PECVD設備在薄膜沉積工藝中應用最廣泛。PECVD的主要功能是在將硅片控制到預定溫度后，使用射頻電磁波作為能量源在硅片上方形成低溫等離子體，通入適當的化學氣體，在等離子體的激活下，經一系列化學反應在硅片表面形成固態薄膜。相比傳統的 CVD 設備，PECVD 設備在相對較低的反應溫度下形成高致密度、高性能薄膜，不破壞已有薄膜和已形成的底層電路，實現更快的薄膜沉積速度，是芯片制造薄膜沉積工藝中運用最廣泛的設備種類。