擔任工藝工程師；2011 年至 2021 年，就職于應用材料（中國）有限公司，歷任技術主管，產品經理；2021 年加入中微公司，現任中微 LPCVD 產品部總經理。姜勇 MOCVD 產品部副總經理 上海

40、交通大學工學學士，上海交通大學工學碩士。2005 年加入中微公司，現任中微公司副總裁，MOCVD 產品部副總經理。劉志強 CCP 刻蝕部總經理 北京清華大學學士，碩士。2002 年至 2004 年，就職于中芯國際集成電路制造有限公司，擔任蝕刻工藝工程師；2004 年至 2008 年，擔任新加坡特許半導體蝕刻主任工程師。2008 年加入中微公司，現任中微公司副總裁，CCP 刻蝕部總經理。資料來源：IFinD，公司公告，國盛證券研究所 公司無實際控股人，第一大股東上海創業投資有限公司持股 15.05%，第二大股東巽鑫投資有限公司持股 13.04%，香港中央結算有限公司持股 5.47%，為第三大股東

41、。2025 03 21年 月 日 gszqdatemark P.9 請仔細閱讀本報告末頁聲明請仔細閱讀本報告末頁聲明 圖表5：公司股權結構 資料來源：IFinD，國盛證券研究所（數據截止至 24 年三季報）股權激勵股權激勵綁定綁定核心人核心人才，提升企業才，提升企業長期長期競爭力競爭力。公司秉承扁平化的全員股權激勵原則，對不同層級員工均給予股權激勵，建立健全了公司激勵機制，充分調動人員積極性，有助于吸引專業人才，綁定核心技術人員，提升團隊凝聚力，推動公司長期穩健發展。圖表6：2024 年股權激勵計劃方案 歸屬期歸屬期 考核年考核年度度 使用營業收入使用營業收入 業績考核目標業績考核目標 公司層

42、面歸屬公司層面歸屬比例比例 第一個歸屬期 2024 2024 年營業收入 X對標企業算術平均增長率 100%對標企業算術平均增長率*0.8=X對標企業算術平均增長率 80%X對標企業算術平均增長率*0.8 0 第二個歸屬期 2025 2024 年、2025 年營業收入累計值 同第一歸屬期 100%80%0 第三個歸屬期 2026 2024 年、2025 年和 2026年營收累計值 同第一歸屬期 100%80%0 第四個歸屬期 2027 2024 年、2025 年、2026 年和 2027 年營收累計值 同第一歸屬期 100%80%0 資料來源：IFinD，國盛證券研究所 1.3 業績高速增長，

43、持續研發保駕護航業績高速增長，持續研發保駕護航 營收營收業績持續穩步增長業績持續穩步增長。中微公司 2023 年實現營收 62.64 億元，同比上升 32.15%，其中，刻蝕設備銷售約 47.03 億元，同比增長約 49.43%。2023 年實現歸母凈利潤 17.86億元，同比上升 52.67%。公司 2024 年前三季度營收 55.07 億元，同比上升 36.27%，24Q3 實現營收 20.59 億元，同比增長 35.96%。2024 年前三季度實現歸母凈利潤 9.13億元，同比下降 21.28%，24Q3 實現歸母凈利潤 3.96 億元，同比增長 152.63%。2025 03 21年

44、月 日 gszqdatemark P.10 請仔細閱讀本報告末頁聲明請仔細閱讀本報告末頁聲明 根據公司 2024 年業績快報，2024 年營收約 90.65 億元，yoy+44.73%。其中刻蝕設備收入 72.77 億元，yoy+54.73%；MOCVD 收入 3.79 億元，yoy-18.03%；LPCVD 薄膜設備 2024 年實現首臺銷售，全年設備銷售約 1.56 億元，公司營收增長主要系公司的刻蝕設備及薄膜設備持續獲得眾多客戶的認可，高端產品新增付運量及銷售額顯著提升。全年歸母凈利潤 16.26 億元，yoy-8.93%?？鄯莾衾麧?13.88 億元，yoy+16.52%。公司歸母凈利

45、潤下降主要系大幅加大研發投入，且 2023 年公司出售了持有的部分拓荊科技股份有限公司股票，產生稅后凈收益約 4.06 億元。單季度來看，24Q4 實現營收約 35.58億元，yoy+60.1%；其中刻蝕設備收入約 28.64 億元，yoy+56.2%；歸母凈利潤 7.13 億元，yoy+13.9%；扣非凈利潤 5.75 億元，yoy+25.8%。圖表7：公司營收及同比增速（億元）圖表8：公司歸母凈利潤及同比增速（億元）資料來源：IFinD，國盛證券研究所 資料來源：IFinD，國盛證券研究所 盈利水平盈利水平呈上升呈上升趨勢趨勢，費率水平持續優化費率水平持續優化。公司毛利率水平自 2019

46、年的 34.93%上升至2024前三季度的42.22%。凈利率水平自2019年9.69%上升至2024前三季度的16.56%，有一定幅度上升。2024 年 Q1-Q3 毛利率與凈利率較 2023 年略有下降，主要系公司顯著加大研發投入，且 2023 年公司出售了持有的部分拓荊科技股份有限公司股票，而 2024年公司并無該項股權處置收益，由于市場波動，公司 2024Q1-Q3 計入非經常性損益的股權投資收益增加。公司銷售費用與管理費用整體呈下降趨勢，盡管由于加大市場開拓力度與公司規模擴大、員工數量增多等情況，費用上升，但公司費用管理能力不斷優化，同時營收體量擴大，規模效應凸顯，費用率穩中有降。圖

47、表9：公司毛利率和凈利率水平 圖表10：公司費率情況 資料來源：IFinD，國盛證券研究所 資料來源：IFinD，國盛證券研究所 0.0%10.0%20.0%30.0%40.0%50.0%60.0%0.010.020.030.040.050.060.070.02019202020212022202324Q1-Q3營業總收入yoy-40.0%-20.0%0.0%20.0%40.0%60.0%80.0%100.0%120.0%140.0%160.0%180.0%0.02.04.06.08.010.012.014.016.018.020.02019202020212022202324Q1-Q3歸母凈

48、利潤yoy0.00%5.00%10.00%15.00%20.00%25.00%30.00%35.00%40.00%45.00%50.00%2019202020212022202324Q1-Q3毛利率凈利率-5.00%0.00%5.00%10.00%15.00%20.00%2019202020212022202324Q1-Q3銷售費用管理費用財務費用綜合費率2025 03 21年 月 日 gszqdatemark P.11 請仔細閱讀本報告末頁聲明請仔細閱讀本報告末頁聲明 刻蝕設備營收高增?？涛g設備營收高增。公司刻蝕設備營收高速增長，由 2019 年 8.13 億元增長至 2023 年47.03

49、 億元，2024 年上半年刻蝕設備收入 26.98 億元，同比增長約 56.68%，占營業收入的 78.26%。備品備件 2023 年營收創新高，達到 9.71 億元，MOCVD 設備營收有一定下降，2024 年上半年收入 1.52 億元，主要因為公司在藍綠光 LED 生產線和 Mini-LED 產業化中保持領先的地位，該終端市場近兩年處于下降趨勢。圖表11：公司分業務營收（億元）圖表12：分業務毛利率 資料來源：IFinD，公司公告，國盛證券研究所 資料來源：IFinD，公司公告，國盛證券研究所 大力投入研發大力投入研發，拓展平臺化布局拓展平臺化布局。公司近年持續加大研發投入，2024 年前

50、三季度公司研發費用 9.14 億元，同比增長約 81.92%，研發人員數量從 2019 年 276 人增長至 2023 年788 人，2024 年中研發人員占比達到 46.38%，歷年累計申請專利 2648 項，已獲授權專利 1670 項。不斷增長的研發投入和研發人員占比，有助于推動公司技術創新和產品升級，保障產品市場競爭力，提升企業發展潛能，為公司的長遠發展奠定堅實基礎。在手訂單飽滿。在手訂單飽滿。公司 2023 年合同負債達 7.72 億元，較 2022 年有一定下降。公司存貨金額 2024 前三季度達 78.2 億元，充分體現公司在手訂單充裕，營收業績增長可期。2024年上半年新增訂單

51、47.0 億元，同比增長約 40.3%，其中刻蝕設備新增訂單 39.4 億元，同比增速約 50.7%；LPCVD 上半年新增訂單 1.68 億元，新產品開始啟動放量。圖表13：研發費用及占比（億元）圖表14：存貨與合同負債情況（億元）資料來源：IFinD，國盛證券研究所 資料來源：IFinD，國盛證券研究所 0.0010.0020.0030.0040.0050.0060.0070.00201920202021202220232024H1刻蝕設備MOCVD設備備品備件設備維護0.00%10.00%20.00%30.00%40.00%50.00%60.00%70.00%20202021202220

