半導體產業發展趨勢分析

1、 119 請務必閱讀正文之后的免責條款部分 Tablemain 深 度 報 告 中芯國際中芯國際688981 報告日期:2020 年 7 月 19 日 中國半導體中國半導體產業產業發展發展基石基石. 中芯國際覆蓋報告 tablezw 行 業。

2、0 美金上升至 300 美金功率半導體正加速向國內轉移,國內電子企業有望享受這一輪市場增長市場轉移帶來的高業績增長預期. 我們假設 20162020 年全球燃油車年產量由 6963 萬輛增長至 7478 萬輛,年均增速 2;新能源汽車包括純。

3、敬請參閱末頁重要聲明及評級說明 證券研究報告 半導體半導體 行業研究深度報告 主要觀點: 安徽安徽利用地區優勢引領利用地區優勢引領科技轉型科技轉型典范典范 安徽省的 16 個地級市中,有 9 個屬于資源型城市,進入新階段后,結 構不優,產能。

4、仍有較大的國產提升空間.貿易戰對我國半導體核心技術卡脖子半導體產業鏈中,上游半導體設備和中游制造對美依存度極高,核心芯片的國產化比率極低,存在受技術限制的可能性;相比之下,中游封測和下游終端市場領域對美依存度小,受到影響較小.貿易戰背景下。

5、 SIA CONFIDENTIAL 5G INFRASTRUCTURE ANALYSIS 1 5G WIRELESS INFRASTRUCTURE SEMICONDUCTOR ANALYSIS 2 5G INFRASTRUCTURE ANA。

6、構成資本支出研發策略需求預測供應鏈路線生產決策,以及期權成員和收購.兩種復蘇情景都表明,2020年,大多數半導體業務的收入將出現負增長.然而,展望2021年,我們預計情況會隨著大多數終端市場的復蘇而改善,主要因為2020年的起點將比前幾年低。

7、 2020 年深度行業分析研究報告 目錄 功率半導體:IGBT 性能占優,三代材料嶄露頭角2 功率半導體細分產品類型復雜,IGBT 性能領先2 材料升級打開迭代大門,第三代材料前景可觀4 行業空間廣闊,全球產業格局有望重構5 廣闊的應用空間。

8、 2020 年深度行業分析研究報告 目錄 一半導體景氣復蘇,封測環節有望深度受益5 一低迷之后,5GAI 驅動新一輪景氣度提升5 二封測環節半導體行業重要通道6 二半導體產業向大陸轉移,國內封測一馬當先8 一半導體行業全球轉移路徑8 二國內。

9、 2020 年深度行業分析研究報告 目錄索引 一ATE:廣泛應用于半導體產業鏈,需求趨勢向上6 一測試需求貫穿半導體設計前道制造后道封裝全程6 二ATE 迭代速度較慢,設備商充分享受技術沉淀成果9 三具備可觀的市場空間,需求趨勢向上12 二。

10、更多報告獲取,關注公眾號三個皮匠 2020 年深度行業分析研究報告 目錄 一半導體市場規模超四千億美金,帶動上游半導體材料快速發展. 6 1.1半導體行業短期逢波動,中國成為全球最大半導體消費市場. 6 1.1.1半導體市場規模超四千億美金。

11、2020年深度行業分析研究報告 正文目錄 一半導體封測產業基本情況5 1. 半導體封測基本概念5 2.半導體封測產業發展趨勢6 2.1 傳統封裝7 2.2 先進封裝9 二投資看點: 半導體封測景氣回升,先進封裝需求旺盛12 1. 新應用需求。

12、 2020 年深度行業分析研究報告 正文目錄 前言存儲器價格回升,資本開支有望回暖5 一全球逐漸走出低谷,國內產能持續爬坡5 1全球市場:2019 年市場同比下滑,年末逐漸走出低谷5 2國內市場:產能持續增長,將超韓國成為全球最大半導體市場。

13、 2020 年深度行業分析研究報告 1. .3 2. .4 2.1. . 4 2.2. . 5 2.3. 。

14、 2020 年深度行業分析研究報告 正文目錄 1. 硅片:半導體大廈的基石6 1.1. 硅片:半導體大廈的基石6 1.2. 光伏硅片 vs 半導體硅片7 1.3. 半導體硅片技術發展路徑8 1.3.1. 常用半導體硅片8 1.3.2. 絕緣。

15、 2020 年深度行業分析研究報告 目錄索引 觀點綜述8 一消費電子:疫情不改 5G 換機邏輯,可穿戴設備成長空間廣闊9 一手機端:疫情不改 5G 換機邏輯,關注相關重要升級環節9 二非手機終端:5G 推動智能硬件生態多元化,可穿戴設備成長。

16、2020年深度行業分析研究報告,CONTENTS 目錄,1,1.產業發展動能:全球趨勢看5GAIOT,國內疊加替代加速 2.設計重點關注:手機主芯片變局射頻增量AIOT音頻市場華為國產化替代 3.制造及封測:高capex投入,重點關注龍頭 。

