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1、 敬請參閱末頁重要聲明及評級說明 證券研究報告 中微公司（中微公司（688012）公司覆蓋 刻蝕設備領軍者，技術新品不斷突破 投資評級：買入投資評級：買入 首次覆蓋首次覆蓋 報告日期：2025-04-10 收盤價（元）188.86 近 12 個月最高/最低（元）256.99/115.50 總股本（百萬股）622 流通股本（百萬股）622 流通股比例（%）100.00 總市值（億元）1,175 流通市值（億元）1,175 公司價格與滬深公司價格與滬深300走勢比較走勢比較 Table_Author 分析師：陳耀波分析師：陳耀波 執業證書號：S0010523060001 郵箱： 分析師：李美賢分析

2、師：李美賢 執業證書號：S0010524020002 郵箱： 相關報告相關報告 !#$%!#$%l 刻蝕設備領軍者，深耕技術不斷取得突破刻蝕設備領軍者，深耕技術不斷取得突破 公司主要產品為刻蝕、薄膜沉積設備，是半導體設備的重要市場（WFE總資本開支合計占 43%）。成立以來，公司先后突破了 CCP 刻蝕、MOCVD，ICP 刻蝕、LPCVD 等半導體設備產品。其中，公司的 CCP刻蝕產品進入 2D 和 3D 存儲器生產線，有 270+反應臺進入 5nm 及以下生產線；ICP 刻蝕的雙臺機產品已進入生產線，為公司帶來顯著的市場份額增長；深硅刻蝕產品在國內 TSV/MEMS 成為主流設備；LPCV

3、D為新產品，已在 3D 存儲器驗證通過，開始貢獻營收。l 國產化推動支持下，大陸晶圓產能快速擴張國產化推動支持下，大陸晶圓產能快速擴張 根據 SEMI 數據，2000 年，美國和日本主導著全球半導體產能的半壁江山，中國大陸的產能僅占 2%。到了 2010 年，半導體產能開始向亞洲轉移，韓國和中國臺灣兩者相加的產能達到了全球產能的 35%，而此時中國大陸的產能提升至 9%。2020 年，隨著中國大陸產線的建設以及原有產線的擴產，中國大陸的產能占比提升至 17%。展望 2026 年，中國大陸 12 寸晶圓產能將占到 25%的比重，躍升為全球 12 寸晶圓產能第一，主要驅動力來自于產線國產化和成熟節

4、點投資。l 隨著制程節點不斷進步，晶體管結構愈發復雜，刻蝕重要性愈發凸顯隨著制程節點不斷進步，晶體管結構愈發復雜，刻蝕重要性愈發凸顯 隨著芯片制造中線寬的進一步縮小和先進工藝的廣泛采用，對沉積與刻蝕技術的精確性和控制能力提出了更高的要求。此外，隨著 3D NAND層數變高，刻蝕需要超高深寬比控制，推動刻蝕設備需求大幅增長，ICP和 CCP 設備憑借精準的深孔加工能力，成為 3D NAND 制造的核心工具。隨著層數繼續提升，刻蝕技術將持續在高存儲密度制造中發揮關鍵作用。l 持續的高研發投入下，公司不斷取得產品突破持續的高研發投入下，公司不斷取得產品突破 公司常年保持高研發投入，研發費用率穩定在

5、10%以上水平。與海外設備商應用材料，泛林半導體相比，公司 2020 年起研發費率便一直高于海外。公司不斷突破性能和產品效率，拓寬產品線，近年來先后推出了雙反應臺刻蝕，LPCVD等設備。2024年5月，公司發布Preforma Uniflex HW 和 AW 設備，專注于高深寬比金屬鎢沉積，采用自主生長梯度抑制工藝和優化熱場系統，實現復雜結構的精確填充和高生產效率。l 投資建議投資建議 我們預計 2024-2026 年公司歸母凈利潤分別為 16、25、34 億元，對應的 EPS 分別為 2.6、4.0、5.5 元，對應 2025 年 4 月 10 日收盤價 PE 分別為 72x、47x、34x

6、。首次覆蓋給予“買入”評級。l 風險提示風險提示 擴產不及預期、研發進度不及預期、產業競爭加劇、貿易摩擦加劇。-28%0%28%55%83%4/247/2410/241/254/25中微公司滬深300 Table_CompanyRptType1 中微公司（中微公司（688012）!#$%&()*+,-.*2/19/01234 l 重要財務指標重要財務指標 單位單位:百萬元百萬元 主要財務指標 2023A 2024E 2025E 2026E 營業收入 6264 9065 12122 15623 收入同比（%）32.1%44.7%33.7%28.9%歸屬母公司凈利潤 1786 1626 2476

7、3413 凈利潤同比（%）52.7%-9.0%52.3%37.8%毛利率（%）45.8%42.6%43.5%43.0%ROE（%）10.0%8.2%11.0%13.2%每股收益（元）2.89 2.61 3.98 5.48 P/E 53.15 72.29 47.47 34.44 P/B 5.34 5.90 5.24 4.55 EV/EBITDA 59.65 56.73 37.00 27.75 資料來源：wind，華安證券研究所 敬請參閱末頁重要聲明及評級說明 3/19 證券研究報告 Table_CompanyRptType1 中微公司（中微公司（688012）正文目錄正文目錄 1 快速成長的半導

8、體設備領軍者快速成長的半導體設備領軍者.5 1.1 CCP 刻蝕起步，不斷進行技術攻堅.5 1.2 刻蝕&薄膜沉積優勢明顯.7 1.3 受益國產替代，公司進入高速成長期.9 2 晶圓制造國產化推動下，設備將持續受益于半導體資本開支攀升晶圓制造國產化推動下，設備將持續受益于半導體資本開支攀升.11 2.1 2026 年，中國大陸 12 寸晶圓產能將躍升至全球第一.11 2.2 中國大陸持續成為全球半導體設備最大市場.12 3 高研發投入助力公司高端產品突破高研發投入助力公司高端產品突破.13 3.1 制程節點不斷進步，刻蝕重要性愈發凸顯.13 3.2 得益于持續的高研發投入，近年來公司高端產品不

