磊晶生成的外延片質量是決定光芯片性能的關鍵因素，是廠商競爭優勢及技術實力的核心體現。MOCVD 和 MBE 是兩種主要的磊晶生長方式，其中 MOCVD 是以有機化合物作為晶體生長原材料，在襯底上進行氣相外延；而 MBE 是將需要生長的單晶物質按元素的不同分別放在噴射爐中，通過加熱使元素噴射的分子流在襯底上長出晶格結構，技術難度較高。