中美半導體產業技術

1、 識別風險,發現價值 請務必閱讀末頁的免責聲明 1 1 3535 TablePage 行業專題研究半導體 2020 年 6 月 1 日 證券研究報告 半導體半導體國產替代十國產替代十三三 中國大陸半導體產業國產邊際提速,迎來穿越周期的成長新。

2、1 研究創造價值 功率半導體研究框架總論功率半導體研究框架總論 方正證券研究所證券研究報告方正證券研究所證券研究報告 行業深度報告 行業研究 半導體行業半導體行業 2020.01.23推薦 分析師:分析師: 陳杭 執業證書編號: S1220。

3、斱正證券全球科技研究框架: 功率半導體研究框架總論 證券研究報告 2020年1月10日 首席分析師: 陳杭 執業證書編號:S1220519110008 賽道:功率半導體是必選消費品,人需要吃柴米油鹽,機器同樣也需要消耗功率器件,仸何和電能轉。

4、 146 請務必閱讀正文之后的免責條款部分 專 題 半導體行業半導體行業 報告日期:2020 年 4 月 7 日 半導體材料硅片投資寶典半導體材料硅片投資寶典 硅片深度報告 行 業 公 司 研 究 半 導 體 行 業 :孫芳芳 執業證書編號。

5、半導體大硅片研究框架 深度報告 首席分析師: 隴杭 執業證書編號:S1220519110008 證券研究報告 半導體行業 2020年 6月 25日 行業需求:全球范圍內逡輯 ,功率和模擬電路的収展促迚晶囿廠的建設,中國大陸主要來自 半導體國。

6、機械設備機械設備 1 66 機械設備機械設備 2020 年 03 月 12 日 投資評級:投資評級:看好看好首次首次 行業走勢圖行業走勢圖 數據來源:貝格數據 半導體設備系列半導體設備系列專題專題報告報告之一之一:半導體設備詳解半導體設備詳。

7、 中國電子技術標準化研究院 版權聲明 本白皮書版權屬于中國電子技術標準化研究院,并受法律保護. 轉載 摘編或利用其它方式使用本白皮書文字或觀點的, 請注明: 來 源:中國電子技術標準化研究院.違反上述聲明者,本院將追求其 相關法律責任. 中。

8、仍有較大的國產提升空間.貿易戰對我國半導體核心技術卡脖子半導體產業鏈中,上游半導體設備和中游制造對美依存度極高,核心芯片的國產化比率極低,存在受技術限制的可能性;相比之下,中游封測和下游終端市場領域對美依存度小,受到影響較小.貿易戰背景下。

9、 1 本報告版權屬于安信證券股份有限公司.本報告版權屬于安信證券股份有限公司. 各項聲明請參見報告尾頁.各項聲明請參見報告尾頁. 立足技術研發,持續布局半導體領域,立足技術研發,持續布局半導體領域, 成長可期成長可期 立足技術研發,布局半導。

10、1 1 行 業 及 產 業 行 業 研 究 行 業 深 度 證 券 研 究 報 告 電子 半導體 2020 年 09 月 24 日 半導體硅片行業全攻略 看好 半導體行業深度 相關研究 集成電路全產業鏈迎新政策紅利新 時期促進集成電路產業和。

11、構成資本支出研發策略需求預測供應鏈路線生產決策,以及期權成員和收購.兩種復蘇情景都表明,2020年,大多數半導體業務的收入將出現負增長.然而,展望2021年,我們預計情況會隨著大多數終端市場的復蘇而改善,主要因為2020年的起點將比前幾年低。

12、2020年深度行業分析研究報告,目錄,行業增長模型:需求驅勱,1,行業發展逡輯:技術驅勱,行業壁壘和競爭格局,2,3,第一章綜述,需求來自各行各業,單機半導體硅含量的提升是核心規律.功率半導體使得變頻設備廣泛應用亍日 常消費. 手機:ESD。

13、礎,從而下一代人工智能設備將具備感知和推理能力.世界機器界面是當前以信息為中心的經濟的核心.例如,下一階段先進制造革命預計將來自下一代模擬驅動的工業電子產品,包括傳感機器人工業汽車醫療等. 我們感知物理世界的能力是非常有限的.增強人類感覺系。