9、斷取得突破.14 盈利預測盈利預測.16 風險提示風險提示.17 財務報表與盈利預測財務報表與盈利預測.18 敬請參閱末頁重要聲明及評級說明 4/19 證券研究報告 Table_CompanyRptType1 中微公司（中微公司（688012）圖表目錄圖表目錄 圖表圖表 1 中微公司歷史沿革中微公司歷史沿革.5 圖表圖表 2 中微公司前十大股東（截至中微公司前十大股東（截至2024年三季報）年三季報）.6 圖表圖表 3 管理團隊專業能力突出管理團隊專業能力突出.6 圖表圖表 4 中微公司半導體設備產品線情況中微公司半導體設備產品線情況.8 圖表圖表5 公司收入逐年高增公司收入逐年高增.9 圖表

10、圖表6 合同負債驗證訂單大幅增長合同負債驗證訂單大幅增長.9 圖表圖表7 公司盈利能力穩定提升公司盈利能力穩定提升.10 圖表圖表8 公司管理費用率快速下降公司管理費用率快速下降.10 圖表圖表9 公司保持高研發投入公司保持高研發投入.10 圖表圖表10 公司歸母凈利潤快速提升公司歸母凈利潤快速提升.10 圖表圖表11 全球晶圓產能擴張中，中國大陸占比最大，增速高于全球全球晶圓產能擴張中，中國大陸占比最大，增速高于全球.11 圖表圖表12 2026年，中國大陸年，中國大陸12寸晶圓產能全球第一寸晶圓產能全球第一.12 圖表圖表13 2023年，中國大陸持續成為全球最大的集成電路設備市場年，中國

11、大陸持續成為全球最大的集成電路設備市場.12 圖表圖表 14 10NM多重模板工藝中，涉及多次刻蝕，最后將邊墻控制至多重模板工藝中，涉及多次刻蝕，最后將邊墻控制至10NM厚度厚度.13 圖表圖表 15 3D NAND需要更高縱深比需要更高縱深比.14 圖表圖表16 公司多年保持公司多年保持10%以上研發投入占比以上研發投入占比.14 圖表圖表17 公司研發費率水平高于應用材料和泛林公司研發費率水平高于應用材料和泛林.14 圖表圖表 18 公司近年不斷取得產品突破公司近年不斷取得產品突破.15 敬請參閱末頁重要聲明及評級說明 5/19 證券研究報告 Table_CompanyRptType1 中

12、微公司（中微公司（688012）1!#$%&()*+,-!#$%&()*+,-1.1 CCP&()*+,-./012&()*+,-./012 中微中微公司（公司（688012.SH）成立于 2004 年，總部位于上海張江高科技園區，是一家專注于高端半導體設備研發和制造的行業領先企業。公司前身為中微有限，系由中微亞洲出資設立，設立時為外商獨資企業。2018 年 12 月，中微有限整體變更為股份公司。2019 年 7 月，公司成功登陸科創板，成為首批上市公司之一。成立以來，先后發布了首臺 CCP 刻蝕設備、7 納米介質刻蝕設備和多種 MOCVD 設備等具有全球競爭力的設備。近年來，公司進一步推出自

13、主研發的 12 英寸低壓化學氣相沉積（LPCVD）設備和高深寬比金屬鎢沉積設備等產品，不斷鞏固其在全球半導體設備市場的領先地位。圖表圖表 1 中微公司歷史沿革中微公司歷史沿革 時間 歷史沿革 2004-08 在張江高科技園區啟動運營 2007-06 首臺 CCP 刻蝕設備產品研制成功，并運往國內客戶 2010-06 首臺 TSV/MEMS/Dicing 刻蝕設備產品研制成功，并運往客戶 2011-09 中微 45 納米介質刻蝕設備研制成功 2012-11 首臺 MOCVD 設備產品研制成功，并運往國內客戶 2013-12 中微 22 納米介質刻蝕設備研制成功 2015-07 中微反應臺交付量突

14、破 400 臺 2015-12 中微、國家集成電路產業投資基金和蘇州聚源東方完成對拓荊投資 2015-02 由于中微等離子體刻蝕機的成功研發和量產，美國商務部取消了等離子體刻蝕機對中國的出口控制 2016-11 首臺單反應臺 ICP 刻蝕設備產品研制成功，并運往國內客戶 2016-08 中微 7 納米介質刻蝕設備研制成功 2016-06 首臺第二代 MOCVD 設備產品研制成功，并運往國內客戶 2016-02 首臺 VOC 設備產品研制成功，并運往國內客戶 2016-01 中微 14 納米介質刻蝕設備研制成功 2017-10 中微第 100 臺 MOCVD Prismo A7反應腔付運里程碑

15、2017-07 中微刻蝕設備進入國際先進 7 納米生產線 2017-04 首臺雙反應臺 ICP 刻蝕設備產品研制成功 2019-07 成為科創板首批上市公司之一 2020-07 發布用于深紫外 LED 量產的 MOCVD 設備 Prismo HiT3 2021-06 發布用于高性能 Mini-LED 量產的 MOCVD 設備 Prismo UniMax,首臺 8 英寸 CCP 刻蝕設備 Primo AD-RIE 200順利付運 2023-05 推出自主研發的 12 英寸低壓化學氣相沉積(LPCVD)設備 Preforma Uniflex CW 2024-01 美國國防部將中微公司列入 CMC

16、清單 2024-05 推出自主研發的12英寸高深寬比金屬鎢沉積設備Preforma Uniflex HW以及12英寸原子層金屬鎢沉積設備Preforma Uniflex AW 2024-12 從美國國防部 CMC 清單中移除 資料來源：中微公司，華安證券研究所 敬請參閱末頁重要聲明及評級說明 6/19 證券研究報告 Table_CompanyRptType1 中微公司（中微公司（688012）公司第一大股東為上海創投公司第一大股東為上海創投，持有公司 15.1%的股份，其實控人為上海市國資委。公司第二大股東為巽鑫投資（大基金一期），持有公司 13%的股份。此外，大基金二期持有公司 3.9%的股