52、23刻蝕設備MOCVD設備備品備件設備維護0%2%4%6%8%10%12%14%16%18%0123456789102019202020212022202324Q1-Q3研發費用占比0102030405060708090202020212022202324Q1-Q3存貨合同負債2025 03 21年 月 日 gszqdatemark P.12 請仔細閱讀本報告末頁聲明請仔細閱讀本報告末頁聲明 1.4 兼顧外延性發展，兼顧外延性發展，全球化多領域布局全球化多領域布局 積極對外投資，積極對外投資，拓展拓展相關領域布局。相關領域布局。公司兼顧外延內生同步發展，在聚焦公司核心業務集成電路設備的同時積極

53、探索布局其他新業績增長點。下屬中微匯鏈、中微惠創、芯匯康在新業務拓展領域取得了良好的進展，得到了市場和用戶的高度評價，同時公司積極探索相關各領域投資機會，諸多參股投資的公司營運表現良好，其中，公司參股投資的晶升股份、華虹公司在 2023 年完成科創板掛牌上市，形成了良好的產業鏈協同效應。圖表15：中微公司三維發展戰略 資料來源：中微公司公告，國盛證券研究所 持有持有上海睿勵上海睿勵 27.46%股份股份，布局布局量檢測設備領域。量檢測設備領域。半導體量檢測設備是檢測芯片性能與缺陷的關鍵設備，是半導體行業中不可或缺的環節。睿勵自主研發薄膜量測設備和光學缺陷檢測設備等，公司在該領域注入投資，有助于

54、拓展產業領域，積極探索新業績增長點，同時促進產業鏈延伸。積極布局零部件領域，積極布局零部件領域，推動零部件國產化進程。推動零部件國產化進程。零部件是半導體行業的基石，為行業發展提供重要支撐，由于零部件供應的一致性要求和認證程序的復雜，客戶驗證壁壘和認證壁壘較高。公司持股英杰晨暉與先鋒精科等零部件廠商，有利于整合產業鏈相關資源，推動設備零部件國產化。生產基地建設順利進展，產業鏈布局完善。生產基地建設順利進展，產業鏈布局完善。為擴充資產規模、增強公司實力，公司持續推進各產業化建設項目。南昌約 14 萬平方米的生產和研發基地已于 2023 年 7 月投入使用，在上海臨港約 18 萬平方米的生產和研發

55、基地主體建設已基本完成，2024 年 8 月正式投入使用，同時上海臨港滴水湖畔約 10 萬平方米的研發中心暨總部大樓即將封頂，廠房和辦公室總面積將達 45 萬平方米，為未來的發展夯實基礎。2025 03 21年 月 日 gszqdatemark P.13 請仔細閱讀本報告末頁聲明請仔細閱讀本報告末頁聲明 圖表16：中微公司各研發基地 資料來源：中微公司公告，國盛證券研究所 加注臨港加注臨港 10 億，打造電子億，打造電子束束和光學量檢測設備研發制造基地。和光學量檢測設備研發制造基地。公司董事長尹志堯博士親自掛帥，聚焦于集成電路重大設備開發與產品市場化，探索人工智能在圖像處理、設備智能化方面的應

56、用，控股子公司超微半導體設備（上海）有限公司與上海臨港新片區管委會簽署戰略合作協議，將在臨港建設電子束和光學量檢測設備研發制造基地項目，項目總投資 10 億元，以進一步完善中微公司量檢測設備布局。2025 03 21年 月 日 gszqdatemark P.14 請仔細閱讀本報告末頁聲明請仔細閱讀本報告末頁聲明 2、半導體設備市場空間廣闊，國產替代加速滲透、半導體設備市場空間廣闊，國產替代加速滲透 增勢強勁，增勢強勁，2025 年全球半導體設備市場規模有望達年全球半導體設備市場規模有望達 1210 億美元億美元。半導體設備是集成電路和廣泛應用的半導體微觀器件產業的基石，隨著微觀器件的尺寸不斷縮

57、小，結構日益復雜，其重要性愈發凸顯。2023 年全球半導體設備市場出貨金額為 1063 億美金，同比-1.3%，伴隨周期低點過去，終端市場需求回暖及各大晶圓廠擴產動作持續，SEMI 預計 2024 年全球半導體設備市場將達到 1130 億美金新高，同比+6.4%。展望未來，SEMI預計 2025 年全球半導體設備市場規模將達 1210 億美元，同比+7.1%，2026 年市場規模有望延續增長至 1390 億美元。受益于國內晶圓廠持續擴產，中國大陸半導體設備全球份額逐步提升，2020-2023 年份額居全球首位，根據 wind 數據，2024Q1-Q3 中國大陸半導體設備全球份額達到 45%，銷

58、售額達 376.6 億美元，引領全球半導體設備市場。圖表17：全球半導體設備市場規模及同比（億美元）圖表18：分地區半導體設備銷售額（十億美元）資料來源：Wind，SEMI，國盛證券研究所 資料來源：Wind，國盛證券研究所 晶圓制造設備占半導體設備市場約晶圓制造設備占半導體設備市場約 90%。半導體設備分為晶圓制造設備及封裝、測試設備，根據SEMI數據，2023年晶圓制造設備銷售額約占總體半導體設備銷售額的90%，其中薄膜沉積設備、光刻設備、刻蝕設備共同構成芯片制造三大核心設備，薄膜沉積設備及刻蝕設備年平均增長速度高于其他種類的設備，2023 年在晶圓制造設備中占比均達22%。圖表19：全球

59、半導體設備細分 圖表20：2013 年到 2023 年半導體芯片前道設備年均增速 資料來源：SEMI，拓荊科技公告，國盛證券研究所 資料來源：Gartner，中微公司公告，國盛證券研究所 -100%-50%0%50%100%150%200%0200400600800100012001400160020052006200720082009201020112012201320142015201620172018201920202021202220232024E2025E2026E半導體設備市場規模（億美金）yoy0%5%10%15%20%25%30%35%40%45%50%020406080100

60、120200520062007200820092010201120122013201420152016201720182019202020212022202324Q1-Q3中國大陸中國臺灣北美日本歐洲韓國其他中國大陸占比2025 03 21年 月 日 gszqdatemark P.15 請仔細閱讀本報告末頁聲明請仔細閱讀本報告末頁聲明 晶圓廠擴產拉動設備需求，中國大陸擴產動能較強。晶圓廠擴產拉動設備需求，中國大陸擴產動能較強。根據 SEMI 數據，全球半導體晶圓制造產能預計將在 2024 年增長 6%，并在 2025 年實現 7%的增長，達到每月晶圓產能3370 萬片“（8 英寸當量）。分地區

61、來看，中國大陸預計將保持兩位數的產能增長，在 2024年增長 15%至 885 萬（wpm）后，2025 年將增長 14%至 1010 萬（wpm）。預計 2025年中國臺灣地區的產能將以 580 萬（wpm）的位居第二，增長率為 4%，韓國預計 2025年將位居第三，在 2024 年首次突破 500 萬（wpm）的大關后，產能將增長 7%至 540萬（wpm）。圖表21：全球半導體晶圓產能（等效 8 英寸片，月產能）資料來源：SEMI，國盛證券研究所 全球半導體設備市場呈現多元化競爭格局，但整體被少數幾家頭部企業壟斷。全球半導體設備市場呈現多元化競爭格局，但整體被少數幾家頭部企業壟斷。美國在

62、薄膜沉積、離子注入、量測等領域占據壟斷地位，如應用材料在物理氣相沉積（PVD）、化學機械拋光（CMP）、離子注入等方面的全球市場占有率較高，泛林在刻蝕、電鍍設備領域占比較大，科磊在量檢測領域有較高的市占率。日本企業在涂膠顯影、清洗設備方面具有較強優勢，其中，東京電子在涂膠顯影設備市占率達 89%，迪恩士（DNS）的清洗設備市占率為 40%。光刻設備方面，荷蘭的 ASML 是光刻機領域龍頭。當前部分環節設備國產化率仍然較低。當前部分環節設備國產化率仍然較低。根據全球半導體觀察及 SEMI 數據，目前中國大陸設備基本可以覆蓋半導體制造流程的各階段所需（除光刻機外），中國半導體設備的國產化比例從 2

63、021 年的 21%迅速提升至 2023 年的 35%。中國在去膠、清洗、刻蝕設備方面國產化率較高，在 CMP、熱處理、薄膜沉積上近幾年國產化突破明顯，而在量測、涂膠顯影、光刻、離子注入等設備上，仍較為薄弱。2.1 刻蝕設備：國內廠商產品覆蓋度穩步提升刻蝕設備：國內廠商產品覆蓋度穩步提升 刻蝕是半導體圖案化過程的核心工藝，刻蝕機刻蝕是半導體圖案化過程的核心工藝，刻蝕機為為半導體制造三大核心設備之一半導體制造三大核心設備之一?？涛g通過物理及化學的方法，在晶圓表面襯底及其他材料上，雕刻出集成電路所需的立體微觀結構，將前道掩模上的圖形轉移到晶圓表面。在刻蝕新形成的結構上，可以進行 SiO2、SiN

