長城證券：功率半導體行業深度報告八大維度解析功率公司碳化硅IGBT分立器件哪家強（43頁）.pdf

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1、八大維度解析：功率公司碳化硅八大維度解析：功率公司碳化硅/IGBT/分立分立器件哪家強？器件哪家強？功率半導體行業深度報告功率半導體行業深度報告長城證券研究院科技首席：唐泓翼執業證書編號：S10705211200012022.09.28證券研究報告行業深度報告監控、定序器、監控、定序器、開關開關IC2捷捷微電捷捷微電華微電子華微電子瑞能半導體瑞能半導體晶閘管晶閘管意法半導體意法半導體恩智浦恩智浦國外國外國內國內新潔能新潔能聞泰科技聞泰科技華潤微華潤微MOSFET英飛凌英飛凌德州儀器德州儀器安森美安森美國外國外國內國內揚杰科技揚杰科技華微電子華微電子士蘭微士蘭微BJT英飛凌英飛凌安森美安森美國外

2、國外國內國內揚杰科技揚杰科技華微電子華微電子蘇州固锝蘇州固锝二極管二極管威世威世羅姆羅姆國外國外國內國內時代電氣時代電氣士蘭微士蘭微斯達半導斯達半導IGBT英飛凌英飛凌三菱電機三菱電機富士電機富士電機國外國外國內國內三安光電三安光電時代電氣時代電氣華潤微華潤微SiC 二極管二極管英飛凌英飛凌意法半導體意法半導體三菱電機三菱電機國外國外國內國內華為華為格力格力蔚來蔚來下游應用下游應用特斯拉特斯拉寶馬寶馬國外國外國內國內華潤微華潤微時代電氣時代電氣三安光電三安光電SiC MOSFET英飛凌英飛凌Wolfspeed羅姆羅姆國外國外國內國內斯達半導斯達半導時代電氣時代電氣BYD半導半導功率模塊功率模塊

3、英飛凌英飛凌安森美安森美三菱電機三菱電機國外國外國內國內富滿電子富滿電子芯朋微芯朋微圣邦微圣邦微功率功率IC英飛凌英飛凌德州儀器德州儀器意法半導體意法半導體國外國外國內國內功功率率及及模模塊塊低壓（低壓（20V-50V）中壓（中壓（50V-500V）高壓（高壓（500V以上）以上）中壓（中壓（50V-500V）應應用用領領域域發電端發電端電力運輸電力運輸光伏光伏風電風電高壓電力運輸高壓電力運輸功功率率分分立立器器件件第一代半導體器件第一代半導體器件第三代半導體器件第三代半導體器件BJT5億美元億美元MOSFET78億美元億美元IGBT14億美元億美元二極管二極管+3%33億美元億美元TVSTV

4、SSBDSBDFRDFRD晶閘管晶閘管53億美元億美元SCRSCRTRIACTRIACGTOGTOGTRGTRLDMOSLDMOSSJSJSGTSGTTrenchTrenchFSFSIGBT7IGBT7SiC器件器件2億美元億美元SBDSBDDMOSDMOS1億美元億美元HEMTHEMTGaN器件器件IC傳感器傳感器模擬模擬IC40億美元億美元50億美元億美元34億美元億美元76億美元億美元47億美元億美元10億美元億美元線性穩壓器線性穩壓器LDO28億美元億美元開關穩壓器開關穩壓器DC-DC多通道多通道PMIC電池管理電池管理IC其他功率其他功率ICIGBT模塊模塊其他模塊其他模塊電電路路搭

5、搭建建逆變電路逆變電路直流直流交流交流整流電路整流電路交流交流交流交流升降壓電路升降壓電路低壓低壓高壓高壓市場規模：市場規模：136136億美元億美元市場規模：市場規模：228228億美元億美元+V+V+V+V光電子光電子半導體分類半導體分類半半導導體體分立器件分立器件D-O-S分立元分立元器件器件55595559億美元億美元929929億美元億美元741741億美元億美元38893889億美元億美元303303億美元億美元434434億美元億美元191191億美元億美元Fabless產業鏈產業鏈器件器件/模塊模塊封測封測IDM晶圓晶圓制造制造芯片芯片設計設計上游原材料上游原材料功率芯片制造功

6、率芯片制造SiSiCGaNFabless數字數字IC46304630億美元億美元集成電路集成電路IC一張圖看懂功率半導體全景梳理一張圖看懂功率半導體全景梳理數據來源：WSTS，Yole，KBV Research，長城證券研究院整理市場規模：市場規模：5757億美元億美元電壓基準電壓基準PFC控制器等控制器等SiC 功率模塊等功率模塊等-+V-+V電壓基準電壓基準PFC控制器等控制器等集成開關的多相集成開關的多相升降壓轉換器升降壓轉換器過壓保護過壓保護欠壓保護等欠壓保護等2727億美元億美元通信應用通信應用電動汽車及交通電動汽車及交通消費電子消費電子工業應用工業應用航空航天航空航天用電端用電端5

7、555億美元億美元2828億美元億美元176176億美元億美元108108億美元億美元2727億美元億美元注：圖中所示市場規模均為注：圖中所示市場規模均為2021年預測數據年預測數據3數據來源：WSTS，Yole，KBV Research，長城證券研究院整理產業產業鏈環鏈環節節市場市場規模規模一級一級分類分類市場市場規模規模二級二級分類分類市場市場規模規模三級分類三級分類市場市場規模規模全球主要廠家全球主要廠家國內主要廠家國內主要廠家功率功率芯片芯片制造制造421功率功率分立分立器件器件136第一第一代半代半導體導體器件器件133二極管二極管33 威世、羅姆威世、羅姆揚杰科技、蘇州固锝、華微電

8、子、華潤微、瑞能半導揚杰科技、蘇州固锝、華微電子、華潤微、瑞能半導體、銀河微電、東微半導、士蘭微、捷捷微電體、銀河微電、東微半導、士蘭微、捷捷微電晶閘管晶閘管3意法半導體、恩智浦意法半導體、恩智浦捷捷微電、華微電子、瑞能半導體、臺基股份捷捷微電、華微電子、瑞能半導體、臺基股份BJT5英飛凌、安森美英飛凌、安森美華潤微、瑞能半導體、銀河微電、士蘭微華潤微、瑞能半導體、銀河微電、士蘭微MOSFET78英飛凌、德州儀器、安森美、意法半導體、羅姆、英飛凌、德州儀器、安森美、意法半導體、羅姆、東芝、恩智浦、威世、瑞薩東芝、恩智浦、威世、瑞薩士蘭微、華微電子、新潔能、聞泰科技、華潤微、東士蘭微、華微電子、

9、新潔能、聞泰科技、華潤微、東微半導微半導IGBT14英飛凌、三菱電機、富士電機、英飛凌、三菱電機、富士電機、Semikron、日立、日立、安森美、威科、安森美、威科、ABB比亞迪半導體、士蘭微、華微電子、時代電氣、斯達比亞迪半導體、士蘭微、華微電子、時代電氣、斯達半導、華潤微、宏微科技、新潔能半導、華潤微、宏微科技、新潔能第三第三代半代半導體導體器件器件3SiC 分立器件分立器件2Cree、羅姆、英飛凌、羅姆、英飛凌、STM三安光電、三安光電、BYD半導、斯達半導、華潤微、士蘭微、半導、斯達半導、華潤微、士蘭微、時代電氣、瑞能半導體時代電氣、瑞能半導體GaN 分立器件分立器件1Cree、Nit

10、ronex、東芝東芝士蘭微、華潤微、聞泰科技士蘭微、華潤微、聞泰科技功率模塊功率模塊57IGBT模塊模塊47 英飛凌、英飛凌、Semikron、富士電機、三菱電機、富士電機、三菱電機斯達半導、斯達半導、BYD半導、時代電氣、宏微科技、華微電半導、時代電氣、宏微科技、華微電子、臺基股份子、臺基股份SiC模塊模塊6英飛凌、羅姆、三菱電機英飛凌、羅姆、三菱電機BYD半導、斯達半導、時代電氣半導、斯達半導、時代電氣其他其他4英飛凌、英飛凌、Semikron、三菱電機三菱電機士蘭微、華微電子士蘭微、華微電子功率功率IC228多通道多通道PMIC50 英飛凌、德州儀器、瑞薩、英飛凌、德州儀器、瑞薩、MPS

11、圣邦微、矽力杰圣邦微、矽力杰DC-DC開關穩開關穩壓器壓器40 英飛凌、德州儀器、意法半導體、安森美、英飛凌、德州儀器、意法半導體、安森美、MPS矽力杰、圣邦微矽力杰、圣邦微電池管理電池管理IC34 英飛凌、德州儀器、羅姆、瑞薩、英飛凌、德州儀器、羅姆、瑞薩、MPS矽力杰、圣邦微矽力杰、圣邦微線性穩壓器線性穩壓器28 德州儀器、德州儀器、ADI、英飛凌、意法半導體、英飛凌、意法半導體、MPS圣邦微、矽力杰、芯朋微、力芯微圣邦微、矽力杰、芯朋微、力芯微其他其他76 英飛凌、德州儀器、意法半導體、安森美、英飛凌、德州儀器、意法半導體、安森美、MPS圣邦微、矽力杰圣邦微、矽力杰下游下游應用應用421

12、消費電子消費電子176 索尼、索尼、Apple、戴爾、三星、戴爾、三星、LG小米、小米、VIVO、OPPO、聯想、美的、格力、海爾、聯想、美的、格力、海爾電動汽車與交通電動汽車與交通108 特斯拉、寶馬、奔馳特斯拉、寶馬、奔馳蔚來、小鵬、比亞迪、理想蔚來、小鵬、比亞迪、理想工業工業55 西門子、西門子、ABB、艾默生、羅克韋爾、施耐德、艾默生、羅克韋爾、施耐德、GE匯川技術、英威騰匯川技術、英威騰信息與通信技術信息與通信技術27 愛立信、三星愛立信、三星華為、中興、移動、聯通、電信、華為、中興、移動、聯通、電信、TP-LINK國防與航空航天國防與航空航天28 波音波音中國航天、中國商飛中國航天

13、、中國商飛其他其他27 Nodex、Eurus Energy、First Solar天合光能天合光能（本表格中未注明處，其單位均為：億美元）（本表格中未注明處，其單位均為：億美元）目錄目錄 CONTENTS4功率半導體趨勢：圍繞性能升級，向更高頻高壓領域進發功率半導體趨勢：圍繞性能升級，向更高頻高壓領域進發010203公司橫向對比：各有千秋，時代、斯達、公司橫向對比：各有千秋，時代、斯達、BYD產品優勢凸顯產品優勢凸顯投資建議：投資建議：IGBT賽道和第三代半導體賽道“龍頭低估”賽道和第三代半導體賽道“龍頭低估”&“小而美”“小而美”產品線布局的廣度產品線布局的廣度：聞泰科技、華潤微布局最全（

14、覆蓋80%），士蘭微其次（覆蓋73%）；第三代半導體器件布局趨向全面，九成以上公司布局SiC賽道。產品技術深度：產品技術深度：IGBT：斯達、時代、BYD、士蘭微對標國際英飛凌最新Gen.7；SiC：斯達、時代、BYD領先車規級SiC模塊；GaN：聞泰、三安、華潤微領先8英寸硅基GaN器件。產品議價能力：產品議價能力：時代、BYD、斯達以IGBT模塊產品均價高于百元量級，其他公司均價個位數；一些公司在第三代半導體價格端優勢顯現：泰科天潤SiC二極管均價兩位數，安世GaN晶體管均價上百元，斯達SiC MOSFET模塊均價高達幾千元。實際經營情況：實際經營情況：(1)聞泰科技體量最大，營收達138

15、億元；(2)東微半導人均創收1043萬元，管理效率最高；(3)聞泰科技研發支出最高，高達37億元；(4)圣邦微PMIC盈利能力最強，毛利率高達53%；(5)聞泰科技、蘇州固锝運營能力最強，存貨周轉天數僅45天、48天。持續看好半導體國產替代趨勢持續看好半導體國產替代趨勢，重點關注重點關注IGBT及及SiC布局的布局的相關公司相關公司。隨著車規級IGBT需求驅動以及第三代半導體加速滲透，持續看好IGBT和SiC&GaN布局的“小而美”成長型公司，其中重點關注斯達半導斯達半導、BYD半導半導、時代電氣時代電氣等。同時“龍頭賽道”具備長期配置價值，重點關注聞泰科技聞泰科技、華潤微華潤微、士蘭微士蘭微

16、等。功率半導體分類：功率半導體分類：功率分立器件+功率模塊+功率IC 市場市場結構化演變結構化演變，轉轉向向高頻高壓領域：高頻高壓領域：二極管、三極管、晶閘管主流的MOSFET、IGBT 行業未來發展趨勢：行業未來發展趨勢：（1）內部結構迭代升級；（2）功能模塊集成度升級；（3）寬禁帶材料替代突破硅限一、汽車功能模塊一、汽車功能模塊5一、功率半導體趨勢：圍繞性能升級，向更高頻高壓領域進發一、功率半導體趨勢：圍繞性能升級，向更高頻高壓領域進發功率半導體分類：功率半導體分類：功率分立器件+功率模塊+功率IC早期二極管早期二極管 VS 三極管三極管 VS 晶閘管：晶閘管：開關速度慢，常用于低頻領域主