17、份。公司無實際控制人。圖表圖表 2 中微公司前十大股東（截至中微公司前十大股東（截至2024年三季報）年三季報）序號 股東名稱 持股數量（萬股）占總股本比例（%）期末參考市值（億元）1 上海創業投資有限公司 9,348 15.1%153 2 巽鑫（上海）投資有限公司 8,100 13.0%133 3 香港中央結算有限公司 3,399 5.5%56 4 華夏上證科創板 50 成份交易型開放式指數證券投資基金 3,008 4.8%49 5 國家集成電路產業投資基金二期股份有限公司 2,444 3.9%40 6 易方達上證科創板 50 成份交易型開放式指數證券投資基金 2,037 3.3%33 7

18、華夏國證半導體芯片交易型開放式指數證券投資基金 1,014 1.6%17 8 上證 50 交易型開放式指數證券投資基金 898 1.5%15 9 諾安成長混合型證券投資基金 787 1.3%13 10 華泰柏瑞滬深 300 交易型開放式指數證券投資基金 742 1.2%12 合計 31,777 51%521 資料來源：Wind，華安證券研究所 管理團隊海外背景突出，從業經驗覆蓋設備及下游管理團隊海外背景突出，從業經驗覆蓋設備及下游Fab廠廠。團隊成員普遍擁有海內外高水平教育背景，并曾在全球領先的半導體設備廠商如泛林半導體、應用材料，以及下游晶圓廠如英特爾、中芯國際、GlobalFoundrie

19、s 等公司擔任重要職務。在刻蝕設備、薄膜沉積設備等領域擁有深厚的技術積累，并具備多年從事研發、產品管理和市場開拓的經驗，為中微的技術創新和市場拓展提供了強大的支持。圖表圖表 3 管理團隊專業能力突出管理團隊專業能力突出 姓名 現任職位 過往經歷 尹志堯 總經理 中國科學技術大學學士，加州大學洛杉磯分校博士。1984-1986 年，任英特爾中心技術開發部工藝工程師；1986-1991 年，任泛林半導體研發部資深經理；1991-2004 年，任應用材料總公司副總裁及亞洲總部首席技術官；2004 年至今，任中微公司董事長及總經理。陳偉文 副總經理,財務負責人 廈門大學學士，美國阿拉巴馬大學碩士。19

20、96-2005 年，先后在普華永道會計師事務所、可口可樂公司總部、霍尼韋爾等工作；2006-2012 年，先后在耶路全球中國國際運輸、海王星辰、盛大科技、阿特斯太陽能集團任財務總監；2012 年至今，擔任中微公司副總經理兼財務負責人。劉曉宇 副總經理,董事會秘書 浙江大學學士，復旦大學-BI 挪威商學院工商管理碩士。2001-2005 年，任中芯國際戰略市場部分析師；2005 年至今，歷任中微公司市場部經理及公共關系部資深總監；現任中微公司董事會秘書、副總裁。叢海 副總經理,刻蝕產品部新加坡國立大學碩士研究生。1995-2002 年，任新加坡特許半導體蝕刻資深工程師；敬請參閱末頁重要聲明及評級

21、說明 7/19 證券研究報告 Table_CompanyRptType1 中微公司（中微公司（688012）總經理 2003-2018 年，任新加坡 GlobalFoundries 研發部門技術總監；2018 年至今，任中微公司刻蝕和外延產品部總經理?，F任中微公司董事、副總經理。陶珩 副總經理,LPCVD 產品部總經理,公共平臺工程部總經理 上海交通大學碩士研究生。1997-2002 年，任武漢理工大學校辦工廠機械工程師；2005 年至今，任中微公司董事，副總經理，LPCVD 產品部及公共平臺工程部總經理?，F任中微公司董事、副總經理。劉志強 CCP 刻蝕部總經理 清華大學學士，碩士。2002-

22、2004 年，就職于中芯國際，擔任蝕刻工藝工程師；2004-2008年，擔任新加坡特許半導體蝕刻主任工程師。2008 年加入中微公司，現任中微公司副總裁，CCP 刻蝕部總經理。陳煌琳 ICP 產品部總經理 臺灣工業技術學院學士。2000-2018 年，任泛林半導體資深客戶服務經理；2018 年加入中微公司；現任中微公司 ICP 產品部總經理。何偉業 LPCVD 產品部總經理 南京大學學士，碩士。2007-2010 年，任中芯國際邏輯技術研發部工藝工程師；2011-2021年，任應用材料（中國）有限公司技術主管；2021 年至今，任中微公司 LPCVD 產品部總經理。姜勇 MOCVD 產品部副總

23、經理 上海交通大學工學學士，工學碩士。2005 年加入中微公司；現任中微公司 MOCVD 產品部副總經理。資料來源：中微公司，Wind，華安證券研究所 1.2&3456789:3456789:公司主要產品為刻蝕、薄膜沉積設備，在半導體設備（WFE）總資本開支的比例分別為 22%和 21%，是半導體設備的重要市場（合計占比 40%+）。除此之外，公司還擁有 VOC 產品（氣體凈化設備）。2023 年，公司刻蝕和薄膜沉積設備合計收入約 52 億元，占整體收入的 82%。根據公司 2024 年業績快報，公司 2024 年營業收入約 91 億元，其中刻蝕設備刻蝕設備銷售約 73 億元，同比增長約 55

24、%；MOCVD設備設備銷售約 3.8 億元，同比下降約 18%，IPCVD設備設備2024 年實現首臺銷售，全年設備銷售約 1.6 億元。1）刻蝕）刻蝕 刻蝕市場占 WFE 市場份額的 22%，是公司收入的主要來源。公司刻蝕技術產品涵蓋 CCP（電容耦合等離子刻蝕機）、ICP（電感耦合等離子刻蝕機）以及深硅刻蝕設備三大類。2023 年，公司刻蝕設備實現收入約 47 億元，同比增長 49%。2024 年前三季度，公司刻蝕設備實現收入約 44 億元，同比增長 54%?？涛g設備新簽訂單增長迅猛，2024 年前三季度刻蝕設備訂單合計 63 億元，同比增長 55%。-CCP刻蝕設備刻蝕設備：CCP 刻蝕

