半導體材料三個階段分析，細分材料及主要用途介紹

1、半導體材料三個階段分析

(1)第一代半導體

主要材料：鍺( Ge)、硅( Si )等單元素半導體

主要應用：主要應用于低電壓、低頻、中功率晶體管和光電探測器，si是半導體分立器件、集成電路，以及太陽能電池的基礎材料，是信息產業的基石。

(2)第二代半導體

主要材料：III-V族化合物半導體，典型代表是砷化家( GaAs )、磷化錮( lnP)、銻化錮( lnSb )，以及鋁砷化( AlGaAs )、錮砷化家( lnGaAs )等。

主要應用：高頻、低噪音，廣泛應用于衛星通信、移動通信、光通信和>GPS導航系統領域。

(3)第三代半導體

主要材料：主要代表是氮化家( GaN)、碳化硅( SiC);其他還包括氧化鋅( ZnO)、金剛石、氮化鋁(AIN)。

主要應用：最早在光電子領域大規模應用，例如LED和激光器，可廣泛應用在高壓電、高功率、高頻等領域，如電力電子、電源管理、無線通信等。

2、半導體細分材料及主要用途介紹

(1)制造材料

主要材料：硅片、濺射靶材、CMP拋光液和拋光墊光刻膠、高純化學試劑、電子氣體和化合物半導體

主要用途：晶圓制造的基地材料、芯片中紙杯薄膜的元素級材料通過磁控進行精準放置、通過化學反應與物理研磨實現大面積平坦化、將掩膜版上的圖形轉移到硅片上的關鍵材料、晶圓制造過程進行濕法工藝、氧化、還原、除雜和新一代半導體材料等

(2)封裝材料

主要材料：封裝基板、引線框架

主要用途：保護芯片、物理支撐、連接芯片與電路板、散熱;保護芯片、物理支撐、連接芯片與電路板等。

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數據來源《【公司研究】雅克科技-深度報告：快速崛起的半導體材料平臺型龍頭-210518(42頁).pdf》

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