17、流功率器件主流功率器件MOSFET VS IGBT：向更高頻領域 VS 向更高壓領域；功率器件功率器件結構端演進結構端演進：器件結構迭代性能升級，工藝復雜度提升功率器件產品端演進：功率器件產品端演進：功能集成模塊化，更適用高壓大電流場景功率器件材料端演進功率器件材料端演進：性能突破硅限，SiC、GaN成未來功率新趨勢圖：功率半導體分類及市場規模圖：功率半導體分類及市場規模6功率半導體是電力電子裝置實現電能轉換、電路控制的核心器件，功率半導體是電力電子裝置實現電能轉換、電路控制的核心器件，其主要用途包括變頻、整流、變壓、功率放大、功率控制等。按器件集成度劃分，功率半導體可以分為功率分立器件、功率

18、模塊和功率按器件集成度劃分，功率半導體可以分為功率分立器件、功率模塊和功率IC三大類。三大類。功率半導體分類：功率分立器件功率半導體分類：功率分立器件+功率模塊功率模塊+功率功率IC數據來源：WSTS，Yole，KBV Research，華潤微，長城證券研究院整理421億美元億美元功率半導體功率半導體功率分立器件功率分立器件功率模塊功率模塊功率功率IC136億美元億美元（占（占32%）57億美元億美元（占（占14%）228億美元億美元（占（占54%）二極管二極管晶體管晶體管晶閘管晶閘管97億美元億美元33億美元億美元3億美元億美元BJTMOSFETIGBT第三代半導體第三代半導體1億美元億美元

19、2億美元億美元14億美元億美元3億美元億美元SiC器件器件GaN器件器件5億美元億美元78億美元億美元IGBT模塊模塊其他模塊其他模塊47億美元億美元10億美元億美元線性穩壓器線性穩壓器LDO開關穩壓器開關穩壓器DC-DC28億美元億美元40億美元億美元多通道多通道PMIC50億美元億美元電池管理電池管理IC34億美元億美元其他功率其他功率IC76億美元億美元注：圖中所示市場規模均為注：圖中所示市場規模均為2021年預測數據年預測數據圖：晶閘管原理示意圖：正向觸發導通后，無電流供應仍可保持導通圖：晶閘管原理示意圖：正向觸發導通后，無電流供應仍可保持導通圖：三極管圖：三極管BJTBJT原理示意圖

20、：導通時需有連續電流供應，可實現電流線性放大原理示意圖：導通時需有連續電流供應，可實現電流線性放大圖：二極管原理示意圖：僅可單向導通形成電流圖：二極管原理示意圖：僅可單向導通形成電流7數據來源：東芝，KIA，菱端電子，電子工程網，長城證券研究院整理早期二極管早期二極管 VS 晶閘管晶閘管 VS 三極管：開關速度慢，常用于低頻領域三極管：開關速度慢，常用于低頻領域PN正極正極負極負極PNPN結導通結導通-+-二極管導通，形成電流二極管導通，形成電流I I-+（1 1）正向導通時：）正向導通時：-+-PN正極正極負極負極PNPN結截止結截止-+二極管不導通二極管不導通-+（2 2）反向關斷時：）反

21、向關斷時：-+（1 1）截止狀態）截止狀態0V+3V+0.1VVbe0.7V時時NNP截止截止b b 基極基極e e 發射極發射極c c 集電極集電極+-+-（2 2）線性放大狀態）線性放大狀態0V+3V小電流小電流Ib+1VVbe0.7V時時大電流大電流Ic=IbNNPb b 基極基極e e 發射極發射極c c 集電極集電極-電流電流Ie-（3 3）飽和狀態）飽和狀態0V+3V大電流大電流IbVbeVce時時飽和電流飽和電流IcNNPb b 基極基極e e 發射極發射極c c 集電極集電極電流電流Ie-+5V-J1J3PNNP陽極陽極a a陰極陰極k k控制極控制極g g0V（1 1）晶閘管

22、正向阻斷）晶閘管正向阻斷+12V0V/-5VJ2截止截止+-+-J1截止截止J3截止截止PNNP陽極陽極a a陰極陰極k k控制極控制極g g0V（3 3）晶閘管反向阻斷）晶閘管反向阻斷-12V+5V-+J2+-+-J1J3PNNP陽極陽極a a陰極陰極k k控制極控制極g g0V（2 2）晶閘管觸發導通）晶閘管觸發導通+12V+5VJ2-導通電流導通電流導通電流導通電流觸發電流觸發電流圖：功率器件性能對比：三者均適合低頻領域，開關頻率不高，其中二極管最常見，晶閘管適合圖：功率器件性能對比：三者均適合低頻領域，開關頻率不高，其中二極管最常見，晶閘管適合100100-3000V3000V高壓場景

23、，三極管適合高壓場景，三極管適合1010-700V700V中高壓場景中高壓場景類型類型可控性可控性驅動形式驅動形式工作電壓及頻率工作電壓及頻率特點特點應用領域應用領域二極管二極管不可控型不可控型電流驅動電流驅動/電壓電流較小，電壓電流較小，只能單向導電只能單向導電電子設備、工業電子設備、工業晶閘管晶閘管半控型半控型電壓驅動電壓驅動100100-3000V3000V，10kHz10kHz體積小、體積小、耐壓高，但必需額外設置關斷電路耐壓高，但必需額外設置關斷電路工業、工業、UPSUPS、電焊機、變頻器、電焊機、變頻器三極管三極管全控型全控型電流驅動電流驅動2020-1700V1700V，20kH

24、z20kHz耐壓較高，且導通電阻低，耐壓較高，且導通電阻低，能夠放大電流信號能夠放大電流信號，但，但存在拖尾電流存在拖尾電流，限制開關速度較慢，限制開關速度較慢放大器電路，驅動揚聲器、電動機放大器電路，驅動揚聲器、電動機早期開發的功率分立器件早期開發的功率分立器件 二極管、三二極管、三極管、晶閘管，在結構上都由簡單的極管、晶閘管，在結構上都由簡單的PN結組成，開關速度慢，常用于低頻結組成，開關速度慢，常用于低頻領域。領域。二極管：僅單向導通，是最常見的功率分立器件；晶閘管：可正向觸發導通，具備開關特性；三極管：依靠小電流控制開關通斷，有線性放大功能。圖：圖：MOSFETMOSFET的應用場景：

25、器件開關頻率很高，以高頻中高壓領域為主的應用場景：器件開關頻率很高，以高頻中高壓領域為主圖：圖：MOSFETMOSFET工作原理示意圖：柵極加正電壓，形成工作原理示意圖：柵極加正電壓，形成N N型溝道導通型溝道導通8數據來源：基業常青，英飛凌官網，Yole，CSDN，長城證券研究院整理主流功率器件主流功率器件MOSFET VS IGBT：向更高頻領域：向更高頻領域 VS 更高壓領域更高壓領域頻率范圍（頻率范圍（100-1000KHz）20-100V110-500V500-800V800-1000V1000V以上以上手機手機LCD顯示器顯示器車燈車燈風力發電風力發電高壓變頻器高壓變頻器數碼相機數

26、碼相機電熱水器電熱水器電源電源電焊機電焊機發電設備發電設備電動自行車電動自行車背投電視背投電視電極控制電極控制變頻器變頻器中低壓中低壓MOSFET（500V）高壓高壓MOSFET（500V）圖：圖：IGBTIGBT工作原理示意圖：工作原理示意圖：MOSFET+BJTMOSFET+BJT串聯，導通原理相同，但耐壓更高串聯，導通原理相同，但耐壓更高圖：圖：IGBTIGBT的應用場景：器件耐壓很高，以高壓中低頻領域為主的應用場景：器件耐壓很高，以高壓中低頻領域為主頻率范圍（頻率范圍（100KHz）600V600-1350V1400-2500V2500-6500V內燃機點火器內燃機點火器新能源汽車新能

27、源汽車UPS電源電源軌道牽引軌道牽引數碼相機數碼相機UPS電源電源地鐵、城軌電機驅動地鐵、城軌電機驅動智能電網智能電網（消費電子領域）（消費電子領域）白色家電白色家電太陽能電池、風電太陽能電池、風電大型工業裝備大型工業裝備-電焊機、工業變頻器電焊機、工業變頻器-太陽能電池、風電太陽能電池、風電-超低壓超低壓IGBT低壓低壓IGBT中壓中壓IGBT高壓高壓IGBT(2)(2)導通狀態導通狀態D DVgsVgsth時時NPNNG G 柵極柵極S S 源極源極D D 漏極漏極G G 柵極柵極+-N N型型溝道溝道-N N型型溝道溝道導通電流導通電流(1)(1)關斷狀態關斷狀態D DVgsthVgs0

28、時時NPNNG G 柵極柵極S S 源極源極D D 漏極漏極G G 柵柵極極+-+-+(2)(2)導通狀態導通狀態D DVgsVgsth時時P+PN+N+G G 柵極柵極S S 源源極極D D 漏極漏極G G 柵極柵極+-N N型型溝道溝道-N N型型溝道溝道導通電流導通電流N+N-(1)(1)關斷狀態關斷狀態D DVgsthVgs0時時PN+N+G G 柵極柵極S S 源極源極D D 漏極漏極G G 柵極柵極+-N+N-+-+P+目前主流功率器件為目前主流功率器件為MOSFET和和IGBT，MOSFET開關頻率高，更適用于高頻中高壓領域（開關頻率高，更適用于高頻中高壓領域（100-1000K

29、Hz,20-1200V），），IGBT耐壓很高，更適用于高壓中低頻領域耐壓很高，更適用于高壓中低頻領域（100KHz,600-6500V）。MOSFET具有開關速度快的優點，但高耐壓下導通電阻會很高。IGBT作為MOSFET+BJT結構的復合型器件，相比MOSFET：(1)串聯結構耐壓更高，導通電阻低，(2)能放大電流，(3)但拖尾電流使其開關頻率更低。MOSFETBJTMOSFETBJT+9數據來源：Yole，各公司官網，ET創芯網論壇，長城證券研究院整理功率器件結構端演進：器件結構迭代性能升級，工藝復雜度提升功率器件結構端演進：器件結構迭代性能升級，工藝復雜度提升1970199020102

30、020IGBT結構演進結構演進（1 1）平面型）平面型MOSFETMOSFET（2 2）溝槽型）溝槽型MOSFETMOSFET（3 3）超級結）超級結MOSFETMOSFET（4 4）屏蔽柵）屏蔽柵MOSFETMOSFET1980s1980s1990s1990s2000s2000s1970s1970s電場電場強度強度電場電場強度強度電場電場強度強度電場電場強度強度耐壓耐壓范圍范圍1212-250V250V；低壓（高頻）低壓（高頻）500500-900V900V；高壓（高頻）；高壓（高頻）100100-500V500V；中低壓；中低壓元胞結構元胞結構簡圖簡圖MOSFET演進演進3030-300V

31、300V；中低壓（高頻）；中低壓（高頻）面世時間面世時間耐壓耐壓范圍范圍1212-250V250V；低壓（高頻）低壓（高頻）500500-900V900V；高壓（高頻）；高壓（高頻）100100-500V500V；中低壓（低頻）；中低壓（低頻）3030-300V300V；中低壓（高頻）；中低壓（高頻）雙極型管雙極型管場效應管場效應管BJTIGCTSiC 二極管二極管SiC BJTMOSFETIGBTSJ MOSFETSiC JFETSiC MOSFETGaN HeMTGen.2Max.600V2017Gen.5Max.6500VGen.7Max.7000V晶體管晶體管二極管二極管GTO表面柵結

32、構表面柵結構穿通穿通（PTPT）非穿通非穿通（NPTNPT）場截止場截止（FSFS）縱向結構縱向結構平面柵結構平面柵結構溝槽溝槽柵結構柵結構降低導通壓降、提高開降低導通壓降、提高開關特性、提高擊穿電壓關特性、提高擊穿電壓厚厚度度減減小小第一代第一代平面柵平面柵PTPT第二代第二代（精細）（精細）平面柵平面柵PTPT第四代第四代平面柵平面柵NPTNPT第三代第三代溝槽溝槽柵柵PTPT第五代第五代平面柵平面柵FSFS第六代第六代溝槽溝槽柵柵FSFS第七代第七代微溝槽微溝槽柵柵FSFS工藝尺寸減小工藝尺寸減小1988198819901990199219921997199720012001200320

33、0320182018功率損耗（絕對值）功率損耗（絕對值）1001007474393933332929252551516006006006003300330045004500650065007000700012001200斷態電壓（伏）斷態電壓（伏）Gen1 Gen1 平面柵穿通型平面柵穿通型Gen2 Gen2 精細平面柵穿通精細平面柵穿通Gen3 Gen3 溝槽柵穿通型溝槽柵穿通型Gen4 Gen4 平面柵非穿通平面柵非穿通Gen5 Gen5 平面柵場截止平面柵場截止Gen6 Gen6 溝槽柵場截止溝槽柵場截止Gen7 Gen7 微溝槽柵場截止微溝槽柵場截止通態飽和壓降（伏）通態飽和壓降（伏）

34、3.03.02.82.81.51.51.31.31.01.00.80.82.02.0元胞結構元胞結構簡圖簡圖面世時間面世時間消除消除JFETJFET效應效應圖形精細化圖形精細化區熔襯底降低厚度區熔襯底降低厚度背注緩沖區厚度減薄背注緩沖區厚度減薄背注緩沖區厚度減薄背注緩沖區厚度減薄N-基基N-基基N-基基N-基基N-基基N-基基N-基基N+緩沖區緩沖區襯底襯底襯底襯底襯底襯底襯底襯底N型場截止型場截止N型場截止型場截止耐壓耐壓低頻低頻高頻高頻芯片面積、導通電阻減小芯片面積、導通電阻減小器件耐壓、器件耐壓、工作頻率提高工作頻率提高Gen1.Gen1.平面型平面型 MOSFETMOSFETGen2.