25、設備主要用于氮化硅、氧化硅及低介電系數膜層等材料的刻蝕。公司CCP產品已進入2D和3D存儲器生產線，主打產品 Primo UD-RIE 和 Primo SD-RIE 等。CCP 產品共有 2800+反應臺在線生產，其中 270+反應臺進入進入5nm及以下晶圓生產線及以下晶圓生產線。-ICP刻蝕設備刻蝕設備：ICP 刻蝕設備專注于集成電路制造中復雜器件及多種存儲材料的刻蝕，適用于高深寬比工藝需求。公司主打產品 Primo Nanova，Primo Twin-Star 的市場表現優異，雙臺機已進入生產線，已有 500+反應臺在線生產，為公司帶來顯著的市場份額增長。敬請參閱末頁重要聲明及評級說明 8

26、/19 證券研究報告 Table_CompanyRptType1 中微公司（中微公司（688012）-深硅刻蝕設備深硅刻蝕設備：深硅刻蝕設備廣泛應用于 CMOS 圖像傳感器、MEMS 芯片、2.5D 芯片和 3D 芯片等領域，支持高深寬比和溝槽結構的精確刻蝕。主打產品為 Primo TSV 200E/300E。公司深硅刻蝕設備已成功進入歐洲 MEMS 生產線，并在國內 TSV/MEMS 市場占據主流地位。2）薄膜沉積）薄膜沉積 薄膜沉積占WFE市場份額的21%，公司的薄膜沉積產品涵蓋 MOCVD、LPCVD 和 ALD 三大類。2023 年，公司 MOCVD 實現收入約 5 億元，同比下降 3

27、4%，主要是由于該終端市場近兩年處于下降趨勢，但公司在藍綠光 LED 生產線和 Mini-LED產業化中保持絕對領先的地位。-MOCVD設備設備：MOCVD 設備專注于藍綠光及紫外 LED 外延片和功率器件的生產。公司的 MOCVD 設備在國內外氮化鎵 LED 市場中占據主導地位，主打產品為PRISMO A7/HiT3/PD5/UniMax，廣泛應用于先進顯示和深紫外芯片制造，已成為行業標桿產品。-LPCVD設備設備：LPCVD 設備用于先進邏輯器件、DRAM 和 3D NAND 的制造，主要滿足關鍵金屬填充需求。公司產品 Preforma Uniflex 系列具有高輸出能力，支持高深寬比結構

28、的沉積工藝。公司已完成多家邏輯和存儲客戶對 CVD/HAR/ALD W 鎢設備的驗證，并取得了客戶訂單，為進一步積累市場優勢打下基礎。2024 年前三季度，公司 LPCVD 實現首臺銷售，收入 0.28 億元；新增訂單 3 億，新產品開始啟動放量。-ALD設備設備：ALD 設備應用于存儲器件相關關鍵層的沉積，能夠實現原子級厚度控制，滿足超高精度需求，公司開發的應用于高端存儲和邏輯器件的 ALD 氮化鈦設備也在穩步推進。圖表圖表 4 中微公司半導體設備產品線情況中微公司半導體設備產品線情況 刻蝕 薄膜沉積 WFE占比 22%21%23年收入年收入 47 億億 5 億億 占比占比 90%10%合計

29、合計 52 億億 新增訂單新增訂單 Q1-Q3新增訂單新增訂單76億（刻蝕億（刻蝕63億，億，LPCVD 3億），全年預計新增億），全年預計新增 110-130 億（億（YoY+32%56%）產品產品 CCP ICP 深硅刻蝕深硅刻蝕 MOCVD LPCVD ALD 24Q1-Q3收入收入 24億億 20億億-0.28 億億-合計合計 44億億-用途 氧化硅、氮化硅及低介電系數膜層等電介質材料的刻蝕 集成電路制造中單晶硅、多晶硅以及多種介質等材料的刻蝕 CMOS 圖像傳感器、MEMS 芯片、2.5D 芯片、3D 芯片等通孔及溝槽的刻蝕 藍綠光及紫外 LED 外延片和功 率器件的生產 先進邏輯器

30、件、DRAM 和 3D NAND中接觸孔以及金屬鎢線的填充 存儲器件關鍵應用填充 敬請參閱末頁重要聲明及評級說明 9/19 證券研究報告 Table_CompanyRptType1 中微公司（中微公司（688012）公司產品 Primo UD-RIE /SD-RIE Primo Nanova/Twin-Star Primo TSV 200E/300E PRISMO A7/HiT3 /PD5/UniMax Preforma Uniflex/TN-進展 進入2D和3D存儲器生產線，2800+反應臺 270+反應臺進入5 納米及以下生產線 雙臺機已進入生產線，500+反應臺 進入歐洲 MEMS 生產

31、線量產，在國內TSV/MEMS 成為主流設備 在國內外氮化鎵LED 市場占據主導地位 3D 存儲器驗證通過-注：WFE 占比為在半導體設備（WFE）總資本開支的比例 資料來源：中微公司，華安證券研究所 1.3;?*AB-CDEFGH;?*AB-CDEFGH 國產替代推動中微公司收入持續高速增長。國產替代推動中微公司收入持續高速增長。隨著美國對華制裁力度不斷加大，中國科技產業鏈本土化和自主化進程顯著加速。作為晶圓廠上游核心的半導體設備企業，中微的訂單呈現爆發式增長。2019-2023 年，公司收入復合增速為 34%。2023年，公司收入達到 63 億元，再創歷史新高。公司合同負債自去年以來大幅攀

