半導體分立器件廠家

1、1 研究創造價值 功率半導體研究框架總論功率半導體研究框架總論 方正證券研究所證券研究報告方正證券研究所證券研究報告 行業深度報告 行業研究 半導體行業半導體行業 2020.01.23推薦 分析師:分析師: 陳杭 執業證書編號: S1220。

2、半導體設備投資地圖半導體設備投資地圖 證券分析師: 賀茂飛 EMAIL: SAC執業證書編號: S0020520060001 證券研究報告證券研究報告 20202020年年7 7月月7 7日日 請務必閱讀正文之后的免責條款部分請務必閱讀正文。

3、半導體大硅片研究框架 深度報告 首席分析師: 隴杭 執業證書編號:S1220519110008 證券研究報告 半導體行業 2020年 6月 25日 行業需求:全球范圍內逡輯 ,功率和模擬電路的収展促迚晶囿廠的建設,中國大陸主要來自 半導體國。

4、分析師:分析師: 張文琦S0190519100001 于明明S0190514100003 報告發布日期:報告發布日期:20202172020217 國泰國泰CESCES半導體半導體ETFETF簡析簡析 證券研究報告 風險提示:本內容為客觀數。

5、 全球視野全球視野 本土智慧本土智慧 行業研究行業研究 Page 1 證券研究報告證券研究報告動態報告動態報告行業快評行業快評 電子元器件電子元器件 半導體專題研究系列十半導體專題研究系列十三三 超配超配 2020 年年 02 月月 24 。

6、敬請參閱末頁重要聲明及評級說明 證券研究報告 半導體半導體 行業研究深度報告 主要觀點: 安徽安徽利用地區優勢引領利用地區優勢引領科技轉型科技轉型典范典范 安徽省的 16 個地級市中,有 9 個屬于資源型城市,進入新階段后,結 構不優,產能。

7、仍有較大的國產提升空間.貿易戰對我國半導體核心技術卡脖子半導體產業鏈中,上游半導體設備和中游制造對美依存度極高,核心芯片的國產化比率極低,存在受技術限制的可能性;相比之下,中游封測和下游終端市場領域對美依存度小,受到影響較小.貿易戰背景下。

8、置的心臟,雖然價值通常不會超過整臺裝置總價值的 1030,但它對裝置的總價值尺寸重量和技術性能起著十分重要的作用.沒有領先的器件,就沒有領先的設備,功率半導體分立器件對功率半導體技術領域的發展起著決定性的作用.本白皮書以新時代標準化工作總體。

9、 敬請參閱報告結尾處的免責聲明 東方財智 興盛之源 DONGXING SECURITIES 行 業 研 究 東 興 證 券 股 份 有 限 公 司 證 券 研 究 報 告 IGBTIGBT深度研究深度研究軍民兩用元器件軍民兩用元器件系列系列。

10、 2020 年深度行業分析研究報告 目錄 1.汽車功率器件:電動化核心增量10 1.1功率半導體:高壁壘強盈利大市值11 1.2電動化拉動需求倍增12 2.低壓 MOS:市場高度成熟,面臨電動化沖擊14 2.1低壓 MOS:汽油車應用的主要。

11、配器電動汽車充電樁通信電源等.屏蔽櫥功率MOSFET的具體內容是30v300V屏蔽榭功率MOSFET,其具體使用鄰域是電子霧化器無人機移動電源多口uSB充電器逆變器適配器手機快充UPS電源等.IGBT具體內容有兩個,分別是高密度場截止型絕緣。

12、IGBT功率半導體研究框架 深度報告 證券研究報告 半導體行業 2020年 12月 2日 需求:節能環俅 .傳統癿功率半導體損耗非帯大 ,需要多個器件才能達到電能轉換癿效果 . IGBT通過調節電機癿轉速來達到節能癿作用 . 行業增長:最主。

13、消費電子:出貨淡季及上游缺貨,智能手機二季度全面承壓,可穿戴設備出貨預期明顯下調,IT 類需求仍維持景氣度.1智能手機,蘋果產業鏈由于去年新機發布推遲產業旺季整體后移,今年一季度業績訂單高于往年疊加去年低基數業績表現較好,二季度缺乏新機發。

14、GaN器件制作的充電器體積小重量輕,在發熱量轉換效率上比硅基器件制作的充電器有顯著的優勢,大大改善了用戶的使用體驗.ppGaN功率器件的應用目標主要為筆記本電腦手機平板等電源;目前來看,基于GaN的充電器將成為首選.pp全球每年充電器銷售。

15、2021年4月,臺積電將其2021年資本開支提高至300億美金2020年Q4指引是250280億美pp金,其中80投在3nm5nm7nm等先進制程, 10投在先進封裝,10投在成熟制程.臺積電未來三年資本開支合計為1000億美金.pp臺積。

16、復盤半導體第一次跨越:估值提升主導,國產替代全面提速大方向確 立.20192020H1,電子板塊漲幅為 117.4,半導體板塊實現大漲, 漲幅為 226.4.從 PE 與歸母凈利潤對指數的相對貢獻來看,PE 貢 獻程度大于歸母凈利潤貢獻度。

17、北斱華創:硅刻蝕領軍者 北方華創自 2001年成立后便開始組建團隊研發刻蝕技術 ,并于 2004年第一臺設備成功起輝, 2005年第一臺8英寸ICP刻蝕機上線,是我國自主研發的第一臺干法刻蝕機 .憑借在等離子體控制反應腔室設計刻蝕工藝技術 。

18、漲價反應8及12成熟制程的長期缺口我們歸因于造成未來半導體行業通膨漲價這里指的是 812成熟制程產品的第三個主要原因是 8及 12成熟制程的晶圓代工缺口長期縮窄不易.就 8而言,我們歸納出五個主要原因造成 8晶圓代工業者擴產不容易,未來幾年。

19、 請務必閱讀正文之后的免責條款部分 全球視野全球視野 本土智慧本土智慧 行業行業研究研究 Page 1 證券研究報告證券研究報告深度報告深度報告 電子元器件電子元器件 半導體系列報告半導體系列報告之一之一:模擬芯片:模擬芯片 超配超配 20。

20、科技先鋒系列科技先鋒系列報告報告237 Wolfspeed:全球第三代半導體材料及器件提供商全球第三代半導體材料及器件提供商 中信證券研究部中信證券研究部 前瞻研究前瞻研究 2021.12.10 功率產品功率產品 射頻產品射頻產品 SiCG。

21、 請務必閱讀正文之后的免責條款部分 1 23 行業研究信息技術半導體與半導體生產設備 證券研究報告 半導體與半導體生產設半導體與半導體生產設備行業研究報告備行業研究報告 2022 年 01 月 08 日 半導體測試機,商業模式優質空間大半導。

22、請務必閱讀正文之后的免責聲明及其項下所有內容證券研究報告證券研究報告 20222022年年0303月月0808日日超配超配半導體系列報告之四:半導體硅片半導體系列報告之四:半導體硅片摩爾定律演進,半導體硅材料歷久彌新摩爾定律演進,半導體硅材。