17、政策助力半導體產業.半導體是科技發展的基礎性戰略性產業,歷史上針對其政策支持可以大致分為三個階段:19802000 年,主要通過成立國務院電子計算機和大規模集成電路領導小組908 工程909 工程等政策,這期間主要是開始建立國內的晶圓產線。

18、SiC碳化硅是制作高溫高頻大功率高壓器件的理想材料之一:由碳元素和硅元素組成的一種化合物半導體材料.相比傳統的硅材料Si,碳化硅SiC的禁帶寬度是硅的 3 倍;導熱率為硅的 45 倍;擊穿電壓為硅的 8 倍;電子飽和漂移速率為硅的 2 倍。

19、景氣度持續向上,功率半導體供不應求.全球半導體市場需求強勁,新能源汽車手機快充光伏風電等下游領域快速增長,帶動以 MOSFET 和 IGBT 為代表的功率半導體需求持續提升,疊加晶圓制造產能不足,功率半導體市場出現供不應求現象.英飛凌意法。

20、半導體用超凈高純試劑中雙氧水硫酸和氨水消耗占比分別為 3433和 9,合計占比超過七成.公司超凈高純試劑產品聚焦于價值量最高的半導體領域,三款拳頭產品雙氧水硫酸和氨水均達到主流客戶最高規格要求 SEMI G5,金屬離子低于 10ppt,雙。

21、3.3.4 IDM:21年產能為王,IDM自有產能優勢pp半導體產業鏈從上游到下游可分為芯片設計制造封測測試三大環節.以各環節行業龍頭來看,典型毛利率約為設計 50以上,制造 4050之間,封測 20左右.中國公司毛利率低于國際水平,設計。

22、2.4.1 BMS 芯片:動力電池裝機驅動,市場穩步增長ppBMS電池管理系統是新能源車的電源管理芯片主要增量.電動汽車的動力電池由幾千個小電芯組成,而電池包主要由電芯模塊電氣系統熱管理系統箱體和 BMS 組成.BMS 是一個保護動力鋰離。

23、GaN材料在射頻產品的滲透率將逐步提升pp射頻器件材料主要有三種: GaAs,基于Si的LDMOS以及GaN.GaAs 器件的缺點是器件功率較低,低于50W; LDMOS器件的缺點是工作頻率存在極限,最高有效頻率在3GHz以下; GaN彌。

24、EDA是電子設計自動化Electronic Design Automation的簡稱,是廣義計算機輔助設計CAD的一種,是芯片設計的基礎 工具.利用EDA工具,工程師可以實現芯片的電路設計性能分析出版圖等過程的計算機自動處理完成. 隨著超。

25、全球虛擬現實行業市場規模迅速擴大,其中中國占據全球超過一半的市場份額,正處于快速擴張階段.受5G網絡的影響,預期2023年國內虛擬現實市場規模將達到4300億元.VRAR產品按處理器采用設備不同可以分為3類:移動端頭戴設備;外接式頭戴設備。

26、2020Q4 以來缺芯情況嚴重,預計 2022 年才能緩解,晶圓廠擴產需求強烈.本次半導體 行業高需求的啟動以 2020 年下半年新能源汽車的高景氣需求為標志,芯片產能吃緊由汽 車芯片逐漸擴散至所由消費芯片,晶圓廠擴產需求非常強,不得不加。

27、國產 CAD已見曙光:2D CAD 基本可替代,3D CAD 核心技術取得突破2D CAD市場上,以中望 CAD為代表的國產軟件已經具備了替換國外產品的能力,在產品性能上,目前國產 2D CAD軟件技術指標已經可以比肩國外巨頭,產品應用領域。

28、芯片從功能上可分為通用ICCPU等和專用ICASIC;從結構上可分為數字IC邏輯芯片微處理器,模擬IC信號鏈電源管理以及存儲器.為滿足不同功能和不同結構的IC設計需求,從實現方法上可將其分為全定制設計和半定制設計.全定制設計是指基于晶體管級。

29、 1 本報告版權屬于安信證券股份有限公司.本報告版權屬于安信證券股份有限公司. 各項聲明請參見報告尾頁.各項聲明請參見報告尾頁. SiCSiC 襯底襯底 產業瓶頸亟待突破,國內廠產業瓶頸亟待突破,國內廠 商加速發展商加速發展 襯底是產業鏈最。

30、2021 年深度行業分析研究報告 2 內容目錄內容目錄 1. 第一章:汽車電子相關核心投資機會有哪些第一章:汽車電子相關核心投資機會有哪些 . 8 2. 第二章:汽車電子核心板塊第三代半導體十問十答第二章:汽車電子核心板塊第三代半導體十問十。

31、 I 目 錄 前前 言言 . II 一國際第三代半導體產業進展國際第三代半導體產業進展 . 1 一各經濟體以前所未有的力度扶持半導體產業 . 1 二技術和產品商業化加速 . 3 三龍頭企業不斷完善全產業鏈布局 . 11 四市場規模持續增長 。