的功耗；2）SoC 芯片中沒有TSV可以降低成本、復雜性和面積；3）CUBE可以包括硅電容器(Si-Cap)等集成無源器件(IPD)，有助于為SoC提供穩定的電源，而無需無數的分立多層陶瓷電容器(MLCC)，附加值是CUBE充當DRAM+硅電容+硅中介的角色存在——故稱其為“element”。每個內核SRAM單元需要6個晶體管，每個核心DRAM單元只需要1個晶體管。因此，使用相對便宜的20nm工藝，CUBE的密度是采用相對昂貴的14nm工藝實現的SRAM芯片的5倍。