35、Gen2.溝槽型溝槽型 MOSFETMOSFETGen4.Gen4.屏蔽柵屏蔽柵 MOSFETMOSFETGen3.Gen3.超級結超級結 MOSFETMOSFET工作頻率工作頻率低壓低壓高高壓壓中中壓壓工作頻率工作頻率均勻電場均勻電場峰值峰值電場電場 從器件內部結構來看，從器件內部結構來看，MOSFET從“平面型從“平面型溝槽型溝槽型超級結超級結屏蔽柵”的演變，屏蔽柵”的演變，IGBT分別從“穿通分別從“穿通非非穿通穿通場截止”場截止”和“平面柵和“平面柵溝槽柵”的溝槽柵”的 演變，這些優化都在不斷提升器件耐壓、降低損耗和導通電阻。演變，這些優化都在不斷提升器件耐壓、降低損耗和導通電阻。圖：

36、圖：IPM功率模塊的應用案例：經過二極管整流、功率模塊的應用案例：經過二極管整流、PFC模塊、直流母線電容、逆變器模塊，最終實現用于電機可變頻率、可變電壓的交流電模塊、直流母線電容、逆變器模塊，最終實現用于電機可變頻率、可變電壓的交流電10功率模塊數據來源：英飛凌官網，21ic電子網，與非網，長城證券研究院整理功率器件產品端演進：功能集成模塊化，更適用高壓大電流場景功率器件產品端演進：功能集成模塊化，更適用高壓大電流場景 相比單管的功率分立器件，集成度更高的功率模塊和功率相比單管的功率分立器件，集成度更高的功率模塊和功率IC能夠實現高可靠、高集成、高效率的性能，在能夠實現高可靠、高集成、高效率

37、的性能，在高壓大電流場景和消費電子場景應用廣泛。高壓大電流場景和消費電子場景應用廣泛。功率模塊由多個分立的功率單管按特定功能串、并聯組成。相比單管，功率模塊能簡化外部連接電路，更適合高壓和大電流場景，可靠性更高。比如同一制造商的同系列產品，IGBT模塊的最高電壓一般會比IGBT單管高1-2個等級，如果單管產品的最高電壓規格為1700V，則模塊有2500V、3300V乃至更高電壓規格的產品。功率IC通常由功率器件及其驅動電路、保護電路等外圍電路集成而成，主要包括各類電源管理芯片(PMIC)。相比器件單管和功率模組芯片，功率 IC 集成度更高，但適用的電流電壓范圍也較低，多應用于消費電子領域。IP

38、M固定頻率固定頻率固定電壓固定電壓交流電源交流電源直流母線直流母線電容電容可變頻率可變頻率可變電壓可變電壓電機電機整流器整流器PFCPFC校正校正斷續器斷續器 驅動驅動IPM逆變器逆變器驅動驅動斷續器斷續器-+V-+V-+V-+V-+V-+V啟動啟動傳傳感感控控制制傳傳感感控控制制圖：功率半導體應用范圍：圖：功率半導體應用范圍：SiCSiC器件高壓場景，器件高壓場景，GaNGaN器件高頻場景器件高頻場景功率器件材料端演進功率器件材料端演進:性能突破硅限，性能突破硅限，SiC、GaN成未來功率新趨勢成未來功率新趨勢晶晶閘閘管管BJTIGBTMOSFETIGBT模塊模塊SiC 模塊模塊SiCMOS

39、FETGaN MOSFET能能量量10MW1MW100kW10kW1kW100W工作頻率工作頻率10Hz1kHz1MHz空調空調電動汽車電動汽車工業工業船舶電力生產、船舶電力生產、運輸運輸軌道交通軌道交通電網電網冰箱冰箱可關斷型晶閘管可關斷型晶閘管（GTO）風電風電光伏光伏不間斷電源不間斷電源(UPS）圖：半導體材料特性對比：相比圖：半導體材料特性對比：相比SiSi，SiCSiC更耐高溫高壓，更耐高溫高壓，GaNGaN開關頻率高開關頻率高更低損耗：更低損耗：x1/10 x1/10更高耐壓：更高耐壓：x10 x10更高運行溫度：更高運行溫度：x3x3更高開關頻率：更高開關頻率：x10 x10更易

40、冷卻：更易冷卻：x3x3更耐高溫：更耐高溫：x3x3 長期來看，長期來看，相比傳統相比傳統Si基基，寬，寬禁帶材料（禁帶材料（SiC、GaN）能在耐壓和開關頻率上獲得更好的器件性能能在耐壓和開關頻率上獲得更好的器件性能，未來將，未來將逐步替代硅基器件成為高壓高頻應用領域的市場主流。逐步替代硅基器件成為高壓高頻應用領域的市場主流。以電壓場景來分，0-300V 區間內Si材料占據成本方面優勢，600V 以上的高壓區間內SiC占據主要優勢，300V-600V 區間則是GaN材料的優勢領域。SiC器件相對于器件相對于Si器件的優勢主要來自：器件的優勢主要來自：Si 10倍的耐壓，倍的耐壓，1/10的能

41、量損耗、更容易實現小型化、更耐高溫工的能量損耗、更容易實現小型化、更耐高溫工作。作。目前SiC功率器件的種類包括SiC 二極管、SiC MOSFET以及SiC模塊，其中SiC MOSFET模塊甚至能替代硅基IGBT模塊的應用區間。但由于襯底和外延的制造難度，SiC器件成本更高，在中高端場景優勢更明顯，特別是需要高壓、高能量密度應用場景，如充電樁、車載充電機及汽車電驅等。GaN 器件相對于器件相對于Si器件的優勢來自：器件的優勢來自：Si 10倍的開關頻率，更適合高頻率應用場景，但是在高壓高功率場景倍的開關頻率，更適合高頻率應用場景，但是在高壓高功率場景不如不如 SiC。目前GaN功率器件主要以

42、GaN晶體管為主，隨著成本的下降，GaN器件有望在中低功率領域替代二極管、MOSFET 等硅基功率器件。012345熔點熔點103禁帶寬度禁帶寬度eV擊穿電場擊穿電場MV/m電子飽和漂移速度電子飽和漂移速度107cm/s熱導率熱導率W/(cm K)硅硅碳化硅碳化硅氮化鎵氮化鎵數據來源：Yole，英飛凌，意法半導體，OFweek，長城證券研究院整理11一、汽車功能模塊一、汽車功能模塊12二、二、公司橫向對比：各有千秋，時代、斯達、公司橫向對比：各有千秋，時代、斯達、BYD產品優勢凸顯產品優勢凸顯產品線布局：產品線布局：聞泰科技、華潤微布局最全（覆蓋80%），士蘭微其次（覆蓋73%）；整體第三代半

43、導體器件布局趨向全面，其中九成以上的公司布局SiC賽道。最新技術及產能：最新技術及產能：IGBT：斯達、時代、BYD半導、士蘭微對標國際英飛凌最新Gen.7；SiC：時代、斯達、BYD車規級SiC模塊技術領先；GaN：聞泰科技、三安光電、華潤微領先8英寸硅基GaN器件技術。產品議價能力產品議價能力：時代、BYD、斯達IGBT模塊產品議價能力強，均價高于百元量級；泰科天潤（SiC）、聞泰科技（GaN）、斯達半導（SiC MOSFET）第三代半導體價格優勢凸顯。實際經營管理情況實際經營管理情況：(1)聞泰科技市占地位最高，營收達138億元；(2)東微半導人均創收1043萬元，管理效率最高；(3)聞

44、泰科技研發支出最高，高達37億元；(4)圣邦微PMIC盈利能力最強，毛利率高達53%；(5)聞泰科技、蘇州固锝運營能力最強，存貨周轉天數僅45天、48天。一張雷達圖總結重點公司橫向對比13數據來源：iFind，長城證券研究院整理一張圖總結：功率半導體重點公司一張圖總結：功率半導體重點公司8 8大指標橫向對比大指標橫向對比0102030405060708090100產品線布局最新技術議價能力管理效率盈利能力研發支出市占地位運營能力聞泰科技華潤微士蘭微斯達半導新潔能BYD半導時代電氣東微半導14維度一：產品線多樣化布局，究竟孰強孰弱？維度一：產品線多樣化布局，究竟孰強孰弱？圖：各公司功率半導體產品

45、線布局對比：器件從低門檻領域逐漸突破，但各公司目標市場呈現差異化，其中聞泰、華潤微覆蓋產品類型最全，士蘭微其次圖：各公司功率半導體產品線布局對比：器件從低門檻領域逐漸突破，但各公司目標市場呈現差異化，其中聞泰、華潤微覆蓋產品類型最全，士蘭微其次不同公司產品線布局15 從品類布局的廣度來看，從品類布局的廣度來看，目前國內在功率半導體產品布局最完善的廠商是聞泰科技旗下的安世半導體和華目前國內在功率半導體產品布局最完善的廠商是聞泰科技旗下的安世半導體和華潤微，覆蓋到潤微，覆蓋到80%的功率器件品類，的功率器件品類，士蘭微也覆蓋到73%的品類。其中，安世半導體作為全球領先的分立功率半導體IDM龍頭廠商

46、，小信號二極管和晶體管出貨量全球第一、小信號MOSFET全球排名第一、車規級PowerMOS全球排名第二、功率分立器件全球第六，體量優勢最大。整體來看，越來越多公司開始往整體來看，越來越多公司開始往IGBT、SiC器件等高附加值產品切入，第三代半導體器件布局趨向全面，器件等高附加值產品切入，第三代半導體器件布局趨向全面，其中九成以上的公司布局其中九成以上的公司布局SiC賽道。賽道。在SiC方面，在已統計的12家功率公司中，11家公司（占比達92%）有SiC產品布局，其中時代、斯達、BYD等7家（占比達58%）公司在SiC MOSFET產品線上布局。在GaN方面，已有聞泰科技、華潤微、士蘭微、三

47、安光電等6家（占比達50%）公司切入GaN FET產品線。數據來源：公司官網，公司公告，長城證券研究院整理各公司產品線布局對比：聞泰、華潤微品類最全，切入布局三代半各公司產品線布局對比：聞泰、華潤微品類最全，切入布局三代半分類分類細分細分聞泰科技聞泰科技華潤微華潤微 士蘭微士蘭微 揚杰科技揚杰科技 捷捷微電捷捷微電 斯達半導斯達半導新潔能新潔能三安光電三安光電 BYD半導半導 蘇州固锝蘇州固锝 時代電氣時代電氣 東微半導東微半導小信號及功率小信號及功率二極管二極管三極管三極管整流橋整流橋晶閘管晶閘管MOSFET平面型平面型溝槽型溝槽型屏蔽柵屏蔽柵超級結超級結IGBT單管單管模組模組IPMSiC

48、二極管二極管MOSFETGaN二極管二極管FET16維度二：維度二：IGBT/SiC/GaN最新進展，技術各有千秋最新進展，技術各有千秋圖：國內圖：國內IGBT廠商各維度對比分析：從應用領域來看，國產廠商各維度對比分析：從應用領域來看，國產IGBT在家電、工控及新能源領域已有所突破，當前階段各公司在家電、工控及新能源領域已有所突破，當前階段各公司IGBT布局進入車載領域布局進入車載領域17數據來源：公司官網，公司公告，長城證券研究院整理國內國內IGBT最新進展：最新進展：BYD、時代、斯達紛紛趕追英飛凌、時代、斯達紛紛趕追英飛凌Gen.7運營模式運營模式IGBT電壓覆蓋范圍電壓覆蓋范圍IGBT

49、主要應用領域主要應用領域最新技術對標最新技術對標英飛凌代際英飛凌代際IGBT產品最新進展產品最新進展軌軌交交車車載載光光伏伏風風電電工工控控家家電電東微半導東微半導Fabless600-1350VTGBT 第一代第一代650V TGBT芯片的電流密度為芯片的電流密度為400A/cm2，達到國，達到國際主流第七代際主流第七代IGBT技術水平。技術水平。BYD半導體半導體IDM600-1200V第七代第七代 目前公司基于高密度目前公司基于高密度 Trench FS的的 IGBT 5.0 技術已實現技術已實現量產量產時代電氣時代電氣IDM750-6500V第七代第七代 750V車規級逆導車規級逆導I

50、GBT芯片處于樣件試驗階段芯片處于樣件試驗階段斯達半導斯達半導FablessIDM100-3300V第七代第七代 基于第六代基于第六代IGBT技術的技術的1200V IGBT芯片在芯片在12寸產線實現寸產線實現大批量生產大批量生產 基于第七代基于第七代IGBT技術的車規級技術的車規級650V/750V IGBT芯片研發芯片研發成功，預計于成功，預計于2022年開始批量供貨年開始批量供貨士蘭微士蘭微IDM600-1350V第七代第七代 車載車載IGBT已在部分客戶處批量供貨已在部分客戶處批量供貨宏微科技宏微科技Fabless650-1700V第七代第七代 預計預計2022年年750V車規級車規級

51、IGBT開始起量開始起量華微電子華微電子IDM360-1350V第六代第六代 于于2021年年3月推出月推出U系列系列IGBT，功率為，功率為600V，用于工控、，用于工控、電焊機、電焊機、UPS、PFC等等新潔能新潔能Fabless600-1350V第五代第五代 21H1新增新增10余款余款IGBT模塊產品；模塊產品；PIM模塊已送樣模塊已送樣 1700V IGBT產品以及車載產品以及車載IGBT產品處于研發中產品處于研發中華潤微華潤微IDM600-1350V第四代第四代 溝槽溝槽FS-IGBT 1200V 40A產品通過工業級考核并已實現量產品通過工業級考核并已實現量產產揚杰科技揚杰科技I