64、介質薄膜沉積或金屬 Al，Cu，W 薄膜沉積，也可以進行多重曝光或下一刻蝕步驟，最終在各個層形成正確圖形，并使得不同層級之間適當連通，形成完整的集成電路。2025 03 21年 月 日 gszqdatemark P.16 請仔細閱讀本報告末頁聲明請仔細閱讀本報告末頁聲明 圖表22：刻蝕過程重點：移除不需要材料 資料來源：SK hynix，國盛證券研究所 按工藝劃分，刻蝕工藝可分為干法刻蝕和濕法刻蝕。按工藝劃分，刻蝕工藝可分為干法刻蝕和濕法刻蝕。隨著集成電路制程的升級，及芯片結構尺寸的不斷縮小，濕法刻蝕在線寬控制，刻蝕方向性方面的局限性漸漸顯現，濕法刻蝕各向異性較差，側壁容易產生橫向刻蝕造成刻蝕

65、偏差，逐步被干法刻蝕取代。目前應用主要以干法刻蝕為主，市場占比 90%以上。濕法刻蝕主要用于工藝尺寸較大的應用及干法刻蝕后殘留物的清洗。圖表23：刻蝕類別 資料來源：華經產業研究院，國盛證券研究所 根據作用機理，干法刻蝕主要分為等離子刻蝕，離子濺射刻蝕，反應離子刻蝕三種，運用在不同的工藝步驟中，根據被刻蝕的材料類型，干法刻蝕則可分為金屬刻蝕、介質刻蝕與硅刻蝕。其中，介質刻蝕和硅刻蝕市場規?？傉急瘸?90%，兩者廣泛應用于邏輯、存儲器等芯片制造中。2025 03 21年 月 日 gszqdatemark P.17 請仔細閱讀本報告末頁聲明請仔細閱讀本報告末頁聲明 圖表24：按作用機理分各類刻蝕特

66、征 資料來源：中關村集成電路產業聯盟，國盛證券研究所 圖表25：按刻蝕材料分各類刻蝕特征 資料來源：中關村集成電路產業聯盟，國盛證券研究所 干法刻蝕按照刻蝕原理可以分為物理性刻蝕和化學性刻蝕。干法刻蝕按照刻蝕原理可以分為物理性刻蝕和化學性刻蝕。物理性刻蝕是利用輝光放電將氬氣解離為帶正電的離子，再利用偏壓將離子加速，使其轟擊在刻蝕的物體表面，將原子擊出，完成刻蝕，在整個刻蝕過程中只發生了物理碰撞。物理性刻蝕具有各向異性刻蝕的特點，可以獲得接近垂直的刻蝕輪廓，但由于被擊飛的物質并不具有可揮發性，導致這些物質再次沉積于被刻蝕的物體表面，因此極少用于超大規模集成電路的制造?；瘜W性刻蝕又稱為等離子刻蝕，

67、通過射頻將刻蝕工藝氣體離子化來增強其活性，使刻蝕氣體與待刻蝕部分發生化學反應形成可揮發的副產物，然后將氣態副產物抽離工藝室完成刻蝕制程，根據等離子產生的原理不同，可以分為 ICP 與 CCP 刻蝕設備，根據 Gartner數據，2022 年 ICP 占干法刻蝕市場 47.9%，CCP 占干法刻蝕市場 47.5%。2025 03 21年 月 日 gszqdatemark P.18 請仔細閱讀本報告末頁聲明請仔細閱讀本報告末頁聲明 圖表26：2022 年干法刻蝕細分占比（百萬美元）資料來源：Gartner，中微公司公告，國盛證券研究所 1）電感耦合等離子體電感耦合等離子體“（“（ICP）刻蝕：）刻

68、蝕：射頻電源將射頻電流導入線圈中，射頻電流通過線圈時會產生一個電磁場，引導腔體內部的電子加速運動，加速運動的電子與刻蝕工藝氣體的分子產生碰撞產生等離子體。ICP 主要是以較低的離子能量和極均勻的離子濃度刻蝕較軟的或較薄的材料。圖表27：電感耦合等離子體刻蝕反應腔 圖表28：ICP 等離子刻蝕機設備結構示意圖 資料來源：中微公司公告，國盛證券研究所 資料來源：納恩科技，國盛證券研究所 2）電容性等離子體電容性等離子體“（“（CCP）刻蝕刻蝕：射頻電源在兩側裝有電極板的腔室內導入交流電，當交流電壓為正周期時，左電極板為負極，右電極板為正極，反應室內電子會朝右側移動，正電離子朝左側移動；反之，電子向

69、左側移動，正電離子朝右側移動。射頻電源通過高頻的周期變化頻率使兩種相反帶電粒子在兩塊電極板之間高速振蕩。帶電粒子高速振蕩后在腔室內導入工藝氣體，使兩種帶電粒子不停撞擊工藝氣體粒子并激發出等離子體。CCP 主要是以高能離子在較硬的介質材料上，刻蝕高深寬比的深孔、溝槽等微觀結構。2025 03 21年 月 日 gszqdatemark P.19 請仔細閱讀本報告末頁聲明請仔細閱讀本報告末頁聲明 圖表29：電容性等離子體刻蝕反應腔 資料來源：中微公司公告，國盛證券研究所 刻蝕設備市場海外壟斷，國產廠商份額逐步提升?？涛g設備市場海外壟斷，國產廠商份額逐步提升。全球范圍來看，LAM、應用材料、東京電子等

70、企業占據了刻蝕機市場的主導地位，2022 年 LAM RESEARCH 占比達 46.7%。國內北方華創、中微公司等企業在刻蝕機領域具有較強競爭力，成為國內刻蝕機行業的領軍企業，2023 年北方華創刻蝕設備營收近 60 億元，中微公司刻蝕設備營收超 47 億元。圖表30：2022 年全球刻蝕機企業競爭格局 資料來源：華經產業研究院，國盛證券研究所 7nm集成電路生產所需刻蝕工序為集成電路生產所需刻蝕工序為140次，相較次，相較28nm生產所需的生產所需的40次增加次增加2.5倍。倍。先進芯片制程從 7-5 納米階段向更先進工藝的方向發展，當前光刻機受光波長的限制，需要結合刻蝕和薄膜設備，采用多

71、重模板工藝，利用刻蝕工藝實現更小的尺寸，使得刻蝕技術及相關設備的重要性進一步提升。根據國際半導體產業協會測算，7nm 集成電路生產所需刻蝕工序為 140 次，相較 28nm 生產所需的 40 次增加 2.5 倍，5nm 芯片生產需刻蝕工序達 160 次。2025 03 21年 月 日 gszqdatemark P.20 請仔細閱讀本報告末頁聲明請仔細閱讀本報告末頁聲明 圖表31：不同制程集成電路生產所需刻蝕工序次數 圖表32：10 納米多重模板工藝原理，涉及更多次刻蝕 資料來源：華經產業研究院，國盛證券研究所 資料來源：中微公司公告，國盛證券研究所 3D NAND 制造工藝中，增加集成度的主要

72、方法不再是縮小單層上線寬而是增加堆疊的層數?？涛g要在氧化硅和氮化硅的疊層結構上，加工 40：1 到 60：1 甚至更高的極深孔或極深的溝槽。3D NAND 層數的增加要求刻蝕技術實現更高的深寬比，并且對刻蝕設備層數的增加要求刻蝕技術實現更高的深寬比，并且對刻蝕設備的需求比例進一步加大的需求比例進一步加大。圖表33：存儲器件從 2D 到 3D 結構的轉變使等離子體刻蝕成為最關鍵的加工步驟 資料來源：中微公司公告，國盛證券研究所 2.2 刻蝕設備刻蝕設備國內領先，國內領先，瞄準國內科技前沿瞄準國內科技前沿 刻蝕設備市占率大幅提升，付運勢頭強勁?？涛g設備市占率大幅提升，付運勢頭強勁。中微公司等離子體

73、刻蝕設備持續獲得國內外領先客戶認可，并批量應用在國內外一線客戶從 65 納米到 14 納米、7 納米和 5 納米及更先進的集成電路加工制造生產線及先進封裝生產線。2024 年上半年刻蝕設備新增訂單39.4 億元，同比增速約 50.7%，CCP 和 ICP 刻蝕設備的銷售增長和在國內主要客戶芯片生產線上市占率均大幅提升，在國內外半導體前道設備行業占據領先地位，Nanova 單臺機訂單年增長超 100%并迅速擴大市場占有率。針對先進邏輯和存儲器件制造中關鍵刻蝕工藝的高端產品新增付運量顯著提升，截至 2024 年 9 月，公司累計生產付運超過 3800個 CCP 刻蝕反應臺，2024 年上半年 CC

