邊緣端來看，特斯拉自研 FSD 芯片性能行業領先、算力持續提升。2019 年起采用自研芯片，HW3.0 搭載雙 FSD1.0 芯片，使用三星 14nm 工藝，面積僅 260 平方毫米，可實現 144Tops 算力，而英偉達 Xavier 使用臺積電 12nm 工藝，面積 350 平方毫米，算力僅 30TOPS，特斯拉自研芯片性能行業領先。目前，HW4.0 平臺搭載雙 FSD2.0 芯片，算力達 720Tops，單顆芯片算力 360Tops，高于英偉達 Orin-x（254Tops）；AI5 硬件平臺下，算力 10 倍于 HW4.0，預計芯片算力將有大幅提升。