相較于多重曝光工藝，EUV 在工藝和成本上更具優勢。根據 ASML，若完全使用浸沒式 DUV 光刻機實現 7nm 制程，需要經過 34 次光刻和 59-65 次對準套刻，較高的工藝復雜度顯著提高了損失良率的風險，因此繼續使用浸沒式 DUV 光刻機不具備實際經濟效益。相比之下，EUV 光刻機大大減少了工藝的復雜程度，得益于光源波長為 13.5nm，單次曝光的分辨率極限可以達到 13nm，因此對于 7nm 制程中的特征尺寸，僅需要 9 次光刻和 12 次對準套刻，更少的工藝步驟和更好的成像質量對成本和最終良率極其有利。相較多重曝光，EUV 能降低 15%-50%的成本，縮短 3-6倍的周期時間，使產品更快量產。此外，若同時使用 EUV 和 SADP，可實現更小的特征尺寸，使芯片制程向 5nm/3nm 繼續發展，摩爾定律也得以繼續存活。