74、P 設備付運量約為去年同期 3 倍，創歷史新高。2025 03 21年 月 日 gszqdatemark P.21 請仔細閱讀本報告末頁聲明請仔細閱讀本報告末頁聲明 圖表34：Primo Nanova 累計安裝機臺數量 資料來源：中微公司公告，國盛證券研究所 技術行業領先，覆蓋絕大多數刻蝕應用。技術行業領先，覆蓋絕大多數刻蝕應用。公司等離子體刻蝕設備采用更先進的工藝水平，技術能力達到 5 納米及以下先進水平，可覆蓋絕大多數高端應用需求，憑借一系列刻蝕設備組合處于刻蝕創新技術前沿，具有成本優勢，已被廣泛應用于國內國際一線客戶，從 65 納米到 5 納米及更先進工藝的眾多刻蝕應用，CCP 設備已進

75、入 2D 和 3D 存儲器生產線，ICP 設備擁有 700+反應臺在線生產，覆蓋 95%以上的刻蝕應用。圖表35：中微公司開發 CCP 和 ICP 單臺機和雙臺機 資料來源：中微公司公告，國盛證券研究所 CCP 產品應用覆蓋領域廣闊。產品應用覆蓋領域廣闊。公司 CCP 刻蝕產品已覆蓋 28 納米以上邏輯器件制造的絕大部分 CCP 刻蝕應用，其中 Primo-DRIE，PrimoAD-RIE 可滿足絕大多數 28 納米以上CCP 刻蝕制程需求，雙反應臺 PrimoAD-RIE-e 配備有動態調溫靜電吸盤，持續拓寬應用，取得先進存儲生產線的重復訂單。PrimoSD-RIE 實驗室開發進展順利，在首

76、家先進邏輯客戶端針對金屬掩膜一體化大馬士革刻蝕工藝的驗證進入良率測試階段，已進入第二家客戶開展現場驗證；PrimoUD-RIE 已在生產線驗證具有刻蝕60：1 超高深寬比結構的量產能力，適用于 DRAM 和 3DNAND 器件制造中最關鍵的高深寬比刻蝕工藝。2025 03 21年 月 日 gszqdatemark P.22 請仔細閱讀本報告末頁聲明請仔細閱讀本報告末頁聲明 ICP 刻蝕設備刻蝕設備進展快速。進展快速。公司 ICP 設備涵蓋邏輯、DRAM、3D NAND、功率和電源管理、以及微電機系統等芯片和器件的 60 多條客戶生產線上量產，并持續進行更多應用驗證。Primo nanova 采

77、用了多區細分的高動態范圍溫控靜電吸盤，使加工器件的關鍵尺寸達到高度均勻性，適用于 1X 納米及以下的邏輯和存儲器件的刻蝕應用；Primo Twin-Star 具有優秀的刻蝕均勻性、高深寬比刻蝕性能，并有效提高生產效率，降低生產成本。圖表36：中微公司 CCP 刻蝕產品系列及發展路線 圖表37：中微公司 ICP 產品研發歷史和產品系列 資料來源：中微公司公告，國盛證券研究所 資料來源：中微公司公告，國盛證券研究所 單雙反應臺并舉，強化技術領先優勢。單雙反應臺并舉，強化技術領先優勢。公司 CCP 和 ICP 刻蝕機的單雙反應臺并舉策略的優勢凸顯，截至 2023 年底，CCP 雙反應臺設備累計裝機超

78、 2000 反應腔，2020 年至 2023年，ICP 雙反應臺設備累計裝機臺數年均復合增速超 100%。單反應臺 CCP 和 ICP 刻蝕設備在先進工藝生產線裝機增長迅速，累計裝機超 1000 反應臺。同時，公司致力于持續技術創新，強化技術領先優勢，進一步提升單片晶圓的片內刻蝕性能，以減小兩個反應臺間的刻蝕差異到亞埃級，進一步延伸了雙臺機可適用的工藝種類，提升雙臺機刻蝕性能，降低工藝制造成本。超高深寬比刻蝕能力，積極布局技術革新。超高深寬比刻蝕能力，積極布局技術革新。公司針對超高深寬比刻蝕自主開發了具有大功率 400kHz 偏壓射頻的 Primo UD-RIE，已在生產線驗證出具有刻蝕60：

79、1 深寬比結構的量產能力，可適用于 DRAM 和 3D NAND 器件制造中最關鍵的高深寬比刻蝕工藝，開發了配備超低頻偏壓射頻的 ICP 刻蝕機用于超高深寬比掩膜的刻蝕，并驗證成功進入量產，為超高深寬比掩膜（40：1）和超高深寬比介質刻蝕“（60：1）提供了全套解決方案。同時，積極布局超低溫刻蝕技術，以滿足超高深寬比刻蝕技術迭代的需求。Primo SD-RIE 進展順利，有效應對大馬士革刻蝕工藝需求。進展順利，有效應對大馬士革刻蝕工藝需求。公司開發了可調節電極間距的 CCP 刻蝕機 Primo SD-RIE，實時可調電極間距，可以在同一刻蝕工藝的不同步驟使用不同的電極間距，靈活調節等離子體濃度

80、分布和活性自由基濃度分布，針對復雜膜層結構的刻蝕工藝，Primo SD-RIE 可以通過動態調節電極間距以及多區調溫靜電吸盤對的溫度來達到最優的刻蝕均勻性，以應對 28 納米及以下的邏輯器件生產中廣泛采用的一體化大馬士革刻蝕工藝要求在同一刻蝕工藝中達到最優的溝槽和通孔刻蝕均勻性的問題。該設備采用雙反應臺平臺設計，在滿足嚴苛工藝指標的同時可有效降低生產成本。目前，Primo SD-RIE 在首家先進邏輯客戶端的驗證已進入良率測試階段，已進入第二家客戶開展現場驗證，并與其他多家邏輯芯片制造客戶達成現場評估意向，進展順利。2025 03 21年 月 日 gszqdatemark P.23 請仔細閱讀

81、本報告末頁聲明請仔細閱讀本報告末頁聲明 圖表38：Primo SD-RIE 可有效應對一體化大馬士革刻蝕工藝需求 資料來源：中微公司公告，國盛證券研究所 TSV新工藝成功驗證，推動高端半導體制造。新工藝成功驗證，推動高端半導體制造。TSV是用于先進封裝技術的關鍵工藝之一。公司 8 英寸和 12 英寸深硅刻蝕設備 Primo TSV 200E、Primo TSV 300E 在晶圓級先進封裝、2.5D 封裝和微機電系統芯片生產線等成熟市場持續獲得重復訂單，同時，在 12 英寸 3D 芯片的硅通孔刻蝕工藝上得到成功驗證，并在歐洲客戶新建的世界第一條 12 英寸微機電系統芯片產線上獲得認證機會，為公司

82、 Primo TSV 300E 刻蝕設備拓展了新的市場，也將推動我國高端半導體制造設備達到新高度。圖表39：中微公司 Primo TSV 設備 資料來源：中微公司官網，國盛證券研究所 芯片制程工藝升級，工藝覆蓋率有望大幅提升。芯片制程工藝升級，工藝覆蓋率有望大幅提升。在邏輯芯片制造方面，公司開發的 12 英寸高端刻蝕設備持續獲得國際國內知名客戶的訂單，已在從 65 納米到 5 納米及更先進技術結點大量量產；同時，先進邏輯器件制造對加工的精確性，重復性，微粒污染水平，以及反應腔之間的匹配度等都提出了更高的要求，公司針對 5 納米及更先進技術節點的刻蝕設備進行了多項性能改進，并已在生產線上實施，極

83、大提升了設備的生產效率和生產質量。推出了適用于更高深寬比結構刻蝕的 Nanova VE HP 和兼顧深寬比和均勻性的Nanova LUX 兩種 ICP 設備，在先進邏輯芯片的 ICP 驗證刻蝕工藝覆蓋率有望大幅提升。2025 03 21年 月 日 gszqdatemark P.24 請仔細閱讀本報告末頁聲明請仔細閱讀本報告末頁聲明 圖表40：中微公司 Nanova 設備 資料來源：中微公司官網，國盛證券研究所 拓展應用領域，積極參與新興器件制造技術研發。拓展應用領域，積極參與新興器件制造技術研發。公司同國內外特殊器件制造客戶合作，在先進封裝、功率器件、微機電系統等領域不斷拓展應用，持續獲得訂單

84、。積極參與新興器件制造技術的研發，在超構透鏡（Metalenses）和基于 12 英寸晶圓的微機電系統制造等方面都取得良好進展，并已在相應生產線上進行最新技術的研發和試產。同時公司開發了 Primo Menova Al 刻蝕設備，并和多個客戶開展鋁線刻蝕工藝的合作開發，以應對國內對成熟制程和新興特殊器件的工藝需求。2025 03 21年 月 日 gszqdatemark P.25 請仔細閱讀本報告末頁聲明請仔細閱讀本報告末頁聲明 3、薄膜設備需求提升，市場規模持續擴大薄膜設備需求提升，市場規模持續擴大 3.1 薄膜沉積設備：芯片制造三大核心設備之一薄膜沉積設備：芯片制造三大核心設備之一 按工藝