52、DM650-1200V第四代第四代 基于基于8英寸平臺的英寸平臺的Trench 1200V IGBT芯片完成了系列化芯片完成了系列化的開發工作的開發工作聞泰科技聞泰科技IDM/目前車規級目前車規級IGBT系列產品流片已經完成，正處測試驗證系列產品流片已經完成，正處測試驗證階段階段 在在IGBT領域，國內目前具備領先技術實力、能實現對標英飛凌最新第七代領域，國內目前具備領先技術實力、能實現對標英飛凌最新第七代IGBT的的IDM公司主要有公司主要有BYD半導半導體、時代電氣、斯達半導、士蘭微。體、時代電氣、斯達半導、士蘭微。在在IGBT電壓范圍上，時代電氣電壓范圍上，時代電氣IGBT產品包括從產品

53、包括從750V到到6500V的電壓區間，覆蓋范圍最廣。的電壓區間，覆蓋范圍最廣。從應用場景來看，時代電氣覆蓋750V-6500V電壓，覆蓋范圍最廣，是國內軌交IGBT的龍頭廠商；BYD半導覆蓋600-1200V電壓，是國內供應新能源車規IGBT的龍頭廠商，先發優勢明顯；斯達半導覆蓋100-3300V電壓，在家電領域積累多年，車規級IGBT模塊也已大批量出貨；士蘭微在家電領域為主的IPM模塊市場占據明顯優勢，目前已切入車載領域。圖：國內廠商圖：國內廠商SiC最新進展對比：從應用領域來看，斯達、最新進展對比：從應用領域來看，斯達、BYD、時代在新能源車領域已有、時代在新能源車領域已有SiC模塊應用

54、，其中時代電氣擁有覆蓋全電壓等級的模塊應用，其中時代電氣擁有覆蓋全電壓等級的SiC芯片產品芯片產品國內廠商國內廠商產品類型產品類型參數范圍參數范圍SiC產品具體進展產品具體進展已已上上市市聞泰科技聞泰科技SiC 二極管二極管/碳化硅二極管產品已經出樣。碳化硅二極管產品已經出樣。華潤微華潤微SiC 二極管二極管650V/4-32A；1200V/2-40A 2020年，推出年，推出650V和和1200V工業級工業級SiC SBD產品系列，實現國內首條商用量產的產品系列，實現國內首條商用量產的6英寸英寸SiC晶圓晶圓生產線；生產線；2021年，自主研發平面型年，自主研發平面型1200V SiC MO

55、SFET進入風險量產階段，靜態技術參數性能對標國際進入風險量產階段，靜態技術參數性能對標國際一線品牌；推出第二代一線品牌；推出第二代650V/1200V SiC JBS產品。產品。SiC MOSFET1200V/36A士蘭微士蘭微SiC MOSFET/2021H1，SiC功率器件的中試線實現通線；功率器件的中試線實現通線；2021年，完成車規級年，完成車規級SiC-MOSFET器件的研發，廈門建設一條器件的研發，廈門建設一條6吋SiC功率器件芯片生產線，預功率器件芯片生產線，預計在計在2022Q3實現通線。實現通線。揚杰科技揚杰科技SiC 二極管二極管650V/6-30A；1200V/10-4

56、0A 2022H1，成功開發，成功開發650V 2A-40A、1200V 2A-40A SiC SBD產品，完成批量出貨；產品，完成批量出貨；2022H1，SiC MOSFET產品中，產品中，SiC 1200V 80mohm系列產品，已實現量產；系列產品，已實現量產；預計預計1200V 40mohm的產品將于的產品將于22Q4推出。推出。SiC MOSFET1200V/39A捷捷微電捷捷微電SiC 二極管二極管650V/4-60A；1200V/10-40A 與中科院聯合攻堅車規級與中科院聯合攻堅車規級SiC MOSFET的研發中，擬搭建的研發中，擬搭建800V-1200V車規級車規級SiC M

57、OSFET平臺，平臺，通過通過AEC-Q101可靠性認證且規模量產?？煽啃哉J證且規模量產。斯達半導斯達半導 SiC MOSFET100V/10A；1200V/50-450A；1700V/300A SiC模塊：機車牽引輔助供電系統、新能源汽車行業控制器、光伏行業已有推廣應用；模塊：機車牽引輔助供電系統、新能源汽車行業控制器、光伏行業已有推廣應用；新能源汽車領域，新增多個使用全新能源汽車領域，新增多個使用全SiC MOSFET模塊的模塊的800V系統的主電機控制器項目定點。系統的主電機控制器項目定點。新潔能新潔能SiC MOSFET/1200V 新能源汽車用新能源汽車用SiC MOS平臺開發：平臺

58、開發：1200V SiC MOSFET首次流片驗證完成，產品部分性首次流片驗證完成，產品部分性能達到國內先進水平，尚處于驗證評估階段。能達到國內先進水平，尚處于驗證評估階段。三安光電三安光電SiC 二極管二極管650V/2-100A；1200V/2-100A 2021年，年，SiC二極管在二極管在2021年新開拓送樣客戶超年新開拓送樣客戶超500家，出貨客戶超家，出貨客戶超200家，超家，超60種產品已進入種產品已進入量產階段；量產階段；在在PFC電源、光伏逆變器、車載充電機、家電領域、充電樁及電源、光伏逆變器、車載充電機、家電領域、充電樁及UPS等各細分應用市場標桿客戶等各細分應用市場標桿客

59、戶實現穩定供貨。實現穩定供貨。SiC MOSFET750V；1200V；1700VBYD半導半導 SiC MOSFET1200V/33A；1200V/700-840A(模塊模塊)完成完成1,200V 碳化硅（碳化硅（SiC）MOSFET工藝技術開發；工藝技術開發；SiC 單管主要應用于新能源汽車的充電系單管主要應用于新能源汽車的充電系統和統和 DC-DC 領域；領域；全球首家、國內唯一實現全球首家、國內唯一實現 SiC 三相全橋模塊在新能源汽車電機驅動控制器中大批量裝車的功率三相全橋模塊在新能源汽車電機驅動控制器中大批量裝車的功率半導體企業，已實現半導體企業，已實現 SiC 模塊在新能源汽車高

60、端車型的規?；瘧?。模塊在新能源汽車高端車型的規?；瘧?。時代電氣時代電氣SiC 二極管二極管1200-3300V/10-47A 擁有全套特色先進擁有全套特色先進SiC工藝技術的工藝技術的4英寸及英寸及6英寸兼容的專業英寸兼容的專業SiC芯片制造平臺；芯片制造平臺；擁有全電壓等級（擁有全電壓等級（750V-3300V）MOSFET及及SBD芯片產品，應用于新能源汽車、軌道交通、工芯片產品，應用于新能源汽車、軌道交通、工業傳動等多個領域。業傳動等多個領域。SiC MOSFET1200-3300V/32-60A；1200-3300V/500-1600A(模塊模塊)東微半導東微半導SiC 二極管二極

61、管650V/80-90A 完成完成650V SiC產品工藝與器件設計。產品工藝與器件設計。18數據來源：公司官網，公司公告，長城證券研究院整理國內國內SiC器件最新進展：器件最新進展：BYD、時代、斯達、時代、斯達SiC模塊應用新能源車模塊應用新能源車圖：國內外廠商圖：國內外廠商SiCSiC產能對比分析：國內襯底端（天科合達、天岳先進）、外延端（瀚天天成）廠商布局產能對比分析：國內襯底端（天科合達、天岳先進）、外延端（瀚天天成）廠商布局6 6英寸英寸SiCSiC，器件端廠商也在開發，器件端廠商也在開發6 6英寸英寸SiCSiC芯片產線芯片產線19數據來源：公司官網，公司公告，長城證券研究院整理

62、國內外國內外SiC產能進展：國內產能追趕產能進展：國內產能追趕6英寸，國際邁向英寸，國際邁向8英寸布局英寸布局 在在SiC產能方面，襯底和外延方面國內公司產能以產能方面，襯底和外延方面國內公司產能以4英寸為主，向英寸為主，向6英寸過渡，而國際上已實現英寸過渡，而國際上已實現6英寸商用化，英寸商用化，各龍頭公司紛紛開啟各龍頭公司紛紛開啟8英寸布局，國內產能仍落后一定差距。英寸布局，國內產能仍落后一定差距。廠商廠商所處產業鏈所處產業鏈位置位置現有產能情況現有產能情況產能計劃產能計劃國國內內廠廠商商天科合達天科合達單晶襯底單晶襯底2-4英寸碳化硅晶片產能達英寸碳化硅晶片產能達5833片片/月；月；4

63、-8英寸英寸SiC襯底產能約襯底產能約5833片片/月月碳化硅襯底項目預計可年產碳化硅襯底項目預計可年產6英寸碳化硅襯底英寸碳化硅襯底12萬片，其中萬片，其中6英寸導電型英寸導電型SiC晶片約晶片約8.2萬片，萬片，6英寸半絕緣型英寸半絕緣型SiC晶片約晶片約3.8萬片萬片天岳先進天岳先進單晶襯底單晶襯底SiC襯底產能約襯底產能約5583片片/月月碳化硅半導體材料項目預計碳化硅半導體材料項目預計2022年三季度實現一期項目投產，并計劃于年三季度實現一期項目投產，并計劃于2026年實年實現全面達產，對應現全面達產，對應6英寸導電型英寸導電型SiC襯底產能為襯底產能為30萬片萬片/年；年；河北同光

64、河北同光單晶襯底單晶襯底4-6英寸碳化硅單晶襯底產能英寸碳化硅單晶襯底產能8333片片/月月計劃建設年產計劃建設年產60萬片碳化硅單晶襯底加工基地，預計萬片碳化硅單晶襯底加工基地，預計2025年末實現滿產運營。年末實現滿產運營。露笑科技露笑科技單晶襯底單晶襯底6英寸英寸SiC襯底預計襯底預計2022年底能實現產能年底能實現產能5000片片/月月預計在預計在2023年實現年產年實現年產24萬片導電型萬片導電型SiC襯底、襯底、5萬片外延片的產能規劃萬片外延片的產能規劃瀚天天成瀚天天成外延片外延片6英寸英寸SiC外延片一期產能外延片一期產能5000片片/月月。二期項目二期項目于于2022年年3月月

65、31日順利竣工日順利竣工，產能達產能達16666片片/月月。碳化硅產業園三期項目將于今年年內啟動建設，三期項目產能規模將達碳化硅產業園三期項目將于今年年內啟動建設，三期項目產能規模將達140萬片。萬片。東莞天域東莞天域外延片外延片3英寸英寸、4英寸英寸SiC外延晶片外延晶片產能超產能超1666片片/月月2022年年3月，“國產碳化硅外延設備產業化應用”項目計劃年產月，“國產碳化硅外延設備產業化應用”項目計劃年產2萬片萬片6英寸碳化硅英寸碳化硅外延片外延片斯達半導斯達半導器件器件/模塊模塊/SiC研發及產業化項目，預計達產后將形成年產研發及產業化項目，預計達產后將形成年產36萬片萬片6英寸英寸S

66、iC功率芯片的生產能功率芯片的生產能力；擬投力；擬投2.2947億元建設車規級全億元建設車規級全SIC功率模組生產線和研發測試中心，年產功率模組生產線和研發測試中心，年產8萬顆萬顆泰科天潤泰科天潤IDM4英寸英寸SiC晶圓線產能晶圓線產能666片片/月；一期月；一期6英寸英寸SiC晶晶圓已通線圓已通線，產能產能5000片片/月月2021年，年，6英寸碳化硅電力電子器件生產線進入量產，一期產能預計為英寸碳化硅電力電子器件生產線進入量產，一期產能預計為6萬片萬片/年年華潤微華潤微IDM6英寸英寸SiC晶圓生產線產能約為晶圓生產線產能約為1000片片/月月/時代電氣時代電氣IDM4英寸英寸SiC芯片

67、線芯片線833片片/月月SiC芯片產線擴產項目，建設工期為芯片產線擴產項目，建設工期為24個月，預計建成后將現有個月，預計建成后將現有4英寸英寸SiC芯片線年芯片線年1萬片萬片/年的能力提升到年的能力提升到6英寸英寸SiC芯片線芯片線2.5萬片萬片/年年。三安光電三安光電IDM6英寸英寸SiC晶圓產能晶圓產能6,000片片/月月湖南三安一期項目完成建設并順利投產，目前湖南三安一期項目完成建設并順利投產，目前6英寸碳化硅晶圓產能達英寸碳化硅晶圓產能達30000片片/月月士蘭微士蘭微IDM已實現已實現SiC功率器件中試線通線功率器件中試線通線士蘭明鎵擬建設一條士蘭明鎵擬建設一條6吋SiC功率器件芯

68、片生產線，建設周期功率器件芯片生產線，建設周期3年，最終形成年產年，最終形成年產14.4萬片萬片6吋SiC功率器件芯片的產能功率器件芯片的產能國國外外廠廠商商WolfspeedIDM預計預計2022年年SiC襯底產能折合襯底產能折合6英寸達到英寸達到7.1萬片萬片/月月紐約的全球第一座紐約的全球第一座8英寸英寸SiC晶圓廠預計在晶圓廠預計在2022年第三季度量產。年第三季度量產。-IDMSiC襯底產能折合襯底產能折合6英寸達到英寸達到16666片片/月月，計劃計劃5年內年內6英寸晶圓產能擴張英寸晶圓產能擴張5-10倍，倍，8英寸襯底英寸襯底2024年量產。年量產。RohmIDM預計預計2025

