負載點電源芯片C42111RHT性能對比 公司設計的負載點電源芯片采用了抗輻射加固、高帶寬電路、高階補償帶隙基準等技術,具備高效率、高集成、抗輻射等特點。以公司開發的 C42111RHT 為例,與對標產品相比,在輸入電壓、輸出電壓方面具備優勢。 行業數據 下載Excel 下載圖片 原圖定位