一二三代半導體有什么區別？具體區別介紹

一二三代半導體有什么區別

一二三代半導體主要在材料，帶隙和應用上有很大的不同。

1、材料

第一代半導體材料，發明并實用于20世紀50年代，以硅(Si)、鍺(Ge)為代表，特別是硅，構成了一切邏輯器件的基礎。我們的CPU、GPU的算力，都離不開硅的功勞。

第二代半導體材料，發明并實用于20世紀80年代，主要是指化合物半導體材料，以砷化鎵(GaAs)、磷化銦(InP)為代表。其中砷化鎵在射頻功放器件中扮演重要角色，磷化銦在光通信器件中應用廣泛。

第三代半導體，發明并實用于本世紀初年，涌現出了碳化硅(SiC)、氮化鎵(GaN)、氧化鋅(ZnO)、金剛石(C)、氮化鋁(AlN)等具有寬禁帶(Eg>2.3eV)特性的新興半導體材料，因此也被成為寬禁帶半導體材料。

2、帶隙

第一代半導體材料，屬于間接帶隙，窄帶隙。

第二代半導體材料，直接帶隙，窄帶隙。

第三代半導體材料，寬禁帶，全組分直接帶隙。

和傳統半導體材料相比，更寬的禁帶寬度允許材料在更高的溫度、更強的電壓與更快的開關頻率下運行。

3、應用

第一代半導體材料主要用于分立器件和芯片制造;

第二代半導體材料主要用于制作高速、高頻、大功率以及發光電子器件，也是制作高性能微波、毫米波器件的優良材料，廣泛應用在微波通信、光通信、衛星通信、光電器件、激光器和衛星導航等領域。

第三代半導體材料廣泛用于制作高溫、高頻、大功率和抗輻射電子器件，應用于半導體照明、5G通信、衛星通信、光通信、電力電子、航空航天等領域。第三代半導體材料已被認為是當今電子產業發展的新動力。

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