32、升，從23 年末的 8 億增長至 24Q3 的 30 億元，充分驗證了訂單持續增長的強勁勢頭。根據公司業績快報，公司 2024 年營業收入約 91 億元，同比增長約 45%。圖表圖表5 公司收入逐年高增公司收入逐年高增 圖表圖表6 合同負債驗證訂單大幅增長合同負債驗證訂單大幅增長 資料來源：Wind，華安證券研究所 資料來源：Wind，華安證券研究所 產品高端化產品高端化&費用下降，推動盈利能力提升。費用下降，推動盈利能力提升。公司不斷進行新品研發，研發費用從 2018 年的 1 億元增長至 2023 年的 8 億元，占收入比例保持在 13%-15%之間。持續的高研發助力公司產品能力提升，近年

33、陸續推出了諸如 12 英寸高深寬比金屬鎢沉積設備等高端產品，疊加刻蝕產品占比提升，公司毛利率提升至 40%+水平。此外，隨著公司營銷體系完善，市占率不斷上升，公司銷售費用率從 2016 年的 20%+下降至如今的 8%，管理費率同樣下降。隨著產品技術不斷高端化以及費用優化管理，公司的盈利能力持續增強，歸母凈利潤快速提升。2019-2023 年，公司歸母凈利潤從 2 億增長至 18 億元，復合增長率高達 75%。6 10 16 19 23 31 47 63 59%69%19%17%37%52%32%0%20%40%60%80%100%0102030405060702016 2017 2018 2

34、019 2020 2021 2022 2023同比（%）億元收（億元）YoY6 14 22 8 12 25 30 051015202530352020202120222023 24Q1 24Q2 24Q3合同負債（億元）敬請參閱末頁重要聲明及評級說明 10/19 證券研究報告 Table_CompanyRptType1 中微公司（中微公司（688012）圖表圖表7 公司盈利能力穩定提升公司盈利能力穩定提升 圖表圖表8 公司管理費用率快速下降公司管理費用率快速下降 資料來源：Wind，華安證券研究所 資料來源：Wind，華安證券研究所 圖表圖表9 公司保持高研發投入公司保持高研發投入 圖表圖表1

35、0 公司歸母凈利潤快速提升公司歸母凈利潤快速提升 資料來源：Wind，華安證券研究所 資料來源：Wind，華安證券研究所 -60%-40%-20%0%20%40%60%2016 2017 2018 2019 2020 2021 2022 2023毛利率凈利率0%5%10%15%20%25%2016 2017 2018 2019 2020 2021 2022 2023銷售費用率管理費用率研發費用率1 2 3 4 6 8 7%12%15%13%13%13%0%5%10%15%20%0123456789201820192020202120222023研發費率（%）億元研發費用（億元）研發費用率(2)

36、0.3 1 2 5 10 12 18-113%204%108%161%105%16%53%-150%-100%-50%0%50%100%150%200%250%(5)051015202016 2017 2018 2019 2020 2021 2022 2023同比（%）億元歸母凈利潤（億元）YoY 敬請參閱末頁重要聲明及評級說明 11/19 證券研究報告 Table_CompanyRptType1 中微公司（中微公司（688012）2./012345678)*9:;&./012345678)*9:;&(?ABCD(?ABCD 2.1 2026I*J=KLI*J=KL12MNOPQRSTUVWX

37、MNOPQRSTUVWX 國產化推動國產化推動支持下，大陸晶圓開支攀升支持下，大陸晶圓開支攀升。SEMI 預計，在政府資金和其他激勵措施的推動下，預計中國本土晶圓廠將在 2024 年開始運營 18 個項目，2024 年產能同比增加 15%，達到每月 885 萬片（wpm）晶圓。2025 年將增長 14%至 1010 萬片，幾乎占行業總產能的三分之一。而其他主要芯片制造地區的產能增長率將不超過 5%。預計 2025 年中國臺灣地區的產能將以 580 萬片的速度位居第二，增長率為 4%，而韓國預計 2025 年將位居第三，在 2024 年首次突破 500 萬片的大關后，產能將增長7%至 540 萬

38、片。預計日本、美洲、歐洲和中東以及東南亞的半導體產能將分別增長至 470 萬片（YoY+3%）、320 萬片（YoY+5%）、270 萬片（YoY+4%）和 180萬片（YoY+4%）。圖表圖表11 全球晶圓產能擴張中，中國大陸占比最大，增速高于全球全球晶圓產能擴張中，中國大陸占比最大，增速高于全球 WPM 萬片/月 2024 E 2025 E YoY 中國大陸 885 1,010 14%占比%28%30%中國臺灣 558 580 4%占比%18%17%韓國 505 540 7%占比%16%16%日本 456 470 3%占比%15%14%美洲 305 320 5%占比%10%9%歐洲和中東

39、260 270 4%占比%8%8%東南亞 173 180 4%占比%6%5%合計 3,141 3,370 7%資料來源：SEMI，華安證券研究所 2026年，中國大陸年，中國大陸12寸晶圓產能占全球比例將達到寸晶圓產能占全球比例將達到25%，躍升至全球第一的，躍升至全球第一的位置。位置。根據 SEMI 數據，2000 年，美國和日本主導著全球半導體產能的半壁江山，當時中國大陸的產能僅占 2%。到了 2010 年，半導體產能開始向亞洲轉移，韓國和中國臺灣兩者相加的產能達到了全球產能的 35%，而此時中國大陸的產能達到了 9%。2020 年，隨著中國大陸產線的建設以及原有產線的擴產，中國大陸的產能

40、占比提升至 17%。展望 2026 年，中國大陸 12 寸晶圓產能將占到 25%的比重，躍升為全球12 寸晶圓產能第一，主要驅動力來自于產線國產化和成熟節點投資。韓國和中國臺灣的市場份額則分別從 25%和 22%略微下降至 23%和 21%。敬請參閱末頁重要聲明及評級說明 12/19 證券研究報告 Table_CompanyRptType1 中微公司（中微公司（688012）圖表圖表12 2026年，中國大陸年，中國大陸12寸晶圓產能全球第一寸晶圓產能全球第一 市場份額 2022 年 2026 年 增長驅動因素 中國大陸 22%25%政府投資和成熟節點發展 韓國 25%23%內存市場需求疲軟

