第三代半導體最新政策消息出臺

1、 1 市場價格人民幣: 18.95 元 目標價格人民幣:23.8023.80 元 王華君王華君 分析師分析師 SAC 執業編號:執業編號:S1130519030002 第三代第三代半導體半導體國際國際領先者領先者,氮化鎵芯片空間大氮化鎵芯片。

2、 華潤微華潤微688396 功率功率 IDM 龍頭龍頭,前瞻布局,前瞻布局第第三代半導體空間遠大三代半導體空間遠大 王聰王聰分析師分析師 張天聞張天聞研究助理研究助理 02138676820 02138677388 證書編號 S088051。

3、 證券證券研究報告研究報告行業深度研究行業深度研究 GaN 行業深度:行業深度:5G快充快充 UVC第三代半導體潮起第三代半導體潮起 射頻射頻 GaN 在在 5G 基站和軍用雷達的應用中基站和軍用雷達的應用中獨具優勢獨具優勢 GaN 射頻器。

4、 電子制造 從從新基建與消費電子看第三代半導體材料新基建與消費電子看第三代半導體材料 2020 年年 5 月月 29 日日 電子電子行業行業深度深度報告報告 公司具備證券投資咨詢業務資格公司具備證券投資咨詢業務資格 相關報告: 半導體行業深。

5、第三代半導體之SiC研究框架 與題報告 證券研究報告 電子行業 2020年9月4日 分析師: 陳杭 執業證書編號: S1220519110008 總結 器件發展,材料先行,IDM模式將繼續成為行業主流.SiC將會取代Si作為大部分功率器件的。

6、敬請參閱末頁重要聲明及評級說明 證券研究報告 電子電子 行業研究深度報告 主要觀點: SIC 功率器件:性能優異,功率器件:性能優異,10 年年 20 倍增長倍增長 功率半導體的技術和材料創新都致力于提高能量轉化效率理想轉化率 100,基于。

7、 2020 年深度行業分析研究報告 目 錄 一為什么推薦投資第三代半導體材料4 1功率半導體下游細分領域帶動需求爆發式增長,將帶動第三代半導體材料應用4 2貿易摩擦加劇與摩爾定律見頂雙重背景下,底層材料提供了彎道超車的可能性4 3新基建與消。

8、 2020 年深度行業分析研究報告 目錄 一第三代半導體 GaN:射頻電源光電子廣泛運用1 1.1 5G 時代,第三代半導體優勢明顯1 1.2 GaN 優勢明顯,5G 時代擁有豐富的應用場景2 二射頻:5G 基站雷達GaN 射頻器件大有可為。

9、 電子設備行業專題研究 第三代半導體大有可為 2020 年 10 月 09 日 投資要點投資要點 第三代半導體走向舞臺中央.第三代半導體走向舞臺中央.半導體材料作為產業發展的基礎,經歷 了數代的更迭,以碳化硅及氮化鎵為代表的第三代半導體,由。

10、華潤微公司作為特色工藝超級平臺,目前已實現國內首條 6 英寸 SiC 生產線的量產,有望全 面布局包括 SiC 和 GaN 在內的第三代半導體產業鏈,構筑第二增長曲線.特色工藝平臺持續加深布局,驅動 SiC 等第三代半導體領域lt。

11、 本公司具備證券投資咨詢業務資格,請務必閱讀最后一頁免責聲明 證券研究報告 2 三安光電三安光電600703 目錄目錄 一一 盈利逐步改善,業務穩固中有創新盈利逐步改善,業務穩固中有創新 。

12、第三代半導體之GaN研究框架 與題報告 證券研究報告 電子行業 2020年12月6日 總結 射頻器件斱面, GaN受到5G推動.GaN射頻器件襯底主要采用SiC襯底.Cree擁有最強的實力,在射頻應用的 GaN HEMT尤其是GaNonSi。

13、預計未來第三代半導體市場規模穩步增長,潛在市場空間巨大.在 5G 通信新能源汽車快充綠色照明等新興需求崛起和國家政策大力支持的雙重驅動下,預計我國第三代化合物半導體市場規模有望實現快速增長.2020新基建風口下第三代半導體應用發展與投資價。

14、氮化鎵產業鏈分為襯底外延片和器件環節.盡管碳化硅被更多地作為襯底材料相較于氮化鎵,國內仍有 從事氮化鎵單晶生長的企業,主要有蘇州納維東莞中鎵上海鎵特和芯元基等;從事氮化鎵外延片的國內廠 商主要有三安光電賽微電子海陸重工晶湛半導體江蘇能華英諾。

15、新能源汽車應用將推動SiC滲透率快速上升SiC材料憑借其在高溫高壓高頻等條件下的優異性能表現,成為當今最受關注的新型半導體材料之一.為了扶持我國SiC行業的快速發展,國家中長期科學和技術發展規劃綱要20062020年中明確將碳化硅列為新一代。

16、GaN 作為第三代半導體具有寬帶隙3.4 eV擊穿場強大3.3 MW cm電子飽和漂移速度高2.7 107 cm s等物理結構優勢.在以往的半導體材料中,Si 是目前集成電路及半導體器件的主要材料,但其帶隙窄,擊穿電壓低,在高頻高功率器件的。

17、SiC 助力汽車降低 5 倍能力損耗.以第三代半導體的典型應用場景新能源汽車為例,根據福特汽車公開的信息,相比于傳統硅芯片如 IGBT驅動的新能源汽車,由第三代半導體材料制成芯片驅動的新能源汽車,可以將能量損耗降低 5 倍左右.SiC 提高。

18、科技先鋒系列科技先鋒系列報告報告237 Wolfspeed:全球第三代半導體材料及器件提供商全球第三代半導體材料及器件提供商 中信證券研究部中信證券研究部 前瞻研究前瞻研究 2021.12.10 功率產品功率產品 射頻產品射頻產品 SiCG。

19、行業行業報告報告 行業專題研究行業專題研究 請務必閱讀正文之后的信息披露和免責申明 1 電子電子 證券證券研究報告研究報告 2021 年年 12 月月 30 日日 投資投資評級評級 行業行業評級評級 強于大市維持評級。

20、2021 年深度行業分析研究報告 2 內容目錄內容目錄 1. 第一章:汽車電子相關核心投資機會有哪些第一章:汽車電子相關核心投資機會有哪些 . 8 2. 第二章:汽車電子核心板塊第三代半導體十問十答第二章:汽車電子核心板塊第三代半導體十問十。

21、請閱讀最后一頁的免責聲明 1 2022 年年 03 月月 17 日日 證券研究報告證券研究報告行業深行業深度度報告報告 第三代第三代半導體半導體行業行業 下游需求驅動,國產替代先行,下游需求驅動,國產替代先行,SiSiC C 迎迎政策發展政。