85、原理不同，薄膜沉積設備可分為按工藝原理不同，薄膜沉積設備可分為 PVD、CVD 和和 ALD。薄膜沉積是在基材上沉積一層納米級的薄膜，再配合蝕刻和拋光等工藝的反復進行，就做出了很多堆疊起來的導電或絕緣層，而且每一層都具有設計好的線路圖案。沉積薄膜材料包括二氧化硅、氮化硅、多晶硅等非金屬以及銅等金屬。薄膜沉積設備主要負責各個步驟當中的介質層與金屬層的沉積，按工藝原理不同，可分為 CVD“（化學氣相沉積）設備、PVD“（物理氣相沉積）設備/電鍍設備和 ALD（原子層沉積）設備。1）PVD：在真空條件下采用物理方法將材料源（固體或液體）表面氣化成氣態原子或分子，或部分電離成離子，并通過低壓氣體（或等

86、離子體），在基體表面沉積具有某種特殊功能的薄膜的技術。PVD 鍍膜技術主要分為三類：真空蒸發鍍膜、真空濺射鍍膜和真空離子鍍膜。PVD 技術生長機理簡單，沉積速率高，但一般只適用于平面的膜層制備。2）CVD：通過化學反應的方式，利用加熱、等離子或光輻射等各種能源，在反應器內使氣態或蒸汽狀態的化學物質在氣相或氣固界面上經化學反應形成固態沉積物的技術，是一種通過氣體混合的化學反應在基體表面沉積薄膜的工藝，可應用于絕緣薄膜、硬掩模層以及金屬膜層的沉積。按照薄膜材料，CVD 分為介質化學氣相沉積（DCVD）和金屬化學氣相沉積（MCVD）兩大類。DCVD 主要包括等離子增強型化學氣相沉積（PECVD）、次

87、常壓化學氣相沉積（SACVD）、介質原子層沉積（DALD）等。MCVD 主要包括低壓化學氣相沉積（LPCVD）、有機金屬化學氣相沉積（MOCVD）和金屬原子層沉積（MALD）等。3）ALD：原子層沉積可以將物質以單原子膜形式一層一層地鍍在基底表面。從原理上說，ALD 是通過化學反應得到生成物，但在沉積反應原理、沉積反應條件的要求和沉積層的質量上都與傳統的 CVD 不同。相對于傳統的沉積工藝而言，ALD 工藝具有自限制生長的特點，可精確控制薄膜的厚度，制備的薄膜具有均勻的厚度和優異的一致性，臺階覆蓋率高，特別適合深槽結構中的薄膜生長。ALD 設備沉積的薄膜具有非常精確的膜厚控制和非常優越的臺階覆

88、蓋率，在 28nm 以下關鍵尺寸縮小的雙曝光工藝方面取得了越來越廣泛的應用，其沉積的 Spacer 材料的寬度決定了 Fin 的寬度，是制約邏輯芯片制程先進程度的核心因素之一，除此之外，ALD 設備在高 k 材料、金屬柵、STI、BSI 等工藝中均存在大量應用，廣泛應用于 CMOS 器件、存儲芯片、TSV 封裝等半導體制造領域。圖表41：ALD、CVD、PVD 成膜效果示意圖 資料來源：拓荊科技招股說明書，國盛證券研究所 2025 03 21年 月 日 gszqdatemark P.26 請仔細閱讀本報告末頁聲明請仔細閱讀本報告末頁聲明 圖表42：薄膜沉積設備分類 資料來源：微導納米招股說明書

89、，國盛證券研究所 CVD 領域領域 PECVD 設備占比較高，設備占比較高，PVD 領域主要為濺射領域主要為濺射 PVD 設備。設備。常壓化學氣相沉積（APCVD）是最早的 CVD 設備，結構簡單、沉積速率高，廣泛應用于工業生產中。低壓化學氣相沉積（LPCVD）是在 APCVD 的基礎上發展起來的。等離子體增強化學氣相沉積設備（PECVD）在從亞微米發展到 90nm 的 IC 制造技術過程中，扮演了重要的角色，由于等離子體的作用，化學反應溫度明顯降低，薄膜純度得到提高，致密度得以加強，是當前應用最為廣泛的 CVD 設備，在薄膜沉積設備中占比達 33%。次常壓化學氣相沉積（SACVD）主要應用于

90、溝槽填充工藝。在 PVD 設備中，濺射設備占主要份額。圖表43：薄膜沉積設備細分占比 資料來源：拓荊科技公告，SEMI，國盛證券研究所 芯片制程及工藝升級拉動薄膜設備需求。芯片制程及工藝升級拉動薄膜設備需求。90nmCMOS 芯片工藝中大約需要 40 道薄膜沉積工序，FinFET 工藝產線需要超過 100 道薄膜沉積工序，涉及的薄膜材料由 6 種增加到近 20 種，對于薄膜顆粒的要求也由微米級提高到納米級。且在芯片工藝技術持續進步的趨勢下，當難以通過光刻直接形成先進工藝的情況下，可以結合薄膜沉積設備（主要為ALD 設備）與刻蝕設備相配合，采用自對準多重成像技術，實現更小尺寸的工藝，這將進一步促

91、進 ALD 設備及相關設備的重要性及需求量的提升。2025 03 21年 月 日 gszqdatemark P.27 請仔細閱讀本報告末頁聲明請仔細閱讀本報告末頁聲明 圖表44：工藝升級帶動薄膜沉積工序數提升 圖表45：ALD 在多重曝光中的應用 資料來源：拓荊科技公告，國盛證券研究所 資料來源：拓荊科技公告，國盛證券研究所 NAND 垂直化發展，薄膜沉積設備需求獲進一步帶動。垂直化發展，薄膜沉積設備需求獲進一步帶動。隨著 3D NAND 芯片的堆疊層數不斷增高，逐步向更多層及更先進工藝發展，堆疊過程中刻蝕及薄膜沉積使用步驟數大幅提升，2024 年 SK海力士官方公布正式開始量產全球首款 32

92、1 層NAND，2025 年 NAND層數有望達 4xx 層，薄膜沉積及刻蝕設備重要性凸顯。圖表46：NAND 發展趨勢 資料來源：SK hynix，國盛證券研究所 2025 年全球薄膜沉積設備市場規模預計達年全球薄膜沉積設備市場規模預計達 239.6 億美元。億美元。根據 SEMI 數據，2025 年全球半導體設備市場規模預計為 1210 億美元，以晶圓制造設備占比 90%及薄膜沉積設備占比 22%測算，2025 年全球薄膜沉積設備市場規模預計為 239.6 億美元。國內光刻設備受限情況下，引用多重圖形化技術，通過反復的薄膜工藝、刻蝕工藝及化學機械平坦化工藝以使芯片達到相應精度，拉動薄膜設備

93、需求，薄膜沉積設備重要性進一步凸顯，以 34.5%“（2023 年中國大陸半導體設備銷售額占全球半導體設備銷售額比例）計，預計預計2025 年國內薄膜沉積設備市場規模超年國內薄膜沉積設備市場規模超 82 億美元億美元。從全球市場份額來看，薄膜沉積設備行業呈現出高度壟斷的競爭局面，行業基本由美國的應用材料（AMAT）和泛林半導體（Lam），日本的東京電子（TEL）等為代表的國際知名企業壟斷。國際巨頭經過幾十年發展，憑借資金、技術、客戶資源、品牌等方面的優勢，占據了薄膜沉積設備市場的大部分份額。在 PVD 市場，AMAT 是龍頭；在 CVD 市場，AMAT、LAM、TEL 三家主導，占據約 70%

94、份額；在 ALD 市場，主要為 TEL 和 ASMI。2025 03 21年 月 日 gszqdatemark P.28 請仔細閱讀本報告末頁聲明請仔細閱讀本報告末頁聲明 圖表47：2023 年薄膜沉積設備細分格局 資料來源：智研咨詢，國盛證券研究所 國產廠商份額提升空間國產廠商份額提升空間廣闊廣闊。當前國內主要薄膜沉積設備廠商包括北方華創、中微公司、拓荊科技、微導納米等，且不同公司工藝路線有差異。1）北方華創）北方華創：PVD 實現了對邏輯芯片和存儲芯片金屬化制程的全覆蓋，CVD 布局拓展了 DCVD 和 MCVD 兩大系列產品，HDPCVD、高介電常數原子層沉積實現穩定量產。2）拓荊科技）

95、拓荊科技：形成了覆蓋全系列 PECVD薄膜材料的設備，PECVD、ALD、SACVD、HDPCVD、超高深寬比溝槽填充 CVD 等薄膜設備產品系列均已在客戶端實現產業化應用。3）中微公司）中微公司：CVD 鎢設備已通過關鍵存儲客戶端現場驗證，滿足金屬互聯鎢制程各項性能指標，并開發 HAR“（高深寬比）鎢設備，已通過關鍵存儲客戶端現場驗證。4）微導納米：）微導納米：國內首家成功將量產型 High-k 原子層沉積（ALD）設備應用于集成電路制造前道生產線的國產設備廠商，目前產品已經覆蓋 HfO、AlO3、ZrO、TiO、LaO3、ZnO、SiO、TiN、TiAl、TaN、AlN、SiN、SiON、