41、中國臺灣 22%21%保持第三位，份額小幅下降 日本 13%12%競爭加劇 美洲 9%9%汽車市場需求和政府投資 汽車市場需求和政府投資 歐洲及中東 6%7%東南亞 4%4%維持現有份額 資料來源：SEMI，EETimes，華安證券研究所 2.2 J=KLYZFUV_aKbcJ=KLYZFUV_aKbc 全球半導體前段設備市場全球半導體前段設備市場950億美元，中國占比超三分之一。億美元，中國占比超三分之一。中國是半導體的最大消費市場，還是全球電子產品制造的核心。根據中微公司財報及 SEMI 數據，2023 年，全球集成電路前段設備市場總值為 950 億美元，與去年相比增長了 0.9%。中國大

42、陸繼續成為全球最大的集成電路前段設備市場，占據全球市場的 35%，即 330 億美元。中國臺灣和韓國緊隨其后，分別占 19%的市場份額，金額為 179 億美元和 183 億美元。北美洲以 12%的占比位列第四，金額為 111 億美元。日本和歐洲分別占 7%和 6%，而其他地區占 2%。圖表圖表13 2023年，中國大陸持續成為全球最大的集成電路設備市場年，中國大陸持續成為全球最大的集成電路設備市場 資料來源：中微公司，SEMI，華安證券研究所 中國大陸,$330 億,35%中國臺灣,$179 億,19%韓國,$183 億,19%北美洲,$111 億,12%日本,$69 億,7%歐洲,$57 億

43、,6%其他,$20 億,2%全球半導體前段設備市場$950 億 （YoY+0.9%）敬請參閱末頁重要聲明及評級說明 13/19 證券研究報告 Table_CompanyRptType1 中微公司（中微公司（688012）3 EFGHIJKLMEN3OPQEFGHIJKLMEN3OPQ 3.1 def$+,-)*&ghijk:def$+,-)*&ghijk:隨著制程節點不斷進步，晶體管結構愈發復雜，刻蝕重要性愈發凸顯。隨著制程節點不斷進步，晶體管結構愈發復雜，刻蝕重要性愈發凸顯。隨著芯片制造中線寬的進一步縮小和先進工藝（如多重模板工藝）的廣泛采用，對沉積與刻蝕技術的精確性和控制能力提出了更高的要

44、求。在此背景下，沉積與刻蝕工藝需要在薄膜厚度控制、邊墻精度、各向異性、深寬比、刻蝕選擇比、均勻性、殘留物處理以及多層結構的完整性方面實現精確調控。同時，為避免在復雜納米級結構制造中可能引發的等離子體損傷及顆粒沾污等問題，設備技術需要不斷更新迭代。例如，在 10 納米多重模板工藝中，通過沉積與刻蝕相結合，逐步縮小結構尺寸，從初始的 20nm 和 40nm 寬度的核心和邊墻，精確加工至最終的 10nm 邊墻厚度。圖表圖表 14 10nm多重模板工藝中，涉及多次刻蝕，最后將邊墻控制至多重模板工藝中，涉及多次刻蝕，最后將邊墻控制至10nm厚度厚度 資料來源：中微公司，華安證券研究所 隨著隨著3D NA

45、ND層數變高，層數變高，刻蝕需刻蝕需要要超高深寬比控制超高深寬比控制。目前，128 層 3D NAND實現量產，200 層及以上閃存進入批量生產階段。3D NAND 制造從縮小線寬轉向通過增加堆疊層數提升存儲密度，工藝要求在氧化硅和氮化硅的疊層結構中，實現 40:1至60:1甚至更高深寬比的極深孔或溝槽刻蝕。層數的增加對刻蝕技術提出更高要求，需在超高深寬比條件下確保各向異性、均勻性和材料選擇比，同時有效控制顆粒污染和等離子體損傷，保證存儲單元性能和良率。這推動刻蝕設備需求大幅增長，ICP和 CCP 設備憑借精準的深孔加工能力，成為 3D NAND 制造的核心工具。隨著層數繼續提升，刻蝕技術將持

46、續在高存儲密度制造中發揮關鍵作用。敬請參閱末頁重要聲明及評級說明 14/19 證券研究報告 Table_CompanyRptType1 中微公司（中微公司（688012）圖表圖表 15 3D NAND需要更高縱深比需要更高縱深比 資料來源：ITGIC，華安證券研究所 3.2 lt+,lt+,ulvwulvw 公司常年保持高研發投入，研發費率高于海外設備。公司常年保持高研發投入，研發費率高于海外設備。公司研發費用從 2018 年以來的 1 億元，增長至 2023 年的 8 億元，研發費用率穩定在 10%以上水平。與海外設備商應用材料，泛林半導體相比，公司 2020 年開始，研發費率便一直高于海外

47、。圖表圖表16 公司多年保持公司多年保持10%以上研發投入占比以上研發投入占比 圖表圖表17 公司研發費率水平高于應用材料和泛林公司研發費率水平高于應用材料和泛林 資料來源：Wind，華安證券研究所 資料來源：Wind，華安證券研究所 持續的高研發投入下，公司不斷取得產品突破。持續的高研發投入下，公司不斷取得產品突破。公司不斷突破性能和產品效率，拓寬產品線，近年來先后推出了雙反應臺刻蝕，LPCVD 等設備。2020 年 7 月，公司推出 Prismo HiT3 MOCVD 設備，用于深紫外 LED 量產，具有最高 1400 度反應腔溫度、高工藝均勻性和低缺陷率，可同時生長18片2英寸或延伸到4

