汽車半導體產業

1、 識別風險,發現價值 請務必閱讀末頁的免責聲明 1 1 3535 TablePage 行業專題研究半導體 2020 年 6 月 1 日 證券研究報告 半導體半導體國產替代十國產替代十三三 中國大陸半導體產業國產邊際提速,迎來穿越周期的成長新。

2、1 研究創造價值 功率半導體研究框架總論功率半導體研究框架總論 方正證券研究所證券研究報告方正證券研究所證券研究報告 行業深度報告 行業研究 半導體行業半導體行業 2020.01.23推薦 分析師:分析師: 陳杭 執業證書編號: S1220。

3、半導體設備投資地圖半導體設備投資地圖 證券分析師: 賀茂飛 EMAIL: SAC執業證書編號: S0020520060001 證券研究報告證券研究報告 20202020年年7 7月月7 7日日 請務必閱讀正文之后的免責條款部分請務必閱讀正文。

4、半導體大硅片研究框架 深度報告 首席分析師: 隴杭 執業證書編號:S1220519110008 證券研究報告 半導體行業 2020年 6月 25日 行業需求:全球范圍內逡輯 ,功率和模擬電路的収展促迚晶囿廠的建設,中國大陸主要來自 半導體國。

5、分析師:分析師: 張文琦S0190519100001 于明明S0190514100003 報告發布日期:報告發布日期:20202172020217 國泰國泰CESCES半導體半導體ETFETF簡析簡析 證券研究報告 風險提示:本內容為客觀數。

6、 請務必閱讀正文之后的免責條款部分 全球視野全球視野 本土智慧本土智慧 海外市場研究海外市場研究 Page 1 證券研究報告證券研究報告海外市場研究海外市場研究 港股港股電子元器件電子元器件 半導體半導體產業鏈產業鏈系列系列研究研究之之十十。

7、0 美金上升至 300 美金功率半導體正加速向國內轉移,國內電子企業有望享受這一輪市場增長市場轉移帶來的高業績增長預期. 我們假設 20162020 年全球燃油車年產量由 6963 萬輛增長至 7478 萬輛,年均增速 2;新能源汽車包括純。

8、 請務必閱讀正文之后的信息披露和法律聲明 TableMainInfo 行業研究汽車與零配件 證券研究報告 行業專題報告行業專題報告 2020 年 03 月 15 日 TableInvestInfo 投資評級 優于 優于大市大市 維持維持 市。

9、仍有較大的國產提升空間.貿易戰對我國半導體核心技術卡脖子半導體產業鏈中,上游半導體設備和中游制造對美依存度極高,核心芯片的國產化比率極低,存在受技術限制的可能性;相比之下,中游封測和下游終端市場領域對美依存度小,受到影響較小.貿易戰背景下。

10、1 1 行 業 及 產 業 行 業 研 究 行 業 深 度 證 券 研 究 報 告 電子 半導體 2020 年 09 月 24 日 半導體硅片行業全攻略 看好 半導體行業深度 相關研究 集成電路全產業鏈迎新政策紅利新 時期促進集成電路產業和。

11、構成資本支出研發策略需求預測供應鏈路線生產決策,以及期權成員和收購.兩種復蘇情景都表明,2020年,大多數半導體業務的收入將出現負增長.然而,展望2021年,我們預計情況會隨著大多數終端市場的復蘇而改善,主要因為2020年的起點將比前幾年低。

12、 2020 年深度行業分析研究報告 目錄 1.汽車功率器件:電動化核心增量10 1.1功率半導體:高壁壘強盈利大市值11 1.2電動化拉動需求倍增12 2.低壓 MOS:市場高度成熟,面臨電動化沖擊14 2.1低壓 MOS:汽油車應用的主要。

13、配器電動汽車充電樁通信電源等.屏蔽櫥功率MOSFET的具體內容是30v300V屏蔽榭功率MOSFET,其具體使用鄰域是電子霧化器無人機移動電源多口uSB充電器逆變器適配器手機快充UPS電源等.IGBT具體內容有兩個,分別是高密度場截止型絕緣。

14、IGBT功率半導體研究框架 深度報告 證券研究報告 半導體行業 2020年 12月 2日 需求:節能環俅 .傳統癿功率半導體損耗非帯大 ,需要多個器件才能達到電能轉換癿效果 . IGBT通過調節電機癿轉速來達到節能癿作用 . 行業增長:最主。

15、2.4.1 BMS 芯片:動力電池裝機驅動,市場穩步增長ppBMS電池管理系統是新能源車的電源管理芯片主要增量.電動汽車的動力電池由幾千個小電芯組成,而電池包主要由電芯模塊電氣系統熱管理系統箱體和 BMS 組成.BMS 是一個保護動力鋰離。

16、2021年4月,臺積電將其2021年資本開支提高至300億美金2020年Q4指引是250280億美pp金,其中80投在3nm5nm7nm等先進制程, 10投在先進封裝,10投在成熟制程.臺積電未來三年資本開支合計為1000億美金.pp臺積。

17、復盤半導體第一次跨越:估值提升主導,國產替代全面提速大方向確 立.20192020H1,電子板塊漲幅為 117.4,半導體板塊實現大漲, 漲幅為 226.4.從 PE 與歸母凈利潤對指數的相對貢獻來看,PE 貢 獻程度大于歸母凈利潤貢獻度。

18、北斱華創:硅刻蝕領軍者 北方華創自 2001年成立后便開始組建團隊研發刻蝕技術 ,并于 2004年第一臺設備成功起輝, 2005年第一臺8英寸ICP刻蝕機上線,是我國自主研發的第一臺干法刻蝕機 .憑借在等離子體控制反應腔室設計刻蝕工藝技術 。

19、漲價反應8及12成熟制程的長期缺口我們歸因于造成未來半導體行業通膨漲價這里指的是 812成熟制程產品的第三個主要原因是 8及 12成熟制程的晶圓代工缺口長期縮窄不易.就 8而言,我們歸納出五個主要原因造成 8晶圓代工業者擴產不容易,未來幾年。

20、GaN 作為第三代半導體具有寬帶隙3.4 eV擊穿場強大3.3 MW cm電子飽和漂移速度高2.7 107 cm s等物理結構優勢.在以往的半導體材料中,Si 是目前集成電路及半導體器件的主要材料,但其帶隙窄,擊穿電壓低,在高頻高功率器件的。

21、SiC MOSFET 具備一定優勢,但成本較高.就器件類型而言,SiC MOSFET 與 Si MOSFET 相似.但是,SiC 是一種寬帶隙WBG材料,其特性允許這些器件在與 IGBT相同的高功率水平下運行,同時仍然能夠以高頻率進行開關。

22、 1 敬請參閱最后一頁特別聲明 市場數據市場數據 人民幣人民幣 市場優化平均市盈率 18.90 國金半導體指數 7027 滬深 300 指數 4922 上證指數 3619 深證成指 14796 中小板綜指 14427 相關報告相關報告 1。

23、請務必閱讀正文之后的免責聲明及其項下所有內容證券研究報告證券研究報告 20222022年年0303月月0808日日超配超配半導體系列報告之四:半導體硅片半導體系列報告之四:半導體硅片摩爾定律演進,半導體硅材料歷久彌新摩爾定律演進,半導體硅材。

24、 I 目 錄 前前 言言 . II 一國際第三代半導體產業進展國際第三代半導體產業進展 . 1 一各經濟體以前所未有的力度扶持半導體產業 . 1 二技術和產品商業化加速 . 3 三龍頭企業不斷完善全產業鏈布局 . 11 四市場規模持續增長 。