拓荊科技(688072) 長存 3D NAND X-stacking 架構，先在 CMOS 外圍電路和 NAND 存儲陣列兩片晶圓上完成獨立的制造工藝，再通過混合鍵合的方式進行兩片晶圓的鏈接。目前 EVG 約占據 W2W 混合鍵合 82%市場，其次為 TEL 公司。EVG單臺設備價值量約為 500~800 萬歐元/臺。Die to Wafer 則主要應用于芯片異構集成，例如 SoIC、未來 HBM4 堆疊等，對準精度要求一致，但對機臺速率及清潔度提出更高要求。當前，D2W 尚未十分成熟，BEIS 憑借其機臺優異良率，基本成為該領域核心玩家。臺積電 SoIC 平臺即基于此工藝，AMD 2023 年發布的 AI 芯片 MI300 系列產品即搭配 SoIC 和 CoWoS 封裝，實現12 顆晶粒的 chiplet 堆疊。蘋果 M5 系列芯片也計劃采用臺積電 SolC 封裝技術。為滿足客戶需求，臺積電持續擴產，2023 年底 SoIC 月產能 2000 片，目標 2024 年底 6000 片/月，2025 年有望提升至 1.4~1.45 萬片/月。當前， Besi 設備可以實現 10μm 以下的連接點間距、0.5-0.1μm 的對準精度，以及 1w~100w 連接點/mm2 的連接密度。單臺設備價值量也迅速提升，以 Besi為例，同系列倒裝用固晶機單價大約 50 萬美元/臺，而混合鍵合設備單價將