69、年擴產年擴產SiC襯底產能至襯底產能至30-40萬片萬片預計預計2023年量產年量產8英寸，計劃到英寸，計劃到2025年投資年投資850億日元，使產能提升億日元，使產能提升16倍。倍。圖：國內廠商圖：國內廠商GaN最新進展對比：從進展來看，聞泰科技、三安光電、華潤微均已有產品進入量產階段，其他公司產品當前處于研發、驗證階段中最新進展對比：從進展來看，聞泰科技、三安光電、華潤微均已有產品進入量產階段，其他公司產品當前處于研發、驗證階段中國內廠商國內廠商產品類型產品類型參數范圍參數范圍GaN產品具體進展產品具體進展已已上上市市聞泰科技聞泰科技GaN FET 650V/34.5-60A 已推出硅基氮

70、化鎵功率器件已推出硅基氮化鎵功率器件(GaN FET)，已通過，已通過AECQ認證測試并實現量產，并協同產業合作認證測試并實現量產，并協同產業合作伙伴完成了伙伴完成了GaN在電動車逆變器、電控、電源等方案的設計工作。在電動車逆變器、電控、電源等方案的設計工作。華潤微華潤微GaN FET 650V/8-37A；900V/23A 自主研發的第一代自主研發的第一代650V硅基氮化鎵硅基氮化鎵D-mode器件樣品靜態參數達到國外對標水平，完成三批量器件樣品靜態參數達到國外對標水平，完成三批量1000小時可靠性考核，進入轉量產階段；小時可靠性考核，進入轉量產階段；自主研發的第一代自主研發的第一代650V

71、硅基氮化鎵硅基氮化鎵E-mode器件性能達標，器件封裝開發完成。器件性能達標，器件封裝開發完成。士蘭微士蘭微GaN 器件器件/硅基硅基GaN化合物功率半導體器件的研發取得較大進展，已有工程樣品供內部評價?；衔锕β拾雽w器件的研發取得較大進展，已有工程樣品供內部評價。捷捷微電捷捷微電GaN 器件器件/完成高穩定大電流完成高穩定大電流Si基基GaN增強型場效應晶體管，以及高耐壓大電流、低開啟增強型場效應晶體管，以及高耐壓大電流、低開啟Si基基GaN功率二功率二極管的研究；極管的研究；設計開發額定電壓設計開發額定電壓100V600V的大電流的大電流Si基基GaN電力電子器件全套研制流程。電力電子器

72、件全套研制流程。新潔能新潔能GaN HEMT/650V E-Mode GaN HEMT首次流片驗證完成，產品部分性能達到國內先進水平，尚處于驗證首次流片驗證完成，產品部分性能達到國內先進水平，尚處于驗證評估中。評估中。三安光電三安光電GaN 器件器件650V/5-20A 完成約完成約60家客戶工程送樣及系統驗證，家客戶工程送樣及系統驗證，24家進入量產階段，產品性能優越。家進入量產階段，產品性能優越。20數據來源：公司官網，公司公告，長城證券研究院整理國內國內GaN器件最新進展：聞泰、三安、華潤微硅基器件最新進展：聞泰、三安、華潤微硅基GaN技術量產技術量產 在在GaN器件領域，國內目前相關產

73、品進展最快的是聞泰科技，其次是三安光電和華潤微，均進入量產階段。器件領域，國內目前相關產品進展最快的是聞泰科技，其次是三安光電和華潤微，均進入量產階段。國內廠商陸續布局氮化鎵領域，主要完成研發、驗證階段，其中聞泰科技、三安光電、華潤微產品已實現量產。在在參數范圍上，聞泰科技參數范圍上，聞泰科技GaN器件覆蓋器件覆蓋650V等級的等級的34.5-60A電流區間，車規驗證產品技術領先。電流區間，車規驗證產品技術領先。從參數范圍來看，聞泰科技旗下的安世半導體硅基GaN器件覆蓋650V 34.5-60A的更大電流值區間，具備領先技術實力、已通過AECQ認證測試并實現量產；華潤微自主研發硅基GaN FE

74、T可覆蓋650V、900V電壓級別；三安光電可覆蓋650V 5-20A區間。圖：國內外圖：國內外GaNGaN廠商產能對比分析：從國內來看，三安光電、華潤微等國產廠商集中在廠商產能對比分析：從國內來看，三安光電、華潤微等國產廠商集中在8 8英寸硅基氮化鎵外延片上有產能突破，國際上已開始量產英寸硅基氮化鎵外延片上有產能突破，國際上已開始量產GaNGaN襯底。襯底。21數據來源：公司官網，公司公告，長城證券研究院整理國內外國內外GaN產能進展：國內布局產能進展：國內布局8英寸外延片，國際英寸外延片，國際GaN襯底量產襯底量產 在在GaN產能方面，國內主要布局產能方面，國內主要布局8英寸硅基英寸硅基G

75、aN外延片產能，國際開始往外延片產能，國際開始往GaN襯底量產方向拓展。襯底量產方向拓展。目前國產主要廠商產能布局8英寸硅基GaN外延片，其中三安光電硅基GaN產能領先，能達到1000片/月產能。國際上住友電氣、三菱等龍頭公司已開始量產GaN襯底，下一步產能計劃均布局6英寸GaN單晶襯底。廠商廠商所處產業所處產業鏈位置鏈位置現有產能情況現有產能情況產能計劃產能計劃國國內內廠廠商商賽微電子賽微電子IDM8英寸英寸GaN外延晶圓產能達到外延晶圓產能達到833片片/月月“青州聚能國際硅基氮化鎵功率器件半導體制造項目”規劃最終形“青州聚能國際硅基氮化鎵功率器件半導體制造項目”規劃最終形成總體產能成總體

76、產能60,000片片/年，一期產能年，一期產能30,000片片/年年聞泰科技聞泰科技IDM/英國英國8英寸硅基氮化鎵器件生產線即將生產英寸硅基氮化鎵器件生產線即將生產士蘭微士蘭微IDM已打通一條已打通一條6英寸硅基氮化鎵功率器件中試線英寸硅基氮化鎵功率器件中試線。2018年年10月，月，12英寸芯片生產線暨先進化合物半導體生產線正式開英寸芯片生產線暨先進化合物半導體生產線正式開工。在廈門規劃建設一條工。在廈門規劃建設一條4/6英寸兼容先進化合物半導體器件（第三英寸兼容先進化合物半導體器件（第三代功率半導體、光通訊器件、高端代功率半導體、光通訊器件、高端LED芯片）生產線芯片）生產線蘇州能訊蘇州

77、能訊IDM4英寸英寸GaN晶圓產能為晶圓產能為2083片片/月月計劃計劃 2022 年建設第二工廠規劃為年建設第二工廠規劃為 8 寸氮化鎵工廠，兼容寸氮化鎵工廠，兼容 GaN-on-SiC 與與 GaN-on-Si華潤微華潤微IDM擁有擁有8英寸硅基氮化鎵生產線英寸硅基氮化鎵生產線華潤微規劃建設的化合物半導體項目華潤微規劃建設的化合物半導體項目,判斷生產線主要是判斷生產線主要是GaN工藝。工藝。該項目將分兩期實施該項目將分兩期實施,其中一期項目投資其中一期項目投資20億元億元,二期投資二期投資30億元億元英諾賽科英諾賽科IDM8英寸硅基氮化鎵生產線產能達到英寸硅基氮化鎵生產線產能達到10000

78、片片/月月8英寸硅基氮化鎵的產能預計將擴張至每月英寸硅基氮化鎵的產能預計將擴張至每月70000片以上片以上三安光電三安光電IDM硅基氮化鎵產能硅基氮化鎵產能1000片片/月月湖南三安一期項目產能還在持續釋放中湖南三安一期項目產能還在持續釋放中江蘇能華江蘇能華IDM已有已有6英寸硅基英寸硅基GaN功率器件生產線和功率器件生產線和8英寸英寸GaN外延生產線外延生產線 預計二廠建成投產后，氮化鎵月產能達預計二廠建成投產后，氮化鎵月產能達3萬片萬片國國外外廠廠商商住友電氣住友電氣IDM2022年開始量產年開始量產4英寸功率半導體用單晶襯底英寸功率半導體用單晶襯底。從從2022-2023年在日本擴展全新

79、的生產設備，年在日本擴展全新的生產設備，2024年前后將在日本全年前后將在日本全面擴展面擴展4英寸襯底所需的生產體系，產能未定；已成功制作英寸襯底所需的生產體系，產能未定；已成功制作6英寸英寸GaN襯底，并加快量產技術的建立襯底，并加快量產技術的建立三菱三菱IDM量產量產4英寸襯底英寸襯底，2022年年4月開始供應月開始供應4英寸英寸GaN單晶襯底單晶襯底正在開發正在開發6英寸的英寸的GaN產品產品22維度三：各產品價格對比，議價能力或見分曉維度三：各產品價格對比，議價能力或見分曉23功率龍頭公司器件單價對比：時代、功率龍頭公司器件單價對比：時代、BYD、斯達、斯達IGBT定價領先定價領先數據

80、來源：各公司年報，長城證券研究院整理 整體來看，主營功率器件越高端，產品平均單價越高，其中時代、整體來看，主營功率器件越高端，產品平均單價越高，其中時代、BYD、斯達、斯達IGBT模塊定價領先，均價高模塊定價領先，均價高于百元量級。于百元量級。從年報數據預測價格來看，相比其他公司，時代電氣、BYD半導、斯達半導這三家以IGBT模塊為主營業務的公司均價都在高于百元的量級，而主營MOSFET、晶閘管、二極管等功率器件業務的公司均價都在個位數水平。這一方面主要來源于模塊產品與單管產品價格的差異，另一方面也來源于IGBT的高附加值。從從IGBT模塊模塊產品定價梯度來看，時代電氣產品定價最高，產品定價梯

81、度來看，時代電氣產品定價最高，IGBT模塊單價高達近千元。模塊單價高達近千元。從IGBT模塊定價來看，各梯度劃分來源于應用范圍上的差異：時代電氣以軌交應用為主，IGBT模塊均價高達近千元，BYD半導則集中在車規應用，IGBT模塊均價400+元，而斯達半導以家用電器領域為主，IGBT模塊均價100+元。從從MOSFET、晶閘管、二極管等、晶閘管、二極管等各類功率器件來看，東微半導定價最高各類功率器件來看，東微半導定價最高，達到，達到2.84元元/顆。顆。這主要來源于其在高壓超級結MOSFET、中低壓溝槽柵MOSFET以及超級硅MOSFET等主營產品上的技術領先優勢，以及在新能源車、光伏等領域的應

82、用優勢。（注：圖表中平均單價均來源于（注：圖表中平均單價均來源于20212021年度公司年報數據測算）年度公司年報數據測算）181.66416.04967.0101002003004005006007008009001,000斯達半導BYD半導時代電氣平均平均IGBT模塊單價測算（元模塊單價測算（元/模塊）模塊）0.070.130.140.240.310.671.632.840.00.51.01.52.02.53.0揚杰科技蘇州固锝聞泰科技捷捷微電華潤微新潔能士蘭微東微半導各類功率器件平均單價測算（元各類功率器件平均單價測算（元/顆）顆）IGBT模塊模塊MOSFET晶閘管、二極管等晶閘管、二極

83、管等24功率龍頭公司單管價格橫向對比：士蘭微全品類價格優勢凸顯功率龍頭公司單管價格橫向對比：士蘭微全品類價格優勢凸顯數據來源：元器件分銷商網站，長城證券研究院整理 相比于年報測算價格，經銷商對于消費者的定價普遍在更高水平，這主要來源于終端銷售的溢價。相比于年報測算價格，經銷商對于消費者的定價普遍在更高水平，這主要來源于終端銷售的溢價。其中，IGBT單管均價與年報測算價格呈現出近1:12的倍數關系，主要由單管與模塊單管數量上帶來的價格差異所致。整體來看，同樣呈現出器件越高端，價格越高的趨勢。同時，士蘭微在功率分立器件全品類的價格優勢凸整體來看，同樣呈現出器件越高端，價格越高的趨勢。同時，士蘭微在

84、功率分立器件全品類的價格優勢凸顯。顯。細分各品類中，在各類二極管和三極管方面，士蘭微均價最高；在MOSFET方面，東微半導均價最高，華潤微、士蘭微位居二、三名，在IGBT方面，斯達半導單管均價最高，其次是華潤微、士蘭微。其中，士蘭微覆蓋超結MOSFET、IGBT、FRD、高性能低壓分離柵MOSFET等分立器件的技術平臺，產品性能達業內領先水平，在分立器件的全品類里均能占據一定的定價優勢。（注：圖表中各品類器件單價均來源于零售商安富利數據）（注：圖表中各品類器件單價均來源于零售商安富利數據）0.00.51.01.52.02.53.0揚杰科技芯導蘇州固锝安世半導體捷捷微電華微電子士蘭微各類二極管平

85、均單價（元各類二極管平均單價（元/顆）顆）0.01.02.03.04.05.06.0銀河微電蘇州固锝芯導揚杰科技捷捷微電新潔能華微電子士蘭微華潤微東微半導MOSFET平均單價（元平均單價（元/顆）顆）0.00.51.01.52.0揚杰科技芯導安世半導體華微電子士蘭微三極管平均單價（元三極管平均單價（元/顆）顆）0.05.010.015.0華微電子士蘭微華潤微斯達半導IGBT單管平均單價（元單管平均單價（元/顆）顆）25各公司各公司三代半三代半器件價格對比：斯達、聞泰、泰科天潤布局優勢凸顯器件價格對比：斯達、聞泰、泰科天潤布局優勢凸顯數據來源：元器件分銷商網站，長城證券研究院整理 整體來看，同樣

86、呈現出器件越高端，價格越高的趨勢，整體來看，同樣呈現出器件越高端，價格越高的趨勢，SiC MOSFET模塊價格可高達上千元。模塊價格可高達上千元。SiC二極管均價達兩位數，GaN晶體管均價上百元，SiC MOSFET模塊均價甚至高達上千元，主要由于模塊內包含多個SiC二極管和SiC MOSFET單管的組合價格所致。國內廠商泰科天潤、斯達半導、聞泰科技布局第三代半導體，表現出比硅基器件高一個量級的價格端優勢。國內廠商泰科天潤、斯達半導、聞泰科技布局第三代半導體，表現出比硅基器件高一個量級的價格端優勢。在SiC二極管方面，國內廠商泰科天潤均價達到11元/顆，高于普通硅基二極管均價；在SiC MOS

87、FET模塊方面，斯達半導均價達到3775元/模塊，明顯高于硅基IGBT模塊均價；在GaN晶體管方面，聞泰科技旗下的安世半導體單管均價達到117元/顆，明顯高于硅基IGBT單管價格。國內產品相比于國際龍頭廠商單價更低，主要可能來源于國產替代的成本價格優勢及國際競品的性能優勢。國內產品相比于國際龍頭廠商單價更低，主要可能來源于國產替代的成本價格優勢及國際競品的性能優勢。（注：圖表中各品類器件單價均來源于零售商數據）（注：圖表中各品類器件單價均來源于零售商數據）11.3965.8201020304050607080泰科天潤安森美SiC二極管平均單價（元二極管平均單價（元/顆）顆）117.55141.