48、英寸晶片。1 2 3 4 6 8 7%12%15%13%13%13%0%5%10%15%20%0123456789201820192020202120222023研發費率（%）億元研發費用（億元）研發費用率0%2%4%6%8%10%12%14%16%18%20162017201820192020202120222023應用材料泛林半導體中微公司 敬請參閱末頁重要聲明及評級說明 15/19 證券研究報告 Table_CompanyRptType1 中微公司（中微公司（688012）2021 年 6 月，公司推出 Prismo UniMax MOCVD 設備，專為高性能 Mini LED 量產設計

49、，支持多達 4 個反應腔，具有創新的溫度補償系統和高產能設計，可加 164 片4 英寸或 72 片 6 英寸晶片。2021 年 3 月，公司發布 Primo Twin-Star ICP 刻蝕設備，采用雙反應臺腔體設計，適用于 IC 器件的導體和介質膜刻蝕，以高輸出和低成本滿足邏輯芯片、存儲芯片及功率器件的刻蝕需求。2023 年 5 月，公司推出 Preforma Uniflex CW 12 英寸 LPCVD 設備，具備高產出效率，可靈活配置多達 10 個反應臺，以較低成本實現高效率生產。2024 年 5 月，公司發布 Preforma Uniflex HW 和 AW設備，專注于高深寬比金屬鎢沉

50、積，采用自主生長梯度抑制工藝和優化熱場系統，實現復雜結構的精確填充和高生產效率。圖表圖表 18 公司近年不斷取得產品突破公司近年不斷取得產品突破 時間 歷史沿革 2020-07 發布用于深紫外 LED 量產的 MOCVD 設備 Prismo HiT3 2021-03 中微公司發布雙反應臺電感耦合等離子體刻蝕設備 Primo Twin-Star 2021-06 發布用于高性能 Mini-LED 量產的 MOCVD 設備 Prismo UniMax,首臺 8 英寸 CCP 刻蝕設備 Primo AD-RIE 200 順利付運 2023-05 推出自主研發的 12 英寸低壓化學氣相沉積(LPCVD)

51、設備 Preforma Uniflex CW 2024-05 推出自主研發的 12 英寸高深寬比金屬鎢沉積設備 Preforma Uniflex HW 以及 12 英寸原子層金屬鎢沉積設備 Preforma Uniflex AW 資料來源：中微公司，華安證券研究所 敬請參閱末頁重要聲明及評級說明 16/19 證券研究報告 Table_CompanyRptType1 中微公司（中微公司（688012）盈利預測盈利預測 我們預計 2024-2026 年公司歸母凈利潤分別為 16、25、34 億元，對應的 EPS 分別為 2.6、4.0、5.5 元，對應 2025 年 4 月 10 日收盤價 PE

52、分別為 72x、47x、34x。首次覆蓋給予“買入”評級。敬請參閱末頁重要聲明及評級說明 17/19 證券研究報告 Table_CompanyRptType1 中微公司（中微公司（688012）風險提示風險提示 擴產不及預期、研發進度不及預期、產業競爭加劇、貿易摩擦加劇。敬請參閱末頁重要聲明及評級說明 18/19 證券研究報告 Table_CompanyRptType1 中微公司（中微公司（688012）財務報表與盈利預測財務報表與盈利預測 Table_Finace 資產負債表資產負債表 單位:百萬元 利潤表利潤表 單位:百萬元 會計年度會計年度 20232024E 2025E 2026E 會

53、計年度會計年度 2023A 2024E 2025E 2026E 流動資產流動資產 15087 16550 19060 23088 營業收入營業收入 6264 9065 12122 15623 現金 7090 4927 4346 4628 營業成本 3393 5206 6848 8912 應收賬款 1165 1634 2169 2791 營業稅金及附加 12 15 24 31 其他應收款 10 25 34 43 銷售費用 492 725 909 1094 預付賬款 112 156 205 267 管理費用 344 589 727 859 存貨 4260 6477 8120 10307 財務費用-

54、87 -133 -74 -47 其他流動資產 2449 3330 4186 5050 資產減值損失-11 -30 -30 -30 非流動資產非流動資產 6438 9163 11178 12947 公允價值變動收益-203 0 0 0 長期投資 1020 1020 1020 1020 投資凈收益 787 390 364 469 固定資產 1988 3437 4589 5286 營業利潤營業利潤 1980 1716 2663 3631 無形資產 687 867 1117 1457 營業外收入 33 9 0 0 其他非流動資產 2744 3839 4452 5185 營業外支出 3 3 0 0 資產

55、總計資產總計 21526 25713 30238 36035 利潤總額利潤總額 2010 1721 2663 3631 流動負債流動負債 3624 5128 6672 8551 所得稅 226 96 186 218 短期借款 0 0 0 0 凈利潤凈利潤 1784 1626 2476 3413 應付賬款 1305 1952 2568 3342 少數股東損益-2 0 0 0 其他流動負債 2319 3176 4104 5209 歸屬母公司凈利潤歸屬母公司凈利潤 1786 1626 2476 3413 非流動負債非流動負債 79 655 1160 1665 EBITDA 1485 1999 309

56、4 4134 長期借款 0 500 1000 1500 EPS（元）2.89 2.61 3.98 5.48 其他非流動負債 79 155 160 165 負債合計負債合計 3702 5783 7831 10215 主要財務比率主要財務比率 少數股東權益-3 -4 -4 -4 會計年度會計年度 2023A 2024E 2025E 2026E 股本 619 621 621 621 成長能力成長能力 資本公積 13317 13804 13804 13804 營業收入 32.1%44.7%33.7%28.9%留存收益 3889 5508 7984 11397 營業利潤 56.8%-13.4%55.2%

57、36.4%歸屬母公司股東權 17826 19934 22410 25823 歸屬于母公司凈利 52.7%-9.0%52.3%37.8%負債和股東權益負債和股東權益 21526 25713 30238 36035 獲利能力獲利能力 毛利率（%）45.8%42.6%43.5%43.0%現金流量表現金流量表 單位:百萬元 凈利率（%）28.5%17.9%20.4%21.8%會計年度會計年度 20232024E 2025E 2026E ROE（%）10.0%8.2%11.0%13.2%經營活動現金流經營活動現金流-977 251 1595 2168 ROIC（%）6.3%7.2%10.2%12.2%凈