96、SiCN、無定形碳、SiGe 等多種薄膜材料。從營收端來看，2023 年北方華創薄膜沉積設備營收 60 億元以上，拓荊科技薄膜沉積設備營收 25.7 億元，微導納米半導體領域設備營收 1.2 億元，測算 2023 年中國薄膜沉積設備市場規模達72.8億美元，以7.2匯率計，可測算主要國產廠商本土市占率不足20%，份額提升空間廣闊。3.2 薄膜設備技術水平先進，持續研發新品層出薄膜設備技術水平先進，持續研發新品層出 薄膜設備需求提升，中微高效研發創新突破。薄膜設備需求提升，中微高效研發創新突破。存儲器件由 2D 向 3D 轉換，薄膜制程愈發關鍵。中微公司把握發展機遇，持續推進多款薄膜沉積設備研發

97、項目，目前公司已有多款薄膜沉積設備產品進入市場，部分持續獲得重復訂單，并有多個關鍵薄膜沉積設備研發項目進展順利，至 2024 年中已實現六種設備高效研發交付及客戶量產驗證。公司薄膜沉積設備采用獨特的雙腔設計，在保證產品性能同時，提高產能，降低材料成本。公司已規劃并正在開發多款 CVD 和 ALD 設備，以增加薄膜設備的覆蓋率，進一步拓展市場。獨立自主的知識產權設計，在促進產品性能更優化的同時，也保障了產品未來的可持續發展。2025 03 21年 月 日 gszqdatemark P.29 請仔細閱讀本報告末頁聲明請仔細閱讀本報告末頁聲明 圖表48：中微公司四款 LPCVD-ALD 導體薄膜沉積

98、設備進入市場 資料來源：中微公司公告，國盛證券研究所 鎢系列薄膜沉積產品全面覆蓋存儲器件鎢應用。鎢系列薄膜沉積產品全面覆蓋存儲器件鎢應用。公司鎢系列薄膜沉積產品可覆蓋存儲器件所有鎢應用，且已完成多家邏輯和存儲客戶對 CVD/HAR/ALD W 鎢設備的驗證，并取得重復量產訂單。CVD鎢設備滿足金屬互聯鎢制程各項性能指標，在其基礎上開發的HAR（高深寬比）鎢設備，采用創新的工藝解決方案，滿足存儲器件中的高深寬比金屬互聯應用中各項性能指標；ALD 鎢設備，具備三維填充能力，采用完全自主知識產權的機臺設計，可精準控制工藝過程，實現精準的原子級別生長，滿足三維存儲器件字線應用中各項性能需求。此外，公司

99、完全自主設計開發了雙臺機金屬鎢系列設備，可達到業界領先的生產率，同時保證較低的化學品消耗，具有優秀的階梯覆蓋率和填充能力，能夠滿足先進邏輯器件柵極金屬接觸及接觸孔填充應用，以及 64 層和 128 層 3D NAND 中的多個關鍵應用。ALD 氮化鈦設備測試結果優異，多項指標達行業領先水平。氮化鈦設備測試結果優異，多項指標達行業領先水平。公司 ALD 氮化鈦設備，可應用于高端存儲和邏輯器件，其性能驗證可以達到國際先進水平，滿足邏輯及存儲多道關鍵應用需求，實驗室測試結果顯示，設備的薄膜均一性和產能均表現出世界領先水平。圖表49：中微公司 ALD 設備 資料來源：中微公司公告，國盛證券研究所 20

100、25 03 21年 月 日 gszqdatemark P.30 請仔細閱讀本報告末頁聲明請仔細閱讀本報告末頁聲明 EPI 設備進展順利，滿足先進制程需求。設備進展順利，滿足先進制程需求。中微公司通過基礎研究和采納關鍵客戶的技術反饋，設計并制造出具有自主知識產權及創新的預處理和外延反應腔，以滿足客戶先進制程中鍺硅外延生長工藝的電性和可靠性需求，目前公司 EPI 設備已順利進入客戶驗證階段。LPCVD 設備首臺銷售，新產品啟動放量。設備首臺銷售，新產品啟動放量。中微公司自主研發的 LPCVD 設備可靈活配置多達五個雙反應臺的反應腔，每個反應腔皆能同時加工兩片晶圓，在保證較低的生產成本和化學品消耗的

101、同時，實現較高生產效率，配備完全擁有自主知識產權的優化混氣方案及分氣抽氣系統和真空卡盤，具有優秀的薄膜均一性、填充能力和工藝調節靈活性，對于彎曲度較大的晶圓，也具備良好工藝處理能力。具備優異的階梯覆蓋率和填充能力，可應用于先進邏輯器件、DRAM 和 3D NAND 中接觸孔以及金屬鎢線的填充。2024 年LPCVD 設備實現首臺銷售，收到約 4.76 億元批量訂單，實現銷售收入達約 1.56 億元。圖表50：中微公司 LPCVD 設備 資料來源：中微公司公告，國盛證券研究所 薄膜設備新品層出，多元化發展動能強勁薄膜設備新品層出，多元化發展動能強勁。公司推出自主研發的 12 英寸高深寬比金屬鎢沉

102、積設備 Preforma Uniflex HW 以及 12 英寸原子層金屬鎢沉積設備 Preforma Uniflex AW，為各類器件芯片中超高深寬比及復雜結構金屬鎢填充提供了高性價比、高性能的解決方案。Preforma Uniflex HW 設備，具備超高深寬比填充能力，繼承了前代 Preforma Uniflex CW 設備的優點，可靈活配置多達五個雙反應臺的反應腔，同時，采用擁有完全自主知識產權的生長梯度抑制工藝，可實現表面從鈍化主導到刻蝕主導的精準工藝調控。硬件上，公司開發的可實現鈍化時間從毫秒級到千秒級的控制系統，可滿足多種復雜結構的填充，并搭配經過優化設計的流場熱場系統，使該設備

103、具備優異的薄膜均一性和工藝調節靈活性。Preforma Uniflex AW 設備，繼承公司自主開發的流場熱場優化設計，提升薄膜均一性和工藝調節靈活性。同時，系統中每個反應腔均可用于形核和主體膜層生長，可根據客戶實際工藝需求優化配置，進一步提高設備利用率，采用擁有完全自主知識產權的高速氣體切換控制系統，精準控制工藝過程，實現精準的原子級別生長，使生長膜層具備優異的臺階覆蓋率和低雜質濃度的優點。此外，還引入獨特的氣體輸送系統，使該設備具備更先進技術節點的延展能力。2025 03 21年 月 日 gszqdatemark P.31 請仔細閱讀本報告末頁聲明請仔細閱讀本報告末頁聲明 圖表51：中微公

104、司 Preforma Uniflex HW 設備 圖表52：中微公司 Preforma Uniflex AW 設備 資料來源：中微公司官網，國盛證券研究所 資料來源：中微公司官網，國盛證券研究所 3.3 MOCVD 設備國際領先，緊跟行業前沿研發進展順利設備國際領先，緊跟行業前沿研發進展順利 Mini/Micro LED 和第三代功率器件終端市場和第三代功率器件終端市場滲透提升滲透提升，MOCVD 需求有望提升。需求有望提升。MOCVD 是利用金屬有機化合物作為源物質的化學氣相淀積工藝，常用于三五族化合物半導體材料外延工藝，MOCVD 設備是制備照明和顯示屏所用的 LED、氮化鎵和碳化硅功率器

105、件等外延片的關鍵設備。伴隨 Mini-LED 在背光及直接顯示市場需求快速提升，受技術進步和 AR 眼鏡等應用領域拓展影響，Micro LED 成長空間有望擴大；同時，半導體功率器件方面，應用于高頻中小功率領域的 GaN 和大功率領域 SiC 具有高效和高性能等優勢，應用潛力較大。Mini/Micro LED 和第三代功率器件終端市場的發展，有望推動 MOCVD外延生產設備需求提升。圖表53：GaN 和 SiC 應用潛力較大 資料來源：中微公司公告，國盛證券研究所 MOCVD 設備應用領域設備應用領域拓寬拓寬。制造照明用藍光 LED 外延片的 MOCVD 技術已達到較為成熟階段，設備企業目前主

106、要針對提高大規模外延生產所需的性能、降低生產成本、具備大尺寸襯底外延能力等方面進行技術開發；應用于 Mini-LED 新型顯示應用、應用于氮化鎵功率器件生產的 MOCVD 設備發展迅速；應用于 Micro-LED 高端顯示的 MOCVD 設備處于研發階段，產業鏈對 Micro-LED 外延片在產出波長均勻性、顆粒度等方面有極為苛刻的技術要求；應用于碳化硅功率器件的外延設備處于快速發展階段，隨著 8 英寸襯底成本的持續下降，現有主要適用于 6 英寸碳化硅襯底的生產設備，未來將逐漸過渡至 8英寸的外延生產。2025 03 21年 月 日 gszqdatemark P.32 請仔細閱讀本報告末頁聲明