88、61020406080100120140160180200安世半導體英飛凌GaN晶體管平均單價（元晶體管平均單價（元/顆）顆）3775.514786.628549.7901,0002,0003,0004,0005,0006,0007,0008,0009,00010,000斯達半導英飛凌羅姆SiC MOSFET模塊平均單價（元模塊平均單價（元/模塊）模塊）26維度四維度四&五：公司經營情況之市占地位五：公司經營情況之市占地位&管理效率管理效率27數據來源：iFind，長城證券研究院整理各公司財務數據對比：聞泰科技市占地位最高，東微人均產值最高各公司財務數據對比：聞泰科技市占地位最高，東微人均產值

89、最高138.03101.5861.0640.1222.3817.4815.9515.3314.9413.5113.0110.687.82050100150聞泰科技華潤微士蘭微揚杰科技圣邦微捷捷微電 斯達半導 三安光電新潔能BYD半導 蘇州固锝 時代電氣 東微半導功率半導體營收（億元）功率半導體營收（億元）從功率半導體板塊的營收來看，目前市占地位最高的是聞泰科技，以從功率半導體板塊的營收來看，目前市占地位最高的是聞泰科技，以138億元位列第一，其次是華潤微、士億元位列第一，其次是華潤微、士蘭微，分別有蘭微，分別有102億元、億元、61億元的規模。億元的規模。主要原因對應于其產品線布局最全，其中，

90、聞泰科技旗下的安世半導體是全球領先的功率芯片IDM龍頭廠商，擁有近1.6萬種產品料號。不僅與國內重點的新能源汽車、電網電力、通訊等領域企業均建立了深度的合作關系，在2021年安世躋身全球第六大功率半導體公司，相比2020年上升三位，并穩居國內功率半導體公司第一名位置。從人均從人均創收來看，東微半導以創收來看，東微半導以1043萬元排名萬元排名最高，其次是新潔能，以最高，其次是新潔能，以487萬元位列第二。萬元位列第二。值得一提的是，人均創收前二的企業均為以設計業務為主的Fabless公司，相比IDM公司，其總員工人數更少，管理效率更高，員工的生產效率更高。（注：圖表中均為（注：圖表中均為202

91、12021年度數據）年度數據）166.6102.9104.6102.9260.9100.2165.567.5486.576.6142.1195.51042.805001,0001,500010000200003000040000聞泰科技華潤微士蘭微揚杰科技圣邦微捷捷微電 斯達半導 三安光電新潔能BYD半導 蘇州固锝 時代電氣 東微半導員工人數（人）員工人數（人）人均產值（萬元人均產值（萬元/人）人）28維度六維度六&七：公司經營情況之研發支出七：公司經營情況之研發支出&盈利能力盈利能力29數據來源：iFind，長城證券研究院整理各公司財務數據對比：聞泰研發投入最高，圣邦微盈利能力最強各公司財務

92、數據對比：聞泰研發投入最高，圣邦微盈利能力最強 從研發支出來看，聞泰科技由于收入體量最大，其研發費用也以從研發支出來看，聞泰科技由于收入體量最大，其研發費用也以37億元高居榜首，其次是時代電氣。億元高居榜首，其次是時代電氣。其中，2021年聞泰科技在半導體業務研發投入8.37億元，在第三代半導體方面也已布局，目前推出的硅基氮化鎵功率器件(GaN FET)已通過AECQ認證測試并實現量產；碳化硅二極管產品也已經出樣。而時代電氣不僅有車規級、軌交級IGBT模塊產品，同樣布局車規級SiC模塊，擁有全電壓等級（750V-3300V）SiC MOSFET及SBD芯片產品，應用于新能源汽車、軌道交通、工業

93、傳動等多個領域，在研發支出上也有較高投入。從功率半導體板塊毛利率來看，大多數公司的毛利率在從功率半導體板塊毛利率來看，大多數公司的毛利率在35%-40%區間。其中，區間。其中，盈利盈利能力最強的是圣邦微，毛能力最強的是圣邦微，毛利率高達利率高達53%，主要原因在于公司的產品結構以，主要原因在于公司的產品結構以PMIC等高附加值產品為主。等高附加值產品為主。而捷捷微電以47%的毛利率緊隨其后，這主要是由于售價端的拉動，公司的產品雖然以晶閘管為主，但其可靠性與國外產品相當，且相對國外產品性價比更高，在行業內具有一定的定價權，能夠維持產品的高毛利率。（注：圖表中均為（注：圖表中均為20212021年

94、度數據）年度數據）37.00 7.13 6.28 2.42 3.78 1.32 1.10 11.46 0.80 2.71 1.03 17.85 0.41 02550聞泰科技華潤微士蘭微揚杰科技圣邦微捷捷微電 斯達半導 三安光電新潔能BYD半導 蘇州固锝 時代電氣 東微半導研發支出（億元）研發支出（億元）39%35%36%35%53%47%37%34%39%38%23%20%29%0%20%40%60%聞泰科技華潤微士蘭微揚杰科技圣邦微捷捷微電 斯達半導 三安光電新潔能BYD半導蘇州固锝 時代電氣 東微半導功率半導體板塊毛利率（功率半導體板塊毛利率（%）30維度八：公司經營情況之運營能力維度八：

95、公司經營情況之運營能力3145 86 155 84 122 96 115 189 68 93 48 144 91 694384932077779533977816646020406080100120140160180200聞泰科技華潤微士蘭微揚杰科技圣邦微捷捷微電 斯達半導 三安光電新潔能BYD半導蘇州固锝 時代電氣 東微半導平均存貨周轉天數（天）平均存貨周轉天數（天）平均應收賬款周轉天數（天）平均應收賬款周轉天數（天）數據來源：iFind，長城證券研究院整理各公司財務數據對比：各公司財務數據對比：聞泰科技、蘇州固锝運營能力最強聞泰科技、蘇州固锝運營能力最強 從平均存貨周轉天數來看，庫存變現周

96、期最短的是聞泰科技從平均存貨周轉天數來看，庫存變現周期最短的是聞泰科技(45天天)，其次是蘇州固锝，其次是蘇州固锝(48天天)，公司存貨管理，公司存貨管理水平最高，運營能力強。水平最高，運營能力強。聞泰科技、蘇州固锝由于產品應用領域結構不同，公司應用于消費級產品的生命周期較一般應用于工業終端的產品相對更短，市場需求量大，相應的存貨放置期也較短，從而存貨余額相對較低。橫向比較中，三安光電的庫存變現需要時間最長，存貨減值風險較高。從平均應收賬款周轉天數來看，應收賬款變現速度最快的是圣邦微從平均應收賬款周轉天數來看，應收賬款變現速度最快的是圣邦微(20天天)和新潔能（和新潔能（33天）。天）。圣邦微

97、主要功率IC產品和管理效率在業界屬于領先水平，且客戶結構以經銷商為主（占比94.97%），應收賬款周轉天數進而降低。新潔能在溝槽MOS，屏蔽柵SGT-MOS和超結SJ-MOS等高附加值的MOSFET產品具備技術領先優勢，是國內率先掌握超結理論技術，最早同時擁有溝槽型功率MOSFET、超結功率MOSFET、SGTMOSFET產品平臺的本土企業，行業地位高，對上下游更有話語權。（注：圖表中均為（注：圖表中均為20192019-20212021年度平均數據）年度平均數據）32三、投資建議：三、投資建議：IGBT賽道和第三代半導體賽道“龍頭低估”賽道和第三代半導體賽道“龍頭低估”&“小而美”小而美”碳

98、碳化化硅硅器器件件SiC 二極管二極管SiC MOSFET聞泰科技聞泰科技揚杰科技揚杰科技華潤微華潤微BYD半導半導時代電氣時代電氣斯達半導斯達半導斯達半導斯達半導BYD半導半導時代電氣時代電氣硅硅基基器器件件二極管二極管晶閘管晶閘管BJTMOSFETIGBT揚杰科技揚杰科技捷捷微電揚杰科技揚杰科技士蘭微士蘭微新潔能新潔能聞泰科技聞泰科技華潤微華潤微功功率率模模塊塊及及IC功率模塊功率模塊功率功率IC斯達半導斯達半導時代電氣時代電氣BYD半導半導圣邦微圣邦微氮氮化化鎵鎵器器件件GaN HEMT三安光電三安光電士蘭微士蘭微聞泰科技聞泰科技 持續看好半導體國產替代趨勢持續看好半導體國產替代趨勢，重

99、點關注重點關注IGBT及及SiC&GaN布局的相關公司布局的相關公司。隨著車規級IGBT需求驅動以及第三代半導體加速滲透，持續看好IGBT和SiC&GaN布局的“小而美”成長型公司，其中重點關注斯達半導斯達半導、BYD半導半導、時代電氣時代電氣等。同時“龍頭賽道”具備長期配置價值，重點關注聞泰科技聞泰科技、華潤微華潤微、士蘭微士蘭微等。公司簡介公司簡介揚杰科技、圣邦微揚杰科技、圣邦微33主要產品：主要產品：功率二極管整流橋SGT MOSSiC SBD應用領域：應用領域：消費電子安防工控汽車電子公司集研發公司集研發、生產生產、銷售于一體銷售于一體，專業致力于功率專業致力于功率半導體硅片半導體硅片

100、、芯片及器件制造芯片及器件制造、集成電路封裝測試集成電路封裝測試等中高端領域的產業發展等中高端領域的產業發展。14.7018.5220.0726.1743.9714.18-5515253545201720182019202020212022Q1營業總收入(億元）凈利潤（億元）主要產品：主要產品：功率器件功率模塊MEMS傳感器光電器件應用領域：應用領域：白色家電工業控制新能源汽車光伏0102030405020172018201920202021H1器件集成電路發光二極管其他業務其他主營業務功率半導體：功率半導體：21H1自主研發的V代IGBT車規模塊，已在國內多家客戶通過測試，并在部分客戶開始批

101、量供貨主要產品：主要產品：運算放大器LDODC/DC轉換器應用領域：應用領域：消費電子通信工控醫療設備物聯網公司是一家專注于高性能公司是一家專注于高性能、高品質模擬集成電路芯高品質模擬集成電路芯片設計及銷售的高新技術企業片設計及銷售的高新技術企業。公司產品涵蓋信號公司產品涵蓋信號鏈和電源管理兩大領域鏈和電源管理兩大領域。6 6月月6 6日日，揚杰科技發揚杰科技發布公告：公司將以布公告：公司將以2 2.9595億元收購中電科億元收購中電科四十八所持有的楚微四十八所持有的楚微半導半導4040%股權股權。若此次交易實施，將成為楚微半導第一大股東。楚微半導體二期計劃增加1條月產3萬片的8寸硅基芯片生產

102、線和1條月產0.5萬片的6寸SiC芯片生產線，預計2024年底前建成。公司發布公司發布2022年半年度年半年度報告：報告：2022H1公司實公司實現營業收入現營業收入16.51億元億元，同比增長同比增長80.39%；實現歸母凈利潤5.40億元，同比增長107.30%；實現扣非凈利潤5.31億元，同比增長135.48%。2022H1公司實現毛利率59.78%，同比增長8.56pct；實現凈利率32.35%，同 比 增 長4.25pct。數據來源：iFind，長城證券研究院整理行業龍頭梳理：揚杰科技行業龍頭梳理：揚杰科技 圣邦微圣邦微05101520253035404550201720182019

