硅上氮化硅波導結構的制備工藝流程(在8英寸的COMS上的Si3N4波導制造流程) 采用低壓化學氣相沉積將SiN波導層沉積到SOI晶圓上可實現低波導損耗。將SiN沉積到SOI晶圓上的方法包括等離子體增強化學氣相沉積(PECVD)和低壓化學氣相沉積(LPCVD),其中PECVD可實現厚的SiN波導層,但損耗與傳統硅波導相近,LPCVD制備的氮化硅波導損耗較低。 行業數據 下載Excel 下載圖片 原圖定位