107、請仔細閱讀本報告末頁聲明 泛半導體產業發展迅速，中微泛半導體產業發展迅速，中微 MOCVD 設備技術領先。設備技術領先。隨著泛半導體產業的迅速發展，三五族化合物半導體器件，如照明和顯示屏所用的發光二極管、氮化鎵和碳化硅功率器件等市場應用發展極快，MOCVD 正是這些器件所需的關鍵設備，與集成電路需要多種設備的制造工藝不同，制造三五族化合物器件主要依靠 MOCVD 設備實現。公司在藍綠光LED 生產線和 Mini-LED 產業化中始終保持領先地位，開發的用于氮化鎵基的 LED 照明和 Mini-LED 顯示的 MOCVD 設備已成為國內外絕大多數 LED 生產線的優選設備，已成為世界排名前列的氮

108、化鎵基 LED 設備制造商。PRISMO D-Blue、PRISMO A7 性能優異，占據全球市場領先地位。性能優異，占據全球市場領先地位。公司研發生產的用于藍光 LED 的 PRISMO D-Blue、PRISMO A7 設備分別可實現單腔 14 片 4 英寸和單腔34 片 4 英寸外延片加工能力，其中 PRISMO D-Blue 已成為首臺被主流 LED 生產線采用并進行大批量 LED 外延片生產的國產 MOCVD 設備，PRISMO A7 在前代 PRISMO D-Blue基礎上，配備 28 英寸超大尺寸托盤，極大地提高了單位產能，進一步降低生產成本。目前，PRISMO A7 設備已在全

109、球氮化鎵基 LED MOCVD 市場中占據了領先地位。圖表54：中微公司 PRISMO D-Blue 設備 圖表55：中微公司 PRISMO A7 設備 資料來源：中微公司官網，國盛證券研究所 資料來源：中微公司官網，國盛證券研究所 PRISMO HiT3 產能先進，工藝溫度可高達產能先進，工藝溫度可高達 1400 度。度。公司可用于制造深紫外光 LED 的高溫 MOCVD 設備 PRISMO HiT3，反應腔最高工藝溫度可達 1400 度，單爐可生長 18 片2 英寸外延晶片，并可延伸到生長 4 英寸晶片，是適用于高質量氮化鋁和高鋁組分材料生長的關鍵設備，現已于行業領先客戶端生產驗證并獲得重

110、復訂單。圖表56：中微公司 PRISMO HiT3 設備 資料來源：中微公司官網，國盛證券研究所 2025 03 21年 月 日 gszqdatemark P.33 請仔細閱讀本報告末頁聲明請仔細閱讀本報告末頁聲明 PRISMO UniMax 高產能、高靈活性行業領先，為高產能、高靈活性行業領先，為 Mini LED 大規模生產提供大規模生產提供 MOCVD外延解決方案。外延解決方案。該設備在同一系統中可配備多達 4 個反應腔，每個反應腔都可實現獨立控制，具備優異的生產靈活性，配置 785mm 大直徑石墨托盤，可實現 164 片 4 英寸或72 片 6 英寸外延晶片同時加工，同時，配置專為高性

111、能 Mini LED 量產而設計的局部溫度補償加熱系統，具備優異的產出波長均勻性及產出穩定性。目前，該設備已在領先客戶端開始進行規?；a。圖表57：中微公司 PRISMO UniMax 設備 資料來源：中微公司官網，國盛證券研究所 氮化鎵功率器件生產專用設備提速增長，氮化鎵功率器件生產專用設備提速增長，PRISMO PD5 已驗證通過并獲得重復訂單。已驗證通過并獲得重復訂單。手機和筆記本電腦快充、數據中心等應用的爆發，帶動氮化鎵功率器件生產應用的專用設備提速增長，公司順應市場需求，積極布局用于功率器件應用的第三代半導體設備市場，開發了用于氮化鎵功率器件生產的 MOCVD 設備 PRISMO

112、PD5，可在同一系統中配備多達 4 個反應腔，每個反應腔可獨立控制，通過更換石墨托盤即可實現 6 英寸與 8 英寸工藝的便捷切換，具備高靈活性，現已在客戶生產線上驗證通過并獲得重復訂單。圖表58：中微公司 PRISMO PD5 設備 資料來源：中微公司公告，國盛證券研究所 持續持續投入投入研發，緊跟市場布局行業前沿。研發，緊跟市場布局行業前沿。公司把握 MOCVD 市場發展機遇，積極布局用于碳化硅和氮化鉀基功率器件應用市場，Micro-LED 應用的專用 MOCVD 設備開發順利，實驗室初步結果實現了優良的波長均勻性能；用于碳化硅功率器件外延生產的設備正在2025 03 21年 月 日 gsz

113、qdatemark P.34 請仔細閱讀本報告末頁聲明請仔細閱讀本報告末頁聲明 開發中，已付運樣機至國內領先客戶開展驗證測試；下一代用于氮化鎵功率器件制造的MOCVD 設備也正按計劃開發，進展順利，以進一步提升公司在該領域的市場競爭力。2025 03 21年 月 日 gszqdatemark P.35 請仔細閱讀本報告末頁聲明請仔細閱讀本報告末頁聲明 4、盈利預測及投資建議、盈利預測及投資建議 專用設備業務：專用設備業務：受益于大陸晶圓廠擴產動能強勁及產線國產化率提升，且公司高端產品受益于大陸晶圓廠擴產動能強勁及產線國產化率提升，且公司高端產品不斷推出，客戶導入進展順利，業務版圖日益完整，份額

114、進一步提升。不斷推出，客戶導入進展順利，業務版圖日益完整，份額進一步提升。1)刻蝕設備：刻蝕設備：芯片制程提升+存儲器件垂直化發展，刻蝕設備的重要性進一步提升，當前刻蝕設備領域國內競爭格局優，公司扎根 CCP 設備領域，向 ICP 設備領域延伸，產品覆蓋度日益提升，下游客戶產線市場份額逐步提升，我們預計公司 2025/2026年實現營收 100.30/131.85 億元，實現毛利率 43%/44%。2)MOCVD 設備：設備：公司在藍綠光 LED 生產線和 Mini-LED 產業化中保持領先的地位，該終端市場近兩年處于下降趨勢，公司 MOCVD 營收略有下降，伴隨新型顯示應用領域拓寬和第三代功

115、率器件終端市場的發展，MOCVD 需求有望提升，且公司積極布局研發新品，提升產品覆蓋度，我們預計公司 2025/2026 年實現營收 3.95/4.65 億元，實現毛利率 33.5%/34%。3)薄膜沉積設備：薄膜沉積設備：薄膜沉積設備作為公司新進業務，根據業績快報，2024 年已實現營收 1.56 億元，且收到約 4.76 億元批量訂單，目前公司已有四款薄膜沉積設備進入市場，且已規劃并正在開發多款薄膜設備，伴隨公司薄膜沉積設備訂單轉換及進一步放量，我們預計公司 2025/2026 年實現營收 2.45/4.72 億元，實現毛利率 35%/40%。備品備件：備品備件：隨著刻蝕設備及薄膜沉積設備

116、需求的提升，相應備品備件和配套服務業務規模也將有望增長，我們預計公司 2025/2026 年實現營收 12.5/15.1 億元，實現毛利率45.5%/45.9%。綜上，我們預計公司2025/2026年實現營收120.7/158.0億元，實現歸母凈利潤25.5/35.6億元，實現毛利率 42.9%/43.9%。2025 03 21年 月 日 gszqdatemark P.36 請仔細閱讀本報告末頁聲明請仔細閱讀本報告末頁聲明 圖表59：中微公司分業務收入毛利拆分 單位：百萬元單位：百萬元 2022A 2023A 2024E 2025E 2026E 營業收入營業收入 4,739.83 6,263.