103、20202021半導體功率器件分立器件芯片半導體硅片其他業務051015202520172018201920202021電源管理產品信號鏈產品技術服務5.325.727.9211.9722.387.750510152025201720182019202020212022Q1營業總收入(億元）凈利潤（億元）功率器件功率器件揚杰科技：穩健成長的揚杰科技：穩健成長的IDMIDM功率龍頭廠商功率龍頭廠商收購楚微半導，新增布局收購楚微半導，新增布局8 8寸線及寸線及SiCSiC產線產線圣邦微：乘風起航的模擬芯片龍頭圣邦微：乘風起航的模擬芯片龍頭“電源管理“電源管理+信號鏈”組合，推動業績高增長信號鏈”組

104、合，推動業績高增長公司簡介公司簡介揚杰科技、圣邦微揚杰科技、圣邦微34主要產品：主要產品：功率器件功率模塊MEMS傳感器光電器件應用領域：應用領域：白色家電工業控制新能源汽車光伏公司經營范圍包括：電子元器件公司經營范圍包括：電子元器件、電子零部件及其電子零部件及其他電子產品設計他電子產品設計、制造制造、銷售；機電產品進出口銷售；機電產品進出口。14.7018.5220.0726.1743.9714.18-5515253545201720182019202020212022Q1營業總收入(億元）凈利潤（億元）主要產品：主要產品：功率器件功率模塊MEMS傳感器光電器件應用領域：應用領域：白色家電工

105、業控制新能源汽車光伏0102030405020172018201920202021H1器件集成電路發光二極管其他業務其他主營業務功率半導體：功率半導體：21H1自主研發的V代IGBT車規模塊，已在國內多家客戶通過測試，并在部分客戶開始批量供貨主要產品：主要產品：MOSFETIGBT應用領域：應用領域：消費電子汽車電子工業電子物聯網光伏公司為國內公司為國內MOSFET產品系列最全的產品系列最全的Fabless企業企業之一之一，MOSFET和和IGBT覆蓋電壓覆蓋電壓12-1700V，覆蓋覆蓋電流電流0.1-450A。4月月30日公司通過董日公司通過董事會決議公告事會決議公告，擬通擬通過子公司士蘭

106、集昕投過子公司士蘭集昕投資建設資建設“年產年產36萬片萬片12英寸芯片生產線項英寸芯片生產線項目目”。該項目總投資為39億元，資金來源為企業自籌，建設周期為3年；擴建后，疊加士蘭集科12英寸線6萬片/月的產能，公司12英寸線總產能將達9萬片/月。對于第三代半導體方對于第三代半導體方面面，公 司 順 利 開 發公 司 順 利 開 發1200V新能源汽車用新能源汽車用SiC MOS平臺平臺，完成完成首次流片驗證首次流片驗證。公司擬募集資金布局SiC/GaN功率器件及封測、功率驅動IC及智能功率模塊(IPM)、SiC/IGBT/MOSFET等功率集成模塊(含車規級)。數據來源：iFind，長城證券研

107、究院整理行業龍頭梳理行業龍頭梳理:士蘭微士蘭微 新潔能新潔能0510152025303540455020172018201920202021半導體功率器件分立器件芯片半導體硅片其他業務5.325.727.9211.9722.387.750510152025201720182019202020212022Q1營業總收入(億元）凈利潤（億元）功率器件功率器件士蘭微：加速發展的功率士蘭微：加速發展的功率IDMIDM領先廠商領先廠商1212英寸產線新規劃，助力產能釋放英寸產線新規劃，助力產能釋放新潔能：進擊的新潔能：進擊的MOSFETMOSFET領先設計廠商領先設計廠商產品持續迭代升級，積極布局第三代

108、半導體產品持續迭代升級，積極布局第三代半導體27.4230.2631.1142.8171.9420.01-20020406080201720182019202020212022Q1營業總收入(億元）凈利潤（億元）5.047.167.739.5514.984.2105101520201720182019202020212022Q1營業總收入(億元）凈利潤（億元）0102030405060708020172018201920202021器件集成電路發光二極管其他主營業務其他業務024681012141620172018201920202021功率器件-MOSFET芯片-MOSFET其他業務公司簡介

109、公司簡介揚杰科技、圣邦微揚杰科技、圣邦微35主要產品：主要產品：模擬和邏輯ICMOSFET/二極管光學模組通信ODM應用領域：應用領域：消費電子汽車電子工業醫療公司具備從半導體芯片設計公司具備從半導體芯片設計、晶圓制造晶圓制造、封裝測試封裝測試，到應用終端產品研發制造于一體的全產業鏈布局到應用終端產品研發制造于一體的全產業鏈布局。旗下的安世半導體是全球知名的半導體旗下的安世半導體是全球知名的半導體IDM公司公司。14.7018.5220.0726.1743.9714.18-5515253545201720182019202020212022Q1營業總收入(億元）凈利潤（億元）主要產品：主要產品

110、：功率器件功率模塊MEMS傳感器光電器件應用領域：應用領域：白色家電工業控制新能源汽車光伏0102030405020172018201920202021H1器件集成電路發光二極管其他業務其他主營業務功率半導體：功率半導體：21H1自主研發的V代IGBT車規模塊，已在國內多家客戶通過測試，并在部分客戶開始批量供貨主要產品：主要產品：功率半導體智能傳感器智能控制產品應用領域：應用領域：消費電子汽車電子工業控制新能源公司是中國領先的擁有全產業鏈一體化經營能力的公司是中國領先的擁有全產業鏈一體化經營能力的半導體企業半導體企業，產品聚焦于功率半導體產品聚焦于功率半導體、智能傳感器智能傳感器與智能控制領域

111、與智能控制領域。公司在半導體業務板公司在半導體業務板塊塊，2020年完成收購安世半導體，進軍半導體領域，二極管和二極管和晶體管出貨量全球第晶體管出貨量全球第一一、邏輯芯片全球第邏輯芯片全球第二二、功率器件全球第功率器件全球第九；九；2021年7月，完成收購英國Newport晶圓廠，主要用于生產IGBT、中高壓模擬和碳化硅。公司目前擁有公司目前擁有6英寸英寸晶圓制造產能約為晶圓制造產能約為23萬片萬片/月月，8英寸晶圓英寸晶圓制造產能約為制造產能約為13萬片萬片/月月。由公司全資子公司華微控股與大基金二期及重慶西永共同發起設 立 的 潤 西 微 電 子（重慶）有限公司，在重慶投資建設重慶投資建設

112、12寸寸晶圓廠項目晶圓廠項目，有望在有望在22年年底貢獻產能年年底貢獻產能。數據來源：iFind，長城證券研究院整理行業龍頭梳理行業龍頭梳理:聞泰科技聞泰科技 華潤微華潤微0510152025303540455020172018201920202021半導體功率器件分立器件芯片半導體硅片其他業務051015202520172018201920202021電源管理產品信號鏈產品技術服務5.325.727.9211.9722.387.750510152025201720182019202020212022Q1營業總收入(億元）凈利潤（億元）功率器件功率器件聞泰科技：持續增長的車規級芯片龍頭聞泰科技

113、：持續增長的車規級芯片龍頭聯手安世，布局聯手安世，布局ODM+ODM+半導體雙輪驅動半導體雙輪驅動華潤微：全產業鏈一體化的華潤微：全產業鏈一體化的IDMIDM功率領跑者功率領跑者1212寸產能加速布局，擴大寸產能加速布局，擴大IDMIDM優勢優勢169.16173.35415.78517.07527.29148.030100200300400500600201720182019202020212022Q1營業總收入(億元）凈利潤（億元）58.7662.7157.4369.7792.4925.14-20020406080100201720182019202020212022Q1營業總收入(億元）

114、凈利潤（億元）010020030040050060020172018201920202021通信半導體產品房地產開發其他主營業務其他業務010203040506070809010020172018201920202021制造與服務產品與方案其他業務公司簡介公司簡介揚杰科技、圣邦微揚杰科技、圣邦微36主要產品：主要產品：IGBT應用領域：應用領域：工業控制電源新能源新能源汽車白色家電公司主營業務是以公司主營業務是以IGBT為主的功率半導體芯片和為主的功率半導體芯片和模塊的設計研發和生產模塊的設計研發和生產，自主研發設計的自主研發設計的IGBT芯芯片和快恢復二極管芯片是公司的核心競爭力之一片和快恢

115、復二極管芯片是公司的核心競爭力之一。14.7018.5220.0726.1743.9714.18-5515253545201720182019202020212022Q1營業總收入(億元）凈利潤（億元）主要產品：主要產品：功率器件功率模塊MEMS傳感器光電器件應用領域：應用領域：白色家電工業控制新能源汽車光伏0102030405020172018201920202021H1器件集成電路發光二極管其他業務其他主營業務功率半導體：功率半導體：21H1自主研發的V代IGBT車規模塊，已在國內多家客戶通過測試，并在部分客戶開始批量供貨主要產品：主要產品：功率半導體智能控制IC智能傳感器光電半導體應用領

116、域：應用領域：汽車電子工業/家電新能源/消費電子依托公司在車規級半導體研發應用的深厚積累依托公司在車規級半導體研發應用的深厚積累，公公司以車規級半導體為核心司以車規級半導體為核心，同步推動工業同步推動工業、家電家電、新能源新能源、消費電子等領域的半導體發展消費電子等領域的半導體發展。2020年公司在全球年公司在全球IGBT模塊市場排名模塊市場排名第六第六，在中國企業中在中國企業中排名第排名第1位位。2022H1公司實現營收11.54億元，同比增 長 60.53%；實現歸母凈利潤3.46億元，同比增長125.05%；實現扣非歸母凈利潤3.31億元，同比增長134.10%，均持續穩步增長。2020

117、年公司在中國新年公司在中國新能源乘用車電機驅動能源乘用車電機驅動控制用控制用IGBT模塊全模塊全球廠商中排名第二球廠商中排名第二，市占率市占率19%，僅次于僅次于英飛凌英飛凌。此外，公司也是全球首家、國內唯一實現SiC三相全橋模塊在電機驅動控制器中大批量裝車的功率半導體廠商。數據來源：iFind，長城證券研究院整理行業龍頭梳理行業龍頭梳理:斯達半導斯達半導 BYDBYD半導半導0510152025303540455020172018201920202021半導體功率器件分立器件芯片半導體硅片其他業務051015202520172018201920202021電源管理產品信號鏈產品技術服務5.3

118、25.727.9211.9722.387.750510152025201720182019202020212022Q1營業總收入(億元）凈利潤（億元）功率器件功率器件斯達半導：快速崛起的斯達半導：快速崛起的IGBTIGBT行業領軍者行業領軍者IGBTIGBT模塊賽道高景氣，單季度業績再創新高模塊賽道高景氣，單季度業績再創新高BYDBYD半導：自主品牌的車規級芯片龍頭半導：自主品牌的車規級芯片龍頭聚焦新能源汽車，打造垂直產業鏈閉環聚焦新能源汽車，打造垂直產業鏈閉環4.386.757.799.6317.075.4205101520201720182019202020212022Q1營業總收入(億元

119、）凈利潤（億元）13.4010.9614.4131.66051015202530352018201920202021營業總收入(億元）凈利潤（億元）02468101214161820172018201920202021IGBT模塊其他主營業務其他業務051015202530352018201920202021功率半導體智能傳感器光電半導體智能控制IC制造及服務其他業務公司簡介公司簡介揚杰科技、圣邦微揚杰科技、圣邦微37主要產品：主要產品：軌道交通裝備功率半導體工業變流/傳感器電驅系統應用領域：應用領域：汽車電子工業與醫療通訊設備消費電子公司主要從事軌道交通裝備產品的研發公司主要從事軌道交通裝備

120、產品的研發、設計設計、制制造造、銷售并提供相關服務銷售并提供相關服務，具有具有“器件器件+系統系統+整整機機”的產業結構的產業結構。14.7018.5220.0726.1743.9714.18-5515253545201720182019202020212022Q1營業總收入(億元）凈利潤（億元）主要產品：主要產品：功率器件功率模塊MEMS傳感器光電器件應用領域：應用領域：白色家電工業控制新能源汽車光伏0102030405020172018201920202021H1器件集成電路發光二極管其他業務其他主營業務功率半導體：功率半導體：21H1自主研發的V代IGBT車規模塊，已在國內多家客戶通過測

121、試，并在部分客戶開始批量供貨主要產品：主要產品：LED芯片集成電路芯片半導體材料應用領域：應用領域：顯示通信家用電器新能源車公司主要從事全色系超高亮度公司主要從事全色系超高亮度LED外延片外延片、芯片芯片、-族化合物半導體材料族化合物半導體材料、微波通訊集成電路與微波通訊集成電路與功率器件功率器件、光通訊元器件等的研發光通訊元器件等的研發、生產與銷售生產與銷售。在功率半導體器件方在功率半導體器件方面面，公司擁有1條條6寸雙極器件寸雙極器件、1條條8寸寸 IGBT 以及以及1條條6寸碳化硅芯片生產線寸碳化硅芯片生產線。4月12日，公司公告擬投資4.62億元進行SiC芯片產線擴充，SiC MOS工

122、藝將升級為溝槽柵，產能由4寸1萬片擴充至6寸2.5萬片，主要面向新能源汽車和軌交領域。公司集成電路新建項公司集成電路新建項目湖南三安目湖南三安SiC襯底襯底已向多家國際大廠送已向多家國際大廠送樣 驗 證樣 驗 證，碳 化 硅碳 化 硅MOSFET產品已送樣產品已送樣數十家客戶驗證數十家客戶驗證。砷化鎵射頻產能已擴充到12,000片/月、光技術產能2,000片/月、湖南三安電力電子碳化硅產能6,000片/月、電力電子硅基氮化鎵產能1,000片/月。數據來源：iFind，長城證券研究院整理行業龍頭梳理行業龍頭梳理:時代電氣時代電氣 三安光電三安光電0510152025303540455020172

