現有的EUV光刻機（用于制造7納米/5納米/3納米制程芯片）使用13.5納米的波長。ASML EUV光刻機3400C產品使用k1、λ、NA分別為0.25、13.5納米、0.33。一般認為EUV單次曝光對應臺積電7納米制程工藝，而投資更先進的光刻機技術或在經濟上可以彌補多次曝光的良率和效率上的損失。業界（這里包括ASML等設備廠商，臺積電、英特爾等涉及到先進制程的IDM或代工廠，以及眾多的半導體設計商的綜合意見）判斷，NA=0.33的光刻機或可以支持從7納米到3納米制程工藝節點，而2納米節點業界或使用High NA （NA=0.55）。ASML稱其5000系列“High NA”已經在2023年12月開始交付英特爾（18A節點），并在2H24交付臺積電測試使用。