117、51 9,065.17 12,074.00 15,801.40 yoy 32.15%44.73%33.19%30.87%營業成本營業成本 2,571.93 3,393.24 5,210.83 6,893.50 8,866.42 yoy 31.93%53.56%32.29%28.62%綜合毛利率綜合毛利率 45.7%45.8%42.52%42.91%43.89%yoy 0.1%-3.3%0.4%1.0%歸母凈利歸母凈利 1,169.79 1,785.91 1,626.34 2,551.84 3,560.32 歸母凈利率歸母凈利率 28.5%17.9%21.1%22.5%yoy 52.7%-8.9

118、%56.9%39.5%分業務分業務 專用設備專用設備 3847 5166 7812 10670 14122 yoy 53.5%34.3%51.2%36.6%32.4%占比 81.2%82.5%86.2%88.4%89.4%毛利率 45.2%45.2%42.0%42.5%43.6%yoy 3.0%0.0%-3.2%0.5%1.1%刻蝕設備刻蝕設備 3150 4700 7277 10030 13185 yoy 57.0%49.5%54.7%37.8%31.5%毛利率 47.0%42.7%43.0%44.0%MOCVD 設備設備 700 460 379 395 465 yoy 39.2%-34.0%

119、-18.0%4.2%17.7%毛利率 37.0%33.0%33.5%34.0%薄膜沉積設備薄膜沉積設備 156 245 472 yoy 57.1%92.7%毛利率 30.0%35.0%40.0%備品備件備品備件 835 971 1120 1250 1510 yoy 50.3%16.3%15.3%11.6%20.8%占比 17.6%15.5%12.4%10.4%9.6%毛利率 46.9%48.3%45.0%45.5%45.9%yoy 0.0%1.4%-3.3%0.5%0.4%其他主營業務其他主營業務 57 127 140 154 169 yoy 26.8%120.8%10.4%10.0%10.0

120、%占比 1.2%2.0%1.5%1.3%1.1%毛利率 66.5%53.7%49.5%50.0%50.0%yoy 2.9%-12.8%-4.2%0.5%0.0%資料來源：Wind，國盛證券研究所 伴隨公司規模效應持續擴大且公司降本增效及優化管理流程，我們預計公司管理費用率及 銷 售 費 用 率 呈 逐 步 下 降 趨 勢，2024-2026 年 分 別 為 5.7%/5.4%/5.3%，5.7%/5.4%/5.3%，且公司持續擴大研發，24Q1-Q3 公司研發費用率達 16.6%，考慮營收體量的提升，盡管持續研發下，研發費用提高，但研發費用率 25 年、26 年相較于 24年下降，2024-2

121、026 年分別為 16.5%、14.3%、14.2%，財務費用方面，公司 24 年持續對外投資等動作下，借款預計增多，利息收入下降，預計財務費用率為-0.4%/-0.3%/-0.2%。2025 03 21年 月 日 gszqdatemark P.37 請仔細閱讀本報告末頁聲明請仔細閱讀本報告末頁聲明 圖表60：費用率假設情況 單位：百萬元單位：百萬元 2022A 2023A 2024E 2025E 2026E 研發費用研發費用 605 817 1496 1727 2236 研發費用率研發費用率 12.8%13.0%16.5%14.3%14.2%銷售費用銷售費用 409 492 517 652

122、830 銷售費用率銷售費用率 8.6%7.9%5.7%5.4%5.3%管理費用管理費用 236 344 517 646 830 管理費用率管理費用率 5.0%5.5%5.7%5.4%5.3%財務費用財務費用（151）（87）（35）（33）（27）財務費用率財務費用率-3.2%-1.4%-0.4%-0.3%-0.2%資料來源：Wind，國盛證券研究所 我們選取主業同樣為半導體設備的北方華創、中科飛測、拓荊科技作為可比公司，北方華創為設備平臺化公司，涉及刻蝕、薄膜沉積等設備，拓荊科技主營薄膜沉積設備，中科飛測業務覆蓋量檢測設備，三家公司與中微公司同為半導體設備廠商，故可作為可比公司，可比公司 2

123、025/2026 年平均 PE 為 63/39x，中微公司 2025/2026 年 PE 為 49/35x，具備估值優勢，首次覆蓋，給予“買入”評級。圖表61：可比公司估值情況 代碼代碼 證券簡稱證券簡稱 市值（億元）市值（億元）歸母凈利潤（億元）歸母凈利潤（億元）PE 2024A 2025E 2026E 2024A 2025E 2026E 002371.SZ 北方華創 2,311.66 55.60 77.54 99.85 41.58 29.81 23.15 688361.SH 中科飛測 296.00-0.12 2.69 5.20/109.88 56.93 688072.SH 拓荊科技 497

124、.92 6.88 10.06 13.76 72.32 49.51 36.19 平均值平均值 20.79 30.10 39.60 56.95 63.07 38.75 688012.SH 中微公司 1,242.80 16.26 25.52 35.60 76.42 48.70 34.91 資料來源：Wind，國盛證券研究所“（注：除中微公司外，其余 25-26 年數據來自 wind 一致預期，數據依據日期為 2025.03.13，中科飛測 24 年虧損，故不使用其 24 年 PE 估值，中科飛測、北方華創 24 年數據為業績預告，拓荊科技為業績快報）2025 03 21年 月 日 gszqdatem

125、ark P.38 請仔細閱讀本報告末頁聲明請仔細閱讀本報告末頁聲明 5、風險提示風險提示 研發進展不及預期：研發進展不及預期：高端半導體設備研發難度較大，研發進展存在不確定性?？蛻魧脒M展不及預期：客戶導入進展不及預期：客戶導入情況依據產線測試結果，測試結果存在不確定性。數據滯后性風險：數據滯后性風險：部分數據非最新數據。行業競爭加劇行業競爭加?。菏袌鰠⑴c者逐漸增多，競爭加劇。2025 03 21年 月 日 gszqdatemark P.39 請仔細閱讀本報告末頁聲明請仔細閱讀本報告末頁聲明 免責聲明免責聲明 國盛證券有限責任公司（以下簡稱“本公司”）具有中國證監會許可的證券投資咨詢業務資格。

126、本報告僅供本公司的客戶使用。本公司不會因接收人收到本報告而視其為客戶。在任何情況下，本公司不對任何人因使用本報告中的任何內容所引致的任何損失負任何責任。本報告的信息均來源于本公司認為可信的公開資料，但本公司及其研究人員對該等信息的準確性及完整性不作任何保證。本報告中的資料、意見及預測僅反映本公司于發布本報告當日的判斷，可能會隨時調整。在不同時期，本公司可發出與本報告所載資料、意見及推測不一致的報告。本公司不保證本報告所含信息及資料保持在最新狀態，對本報告所含信息可在不發出通知的情形下做出修改，投資者應當自行關注相應的更新或修改。本公司力求報告內容客觀、公正，但本報告所載的資料、工具、意見、信息

127、及推測只提供給客戶作參考之用，不構成任何投資、法律、會計或稅務的最終操作建議，本公司不就報告中的內容對最終操作建議做出任何擔保。本報告中所指的投資及服務可能不適合個別客戶，不構成客戶私人咨詢建議。投資者應當充分考慮自身特定狀況，并完整理解和使用本報告內容，不應視本報告為做出投資決策的唯一因素。投資者應注意，在法律許可的情況下，本公司及其本公司的關聯機構可能會持有本報告中涉及的公司所發行的證券并進行交易，也可能為這些公司正在提供或爭取提供投資銀行、財務顧問和金融產品等各種金融服務。本報告版權歸“國盛證券有限責任公司”所有。未經事先本公司書面授權，任何機構或個人不得對本報告進行任何形式的發布、復制

128、。任何機構或個人如引用、刊發本報告，需注明出處為“國盛證券研究所”，且不得對本報告進行有悖原意的刪節或修改。分析師聲明分析師聲明 本報告署名分析師在此聲明：我們具有中國證券業協會授予的證券投資咨詢執業資格或相當的專業勝任能力，本報告所表述的任何觀點均精準地反映了我們對標的證券和發行人的個人看法，結論不受任何第三方的授意或影響。我們所得報酬的任何部分無論是在過去、現在及將來均不會與本報告中的具體投資建議或觀點有直接或間接聯系。投資評級說明投資評級說明 投資建議的評級標準投資建議的評級標準 評級評級 說明說明 評級標準為報告發布日后的 6 個月內公司股價（或行業指數）相對同期基準指數的相對市場表現

129、。其中 A 股市場以滬深 300 指數為基準；新三板市場以三板成指（針對協議轉讓標的）或三板做市指數（針對做市轉讓標的）為基準；香港市場以摩根士丹利中國指數為基準，美股市場以標普 500 指數或納斯達克綜合指數為基準。股票評級 買入 相對同期基準指數漲幅在 15%以上 增持 相對同期基準指數漲幅在 5%15%之間 持有 相對同期基準指數漲幅在-5%+5%之間 減持 相對同期基準指數跌幅在 5%以上 行業評級 增持 相對同期基準指數漲幅在 10%以上 中性 相對同期基準指數漲幅在-10%+10%之間 減持 相對同期基準指數跌幅在 10%以上 國盛證券研究所國盛證券研究所 北京北京 上海上海 地址：北京市東城區永定門西濱河路 8 號院 7 樓中海地產廣場東塔 7 層 地址：上海市浦東新區南洋涇路 555 號陸家嘴金融街區 22棟 郵編：100077 郵編：200120 郵箱： 電話：021-38124100 郵箱： 南昌南昌 深圳深圳 地址：南昌市紅谷灘新區鳳凰中大道 1115 號北京銀行大廈 地址：深圳市福田區福華三路 100 號鼎和大廈 24 樓 郵編：330038 郵編：518033 傳真：0791-86281485 郵箱： 郵箱： 2025 03 21年 月 日