123、018201920202021半導體功率器件分立器件芯片半導體硅片其他業務051015202520172018201920202021電源管理產品信號鏈產品技術服務5.325.727.9211.9722.387.750510152025201720182019202020212022Q1營業總收入(億元）凈利潤（億元）功率器件功率器件時代電氣：快速發展的車規時代電氣：快速發展的車規IGBTIGBT龍頭龍頭碳化硅產線擴容，引領新能源汽車革命碳化硅產線擴容，引領新能源汽車革命三安光電：三安光電：Mini LED/Mini LED/化合物半導體化合物半導體IDMIDM龍頭龍頭第三代半導體重點布局，集

124、成電路產能擴張第三代半導體重點布局，集成電路產能擴張151.44156.58163.04160.34151.2125.45050100150200201720182019202020212022Q1營業總收入(億元）凈利潤（億元）83.9483.6474.6084.54125.7231.07020406080100120140201720182019202020212022Q1營業總收入(億元）凈利潤（億元）050100150200201820192020軌道交通電氣裝備軌道工程機械通信信號系統其他軌道交通裝備功率半導體分立器件工業變流產品海工裝備傳感器件新能源汽車電驅動系統產品其他業務020

125、40608010012014020172018201920202021芯片、LED產品材料銷售集成電路芯片租金、物業、服務收入化合物半導體其他業務0501001502002018201920202021軌道交通電氣裝備軌道工程機械通信信號系統其他軌道交通裝備功率半導體分立器件工業變流產品海工裝備傳感器件新能源汽車電驅動系統產品其他業務38數據來源：iFind，長城證券研究院，市值及PE數據值截至2022年9月28日功率半導體相關龍頭公司梳理功率半導體相關龍頭公司梳理一級分類一級分類涉及功率涉及功率證券代碼證券代碼公司公司名稱名稱市值市值(億元億元)21年營收年營收21年歸母凈利潤年歸母凈利潤(

126、億億元元)22年一致預期年一致預期(億元億元)PEPEG半導體半導體(億元億元)-2022-2022分立器件IGBT603290.SH斯達半導595 17.07 3.98 7.66 80.02 0.92 A21288.SZBYD半導-31.66 3.95-688187.SH時代電氣659 151.21 20.18 22.83 34.62 2.38 688261.SH東微半導161 7.82 1.47 2.65 61.19 0.78 MOSFET605111.SH新潔能193 14.98 4.10 5.26 36.80 1.32 688396.SH華潤微615 92.49 22.68 25.93

127、 23.62 1.59 688261.SH東微半導161 7.82 1.47 2.65 61.19 0.78 600745.SH聞泰科技630 527.29 26.12 35.02 17.62 0.48 BJT300373.SZ揚杰科技261 43.97 7.68 11.36 23.21 0.50 600460.SH士蘭微475 71.94 15.18 14.30 33.09-6.00 二極管300373.SZ揚杰科技261 43.97 7.68 11.36 23.21 0.50 002079.SZ蘇州固锝98 24.76 2.18 2.79 35.10 1.25 晶閘管300623.SZ捷捷

128、微電138 17.73 4.97 6.25 23.89 1.38 SiC 二極管600703.SH三安光電805 125.72 13.13 21.27 37.90 0.61 688187.SH時代電氣659 151.21 20.18 22.83 34.62 2.38 688396.SH華潤微615 92.49 22.68 25.93 23.62 1.59 SiC MOSFET600703.SH三安光電805 125.72 13.13 21.27 37.90 0.61 603290.SH斯達半導595 17.07 3.98 7.66 80.02 0.92 688187.SH時代電氣659 151

129、.21 20.18 22.83 34.62 2.38 A21288.SZBYD半導-31.66 3.95-GaN HEMT688396.SH華潤微615 92.49 22.68 25.93 23.62 1.59 600745.SH聞泰科技630 527.29 26.12 35.02 17.62 0.48 600703.SH三安光電805 125.72 13.13 21.27 37.90 0.61 600460.SH士蘭微475 71.94 15.18 14.30 33.09-6.00 功率模塊603290.SH斯達半導595 17.07 3.98 7.66 80.02 0.92 A21288.

130、SZBYD半導-31.66 3.95-688187.SH時代電氣659 151.21 20.18 22.83 34.62 2.38 功率IC300661.SZ圣邦微489 22.38 6.99 10.86 45.27 0.83 一級分類一級分類涉及功率涉及功率證券代碼證券代碼公司名稱公司名稱市值市值(億元億元)21年營收年營收21年歸母凈利潤年歸母凈利潤(億元億元)22年一致預期年一致預期(億元億元)PEPEG半導體半導體(億元億元)-2022-2022分立器件IGBT603290.SH斯達半導579.19 17.07 3.98 7.66 77.93 0.90 A21288.SZBYD半導-3

131、1.66 3.95-688187.SH時代電氣668.62 151.21 20.18 22.83 35.05 2.41 688261.SH東微半導164.10 7.82 1.47 2.65 62.52 0.79 MOSFET605111.SH新潔能194.73 14.98 4.10 5.26 37.11 1.33 688396.SH華潤微633.64 92.49 22.68 25.93 24.33 1.64 688261.SH東微半導164.10 7.82 1.47 2.65 62.52 0.79 600745.SH聞泰科技640.37 527.29 26.12 35.02 17.92 0.4

132、9 BJT300373.SZ揚杰科技267.22 43.97 7.68 11.36 23.77 0.51 600460.SH士蘭微480.76 71.94 15.18 14.30 33.52-6.08 二極管300373.SZ揚杰科技267.22 43.97 7.68 11.36 23.77 0.51 002079.SZ蘇州固锝100.42 24.76 2.18 2.79 36.00 1.28 晶閘管300623.SZ捷捷微電140.34 17.73 4.97 6.25 24.30 1.40 SiC 二極管600703.SH三安光電815.24 125.72 13.13 21.27 38.36

133、 0.62 688187.SH時代電氣668.62 151.21 20.18 22.83 35.05 2.41 688396.SH華潤微633.64 92.49 22.68 25.93 24.33 1.64 SiC MOSFET600703.SH三安光電815.24 125.72 13.13 21.27 38.36 0.62 603290.SH斯達半導579.19 17.07 3.98 7.66 77.93 0.90 688187.SH時代電氣668.62 151.21 20.18 22.83 35.05 2.41 A21288.SZBYD半導-31.66 3.95-GaN HEMT68839

134、6.SH華潤微633.64 92.49 22.68 25.93 24.33 1.64 600745.SH聞泰科技640.37 527.29 26.12 35.02 17.92 0.49 600703.SH三安光電815.24 125.72 13.13 21.27 38.36 0.62 600460.SH士蘭微480.76 71.94 15.18 14.30 33.52-6.08 功率模塊603290.SH斯達半導579.19 17.07 3.98 7.66 77.93 0.90 A21288.SZBYD半導-31.66 3.95-688187.SH時代電氣668.62 151.21 20.18

135、 22.83 35.05 2.41 功率IC300661.SZ圣邦微501.14 22.38 6.99 10.86 46.41 0.85 一級分類一級分類涉及功率涉及功率證券代碼證券代碼公司名稱公司名稱市值市值(億元億元)21年營收年營收21年歸母凈利潤年歸母凈利潤(億億元元)22年一致預期年一致預期(億元億元)PEPEG半導體半導體(億元億元)-2022-2022分立器件IGBT603290.SH斯達半導568.45 17.07 3.98 7.66 76.49 0.88 A21288.SZBYD半導-31.66 3.95-688187.SH時代電氣641.25 151.21 20.18 22

136、.83 33.72 2.34 688261.SH東微半導162.11 7.82 1.47 2.65 61.76 0.79 MOSFET605111.SH新潔能187.38 14.98 4.10 5.26 35.71 1.28 688396.SH華潤微628.89 92.49 22.68 25.93 24.14 1.63 688261.SH東微半導162.11 7.82 1.47 2.65 61.76 0.79 600745.SH聞泰科技614.70 527.29 26.12 35.02 17.20 0.47 BJT300373.SZ揚杰科技260.30 43.97 7.68 11.36 23.

137、15 0.50 600460.SH士蘭微461.36 71.94 15.18 14.30 32.17-5.84 二極管300373.SZ揚杰科技260.30 43.97 7.68 11.36 23.15 0.50 002079.SZ蘇州固锝94.93 24.76 2.18 2.79 34.03 1.21 晶閘管300623.SZ捷捷微電135.10 17.73 4.97 6.25 23.39 1.35 SiC 二極管600703.SH三安光電787.92 125.72 13.13 21.27 37.08 0.60 688187.SH時代電氣641.25 151.21 20.18 22.83 3

138、3.72 2.34 688396.SH華潤微628.89 92.49 22.68 25.93 24.14 1.63 SiC MOSFET600703.SH三安光電787.92 125.72 13.13 21.27 37.08 0.60 603290.SH斯達半導568.45 17.07 3.98 7.66 76.49 0.88 688187.SH時代電氣641.25 151.21 20.18 22.83 33.72 2.34 A21288.SZBYD半導-31.66 3.95-GaN HEMT688396.SH華潤微628.89 92.49 22.68 25.93 24.14 1.63 600

139、745.SH聞泰科技614.70 527.29 26.12 35.02 17.20 0.47 600703.SH三安光電787.92 125.72 13.13 21.27 37.08 0.60 600460.SH士蘭微461.36 71.94 15.18 14.30 32.17-5.84 功率模塊603290.SH斯達半導568.45 17.07 3.98 7.66 76.49 0.88 A21288.SZBYD半導-31.66 3.95-688187.SH時代電氣641.25 151.21 20.18 22.83 33.72 2.34 功率IC300661.SZ圣邦微498.82 22.38

140、 6.99 10.86 46.20 0.85 39風險提示風險提示 宏觀經濟波動、新冠疫情反復等系統性風險宏觀經濟波動、新冠疫情反復等系統性風險 政策利好可能低于預期政策利好可能低于預期 半導體貿易戰加劇導致產業鏈發展國產化進程可能低于預期半導體貿易戰加劇導致產業鏈發展國產化進程可能低于預期 半導體產業鏈可能存在供大于求導致價格下降半導體產業鏈可能存在供大于求導致價格下降 下游需求可能低于預期下游需求可能低于預期40研究員承諾與特別聲明研究員承諾與特別聲明研究員承諾研究員承諾本報告署名分析師具有中國證券業協會授予的證券投資咨詢執業資格或相當的專業勝任能力，在執業過程中恪守獨立誠信、勤勉盡職、謹

141、慎客觀、公平公正的原則，獨立、客觀地出具本報告。本報告反映了本人的研究觀點，不曾因，不因，也將不會因本報告中的具體推薦意見或觀點而直接或間接接收到任何形式的報酬。特別聲明特別聲明證券期貨投資者適當性管理辦法、證券經營機構投資者適當性管理實施指引（試行）已于2017年7月1日 起正式實施。因本研究報告涉及股票相關內容，僅面向長城證券客戶中的專業投資者及風險承受能力為穩健型、積極型、激進型的普通投資者。若您并非上述類型的投資者，請取消閱讀，請勿收藏、接收或使用本研究報告中的任何信息。因此受限于訪問權限的設置，若給您造成不便，煩請見諒！感謝您給予的理解與配合。41免責聲明免責聲明免責聲明免責聲明長城

142、證券股份有限公司（以下簡稱長城證券）具備中國證監會批準的證券投資咨詢業務資格。本報告由長城證券向其機構或個人客戶（以下簡稱客戶）提供，除非另有說明，所有本報告的版權屬于長城證券。未經長城證券事先書面授權許可，任何機構和個人不得以任何形式翻版、復制和發布，亦不得作為訴訟、仲裁、傳媒及任何單位或個人引用的證明或依據，不得用于未經允許的其它任何用途。如引用、刊發，需注明出處為長城證券研究所，且不得對本報告進行有悖原意的引用、刪節和修改。本報告是基于本公司認為可靠的已公開信息，但本公司不保證信息的準確性或完整性。本報告所載的資料、工具、意見及推測只提供給客戶作參考之用，并非作為或被視為出售或購買證券或

143、其他投資標的的邀請或向他人作出邀請。在任何情況下，本報告中的信息或所表述的意見并不構成對任何人的投資建議。在任何情況下，本公司不對任何人因使用本報告中的任何內容所引致的任何損失負任何責任。長城證券在法律允許的情況下可參與、投資或持有本報告涉及的證券或進行證券交易，或向本報告涉及的公司提供或爭取提供包括投資銀行業務在內的服務或業務支持。長城證券可能與本報告涉及的公司之間存在業務關系，并無需事先或在獲得業務關系后通知客戶。長城證券版權所有并保留一切權利。42長城證券投資評級說明長城證券投資評級說明長城證券投資評級說明長城證券投資評級說明公司評級：買入預期未來6個月內股價相對行業指數漲幅15%以上;增持預期未來6個月內股價相對行業指數漲幅介于5%-15%之間;持有預期未來6個月內股價相對行業指數漲幅介于-5%-5%之間;賣出預期未來6個月內股價相對行業指數跌幅5%以上.行業評級：強于大市預期未來6個月內行業整體表現戰勝市場;中性預期未來6個月內行業整體表現與市場同步;弱于大市預期未來6個月內行業整體表現弱于市場。謝謝！謝謝！長城證券股份有限公司深圳市福田區金田路2026號能源大廈南塔樓10-19層報告日期：2022年9月28日