14、配器電動汽車充電樁通信電源等.屏蔽櫥功率MOSFET的具體內容是30v300V屏蔽榭功率MOSFET,其具體使用鄰域是電子霧化器無人機移動電源多口uSB充電器逆變器適配器手機快充UPS電源等.IGBT具體內容有兩個,分別是高密度場截止型絕緣。

15、中國 芯科技 新銳企業 50報告 第一屆 畢馬威中國 免責說明 本報告中所含資料及其所含信息為一般性信息,僅供一般參考用,并 非針對任何個人或團體的個別情況而提供, 亦并非畢馬威對入圍企 業的完整詳盡的表述,畢馬威也未對入圍企業信息執行任何。

16、 2020年年12月月3日日 顆粒硅:多晶硅技術的再次騰飛顆粒硅:多晶硅技術的再次騰飛 證券研究報告證券研究報告 優于大市,維持優于大市,維持 概要概要 1.顆粒硅簡介:顆粒硅簡介:硅烷法生產的顆粒狀多晶硅硅烷法生產的顆粒狀多晶硅 2.與西。

17、IGBT功率半導體研究框架 深度報告 證券研究報告 半導體行業 2020年 12月 2日 需求:節能環俅 .傳統癿功率半導體損耗非帯大 ,需要多個器件才能達到電能轉換癿效果 . IGBT通過調節電機癿轉速來達到節能癿作用 . 行業增長:最主。

18、請務必閱讀正文之后的免責條款部分 全球視野全球視野 本土智慧本土智慧 行業行業研究研究 Page 1 證券研究報告證券研究報告深度報告深度報告 電子元器件電子元器件 半導體行業系列專題半導體行業系列專題 超配超配 2021 年年 01 月月。

19、2021年4月,臺積電將其2021年資本開支提高至300億美金2020年Q4指引是250280億美pp金,其中80投在3nm5nm7nm等先進制程, 10投在先進封裝,10投在成熟制程.臺積電未來三年資本開支合計為1000億美金.pp臺積。

20、GaN材料在射頻產品的滲透率將逐步提升pp射頻器件材料主要有三種: GaAs,基于Si的LDMOS以及GaN.GaAs 器件的缺點是器件功率較低,低于50W; LDMOS器件的缺點是工作頻率存在極限,最高有效頻率在3GHz以下; GaN彌。

21、隔離門驅動器模擬器件小型隔離柵驅動器是為功率開關技術如Sic碳化硅和GaN氮化鎵所要求的更高的開關速度和系統尺寸限制而設計的,同時為IlBT絕緣柵雙極晶體管和NOSFET金屬氧化物半導體場效應晶體管配置提供可靠的開關特性控制.這些隔離柵驅動。

22、國務院發布國家集成電路產業發展推進綱要,由國家財政部國開金融中國煙草等 16 位出資人成立國家大基金,注冊資金 987 億元,總投資規模為 1387 億元,撬動社會融資 5145 億元.投資總期限計劃為 15 年,分為投資期20142019。

23、漲價反應8及12成熟制程的長期缺口我們歸因于造成未來半導體行業通膨漲價這里指的是 812成熟制程產品的第三個主要原因是 8及 12成熟制程的晶圓代工缺口長期縮窄不易.就 8而言,我們歸納出五個主要原因造成 8晶圓代工業者擴產不容易,未來幾年。

24、半導體硅片行業屬于技術密集型行業資金密集型行業,行業進入壁壘極高.半導體硅片制造包括硅單晶生長切割研磨拋光研磨清洗熱處理外延硅片分析等多個環節,涉及一系列的技術積累;具有技術優勢的半導體硅片企業會通過申請專利為自身的技術提供保護,構建護城河。

25、版權聲明本白皮書版權屬于中國電子技術標準化研究院,并受法律保護.轉載 摘編或利用其它方式使用本白皮書文字或觀點的, 請注明: 來源:中國電子技術標準化研究院.違反上述聲明者,本院將追求其相關法律責任.I目錄1前言.12功率半導體分立器件概述。