第三代化合物半導體

1、1 1 上 市 公 司 公 司 研 究 公 司 深 度 證 券 研 究 報 告 電子 2020 年 05 月 18 日 三安光電 600703 周期底部迎 miniled 及化合物半導體新成長 報告原因:強調原有的投資評級 買入維持 投資要。

2、 證券研究報告 首次覆蓋報告 2020 年 05月 08日 三安光電三安光電600703.SH 化合物半導體龍頭崛起,化合物半導體龍頭崛起,Mini LED 助力主業增長助力主業增長 深度布局化合物半導體,氮化鎵碳化硅砷化鎵同步發力深度布局。

3、 深 度 報 告 行 業 證 券 研 究 報 告 電子行業 下游新興領域需求旺盛,化合物半導體 前景可期 核心觀點核心觀點 突破突破 Si 的瓶頸,的瓶頸,化合物半導體優勢顯著:化合物半導體優勢顯著:Si 是應用最廣泛的半導體材料, 但無法。

4、 2020 年深度行業分析研究報告 目 錄 1.化合物半導體性能優勢顯著,有望迎來快速滲透5 1.1 GaAsGaNSiC 優勢顯著,應用領域定位不同5 1.2 技術成熟amp;成本下降,SiCGaN 有望加速滲透6 2 GaAs:射頻和光。

5、 2020 年深度行業分析研究報告 目 錄 一為什么推薦投資第三代半導體材料4 1功率半導體下游細分領域帶動需求爆發式增長,將帶動第三代半導體材料應用4 2貿易摩擦加劇與摩爾定律見頂雙重背景下,底層材料提供了彎道超車的可能性4 3新基建與消。

6、 2020 年深度行業分析研究報告 目錄 一第三代半導體 GaN:射頻電源光電子廣泛運用1 1.1 5G 時代,第三代半導體優勢明顯1 1.2 GaN 優勢明顯,5G 時代擁有豐富的應用場景2 二射頻:5G 基站雷達GaN 射頻器件大有可為。

7、華潤微公司作為特色工藝超級平臺,目前已實現國內首條 6 英寸 SiC 生產線的量產,有望全 面布局包括 SiC 和 GaN 在內的第三代半導體產業鏈,構筑第二增長曲線.特色工藝平臺持續加深布局,驅動 SiC 等第三代半導體領域lt。

8、請務必閱讀正文之后的免責條款部分請務必閱讀正文之后的免責條款部分 三安光電三安光電600703 Mini LED 打開需求空間,化合物半導體龍頭騰飛在即打開需求空間,化合物半導體龍頭騰飛在即 證書編號 本報告導讀:本報告導讀: 公司未來將受。

9、證券研究報告 請務必閱讀正文后免責條款部分 20212021 年年 0101 月月 1414 日日 公司研究公司研究 評級:評級:買入買入首次覆蓋首次覆蓋 研究所 證券分析師: 聯系人 : 加碼化合物半導體加碼化合物半導體,全球全球 LED。

10、請務必閱讀正文之后的免責條款部分 全球視野全球視野 本土智慧本土智慧 公司研究公司研究 Page 1 證券研究報告證券研究報告深度報告深度報告 信息技術信息技術 三安光電三安光電600703 增持增持 合理估值: 42.345.8 元 昨收。

11、本報告的信息均來自已公開信息,關于信息的準確性與完整性,建議投資者謹慎判斷,據此入市,風險自 擔. LED芯片芯片化合物半導體雙重布局,近年業績快速增長.化合物半導體雙重布局,近年業績快速增長.三安光電主要 從事LED芯片外延片生長LED芯。

12、考慮到當前集成灶的滲透率依然很低,同時細分品類結構有望向功能更豐富的高端品類轉型,未來集成灶依然有確定的持續成長動力.pp從油煙機產品迭代歷程來看,從行業最早的平頂式深罩型歐式 T 型近吸式,產品份額不斷變化,目前基本上由近吸式和歐式二分。

13、市場需求快速回暖,LED照明出口額同比大幅增長.2020年下半年以來,隨著國內疫情得到控制,上半年被壓抑的市場需求得到快速釋放,LED 顯示和 LED 照明市場都呈現出快速的復蘇回暖狀態.據中國照明電器協會發布的2020年前三季度中國照明。

14、預計未來第三代半導體市場規模穩步增長,潛在市場空間巨大.在 5G 通信新能源汽車快充綠色照明等新興需求崛起和國家政策大力支持的雙重驅動下,預計我國第三代化合物半導體市場規模有望實現快速增長.2020新基建風口下第三代半導體應用發展與投資價。

15、降價潮已逐步開啟,滲透率逐步提升.隨著技術成熟與制程良率提升雙驅動,根據集 邦預測 mini LED 背光顯示器成本有望每年下降 1520.隨著成本下降,在高端電視領 域,mini LED 的優勢已經逐步顯現,參考 64 寸 4K mini。

16、氮化鎵產業鏈分為襯底外延片和器件環節.盡管碳化硅被更多地作為襯底材料相較于氮化鎵,國內仍有 從事氮化鎵單晶生長的企業,主要有蘇州納維東莞中鎵上海鎵特和芯元基等;從事氮化鎵外延片的國內廠 商主要有三安光電賽微電子海陸重工晶湛半導體江蘇能華英諾。

17、中國大陸晶圓廠建廠潮為半導體設備行業提供了巨大的市場空間,但國產設備在這些晶圓廠 的采購中占比仍較低,替代空間廣闊.據芯謀研究數據,2020 年,國內晶圓廠設備采購總金 額達到 154 億美元,其中向美國廠商采購金額達到 82 億美元,占比。

18、競爭格局:產業鏈各環節以海外廠商為主導目前,GaAs 產業鏈環節以歐美日本和臺灣廠商為主導.從 GaAs 外延片生產環節來看,根據Strategy Analytics 數據,前四大GaAs 外延片廠商為英國廠商IQE臺灣地區廠商全新光電日本。

19、MiniMicro LED 主要有背光與直顯兩個應用方向.我們認為 2021 年將是Mini LED 背光商業化的元年,未來幾年行業將迎來爆發,Mini LED 背光將首先在中大屏市場打開空間. MiniMicro LED 直顯將首先在高端。

20、GaN 作為第三代半導體具有寬帶隙3.4 eV擊穿場強大3.3 MW cm電子飽和漂移速度高2.7 107 cm s等物理結構優勢.在以往的半導體材料中,Si 是目前集成電路及半導體器件的主要材料,但其帶隙窄,擊穿電壓低,在高頻高功率器件的。

21、行業行業報告報告 行業專題研究行業專題研究 請務必閱讀正文之后的信息披露和免責申明 1 電子電子 證券證券研究報告研究報告 2021 年年 12 月月 30 日日 投資投資評級評級 行業行業評級評級 強于大市維持評級。

22、 請務必閱讀正文后的聲明及說明請務必閱讀正文后的聲明及說明 TableInfo1TableInfo1 三安光電三安光電600703600703 光學光電子光學光電子 電子電子 TableDate 發布時間:發布時間:20220221 21 。

23、請閱讀最后一頁的免責聲明 1 2022 年年 03 月月 17 日日 證券研究報告證券研究報告行業深行業深度度報告報告 第三代第三代半導體半導體行業行業 下游需求驅動,國產替代先行,下游需求驅動,國產替代先行,SiSiC C 迎迎政策發展政。