58、利潤 1784 1626 2476 3413 償債能力償債能力 折舊攤銷 176 411 506 551 資產負債率（%）17.2%22.5%25.9%28.3%財務費用-71 9 24 40 凈負債比率（%）20.8%29.0%35.0%39.6%投資損失-787 -390 -364 -469 流動比率 4.16 3.23 2.86 2.70 營運資金變動-2238 -1432 -1103 -1416 速動比率 2.81 1.76 1.43 1.28 其他經營現金流 4180 3086 3634 4879 營運能力營運能力 投資活動現金流投資活動現金流 1827 -3218 -2656 -2

59、351 總資產周轉率 0.30 0.38 0.43 0.47 資本支出-867 -2865 -2510 -2310 應收賬款周轉率 7.02 6.48 6.37 6.30 長期投資 2202 -500 -500 -500 應付賬款周轉率 3.00 3.20 3.03 3.02 其他投資現金流 492 147 354 459 每股指標（元）每股指標（元）籌資活動現金流籌資活動現金流 223 812 481 465 每股收益 2.89 2.61 3.98 5.48 短期借款 0 0 0 0 每股經營現金流?。?1.57 0.40 2.56 3.48 長期借款-500 500 500 500 每股凈

60、資產 28.79 32.03 36.01 41.49 普通股增加 3 2 0 0 估值比率估值比率 資本公積增加 670 487 0 0 P/E 53.15 72.29 47.47 34.44 其他籌資現金流 49 -177 -19 -35 P/B 5.34 5.90 5.24 4.55 現金凈增加額現金凈增加額 1085 -2163 -581 282 EV/EBITDA 59.65 56.73 37.00 27.75 資料來源：公司公告，華安證券研究所 敬請參閱末頁重要聲明及評級說明 19/19 證券研究報告 Table_CompanyRptType1 中微公司（中微公司（688012）分析

61、師與研究助理簡介分析師與研究助理簡介 陳耀波陳耀波，華安證券電子行業首席分析師。北京大學金融管理雙碩士，有工科交叉學科背景。曾就職于廣發資管，博時基金投資部等，具有 8 年買方投研經驗。李美賢李美賢，中國人民大學碩士，2024 年 1 月加入華安證券。曾任職于東興證券，4 年電子及通信行業研究經驗。擅長海外對標復盤，重點覆蓋模擬芯片及 SOC，FPGA、GPU 等 Al 芯片相關領域。重要聲明重要聲明 分析師聲明分析師聲明 本報告署名分析師具有中國證券業協會授予的證券投資咨詢執業資格，以勤勉的執業態度、專業審慎的研究方法，使用合法合規的信息，獨立、客觀地出具本報告，本報告所采用的數據和信息均來

62、自市場公開信息，本人對這些信息的準確性或完整性不做任何保證，也不保證所包含的信息和建議不會發生任何變更。報告中的信息和意見僅供參考。本人過去不曾與、現在不與、未來也將不會因本報告中的具體推薦意見或觀點而直接或間接收任何形式的補償，分析結論不受任何第三方的授意或影響，特此聲明。免責聲明免責聲明 華安證券股份有限公司經中國證券監督管理委員會批準，已具備證券投資咨詢業務資格。本報告由華安證券股份有限公司在中華人民共和國（不包括香港、澳門、臺灣）提供。本報告中的信息均來源于合規渠道，華安證券研究所力求準確、可靠，但對這些信息的準確性及完整性均不做任何保證。在任何情況下，本報告中的信息或表述的意見均不構

63、成對任何人的投資建議。在任何情況下，本公司、本公司員工或者關聯機構不承諾投資者一定獲利，不與投資者分享投資收益，也不對任何人因使用本報告中的任何內容所引致的任何損失負任何責任。投資者務必注意，其據此做出的任何投資決策與本公司、本公司員工或者關聯機構無關。華安證券及其所屬關聯機構可能會持有報告中提到的公司所發行的證券并進行交易，還可能為這些公司提供投資銀行服務或其他服務。本報告僅向特定客戶傳送，未經華安證券研究所書面授權，本研究報告的任何部分均不得以任何方式制作任何形式的拷貝、復印件或復制品，或再次分發給任何其他人，或以任何侵犯本公司版權的其他方式使用。如欲引用或轉載本文內容，務必聯絡華安證券研

64、究所并獲得許可，并需注明出處為華安證券研究所，且不得對本文進行有悖原意的引用和刪改。如未經本公司授權，私自轉載或者轉發本報告，所引起的一切后果及法律責任由私自轉載或轉發者承擔。本公司并保留追究其法律責任的權利。投資評級說明投資評級說明 以本報告發布之日起 6 個月內，證券（或行業指數）相對于同期相關證券市場代表性指數的漲跌幅作為基準，A股以滬深 300 指數為基準；新三板市場以三板成指（針對協議轉讓標的）或三板做市指數（針對做市轉讓標的）為基準；香港市場以恒生指數為基準；美國市場以納斯達克指數或標普 500 指數為基準。定義如下：行業評級體系行業評級體系 增持未來 6 個月的投資收益率領先市場

65、基準指數 5%以上;中性未來 6 個月的投資收益率與市場基準指數的變動幅度相差-5%至 5%;減持未來 6 個月的投資收益率落后市場基準指數 5%以上;公司評級體系公司評級體系 買入未來 6-12 個月的投資收益率領先市場基準指數 15%以上；增持未來 6-12 個月的投資收益率領先市場基準指數 5%至 15%；中性未來 6-12 個月的投資收益率與市場基準指數的變動幅度相差-5%至 5%；減持未來 6-12 個月的投資收益率落后市場基準指數 5%至 15%；賣出未來 6-12 個月的投資收益率落后市場基準指數 15%以上；無評級因無法獲取必要的資料，或者公司面臨無法預見結果的重大不確定性事件，或者其他原因，致使無